導入FinFET制程技術(shù)　聯(lián)電14奈米后年亮相

　　聯(lián)電14nm鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)將于后年初開(kāi)始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14nmFinFET制程技術(shù)，預計效能可較現今28nm制程提升35～40%，可提供通訊晶片與應用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢，擴大搶攻通訊與消費性電子IC制造商機。

　　聯(lián)電執行長(cháng)孫世偉表示，14nmFinFET制程技術(shù)將會(huì )是聯(lián)電切入未來(lái)次世代通訊運算市場(chǎng)的最佳利器。

　　聯(lián)電執行長(cháng)孫世偉表示，由于晶圓從28跨入20nm制程以下的微縮過(guò)程中，勢必得使用雙重曝光(DoublePatterning)微影技術(shù)才能實(shí)現，而此一技術(shù)無(wú)論是微影機臺或人力研發(fā)等成本都相當高昂，因此造成許多出貨量不大的IC設計商不愿投資大筆資金導入，間接使20nm市場(chǎng)需求無(wú)法擴大。

　　具備低功耗特性的FinFET制程技術(shù)，盡管仍無(wú)法省去雙重曝光微影技術(shù)的成本，但卻能大幅提升單位面積內電晶體的整體效能，降低IC設計商因雙重曝光微影技術(shù)所帶來(lái)的成本沖擊，因此遂成為各家晶圓代工業(yè)者爭相競逐的技術(shù)。

　　孫世偉進(jìn)一步指出，在IBMFinFET技術(shù)授權的基礎下，聯(lián)電將跳過(guò)20nm制程，直接跨入14nmFinFET制程技術(shù)，藉此為通訊與行動(dòng)運算領(lǐng)域客戶(hù)提供更具效能優(yōu)勢的解決方案。此一新制程目前正于南科研究中心全力研發(fā)中，預計2014年初可完成驗證，并旋即進(jìn)行試產(chǎn)。

　　然而，相較于臺積電與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)均表示將于2014年初量產(chǎn)16/14nmFinFET，聯(lián)電量產(chǎn)時(shí)程顯然稍慢，如何后發(fā)先至遂成為業(yè)界關(guān)注焦點(diǎn)。孫世偉強調，盡管聯(lián)電在此一制程上的研發(fā)起步較晚，但相對FinFET制程所需的機臺制造技術(shù)亦較為成熟，且設備價(jià)格也較為便宜，再加上與IBM技術(shù)交流等助益，未來(lái)量產(chǎn)品質(zhì)與時(shí)程都將可較競爭對手更符合客戶(hù)需求。

　　另一方面，聯(lián)電28nm產(chǎn)品線(xiàn)則可望于年底量產(chǎn)，并于明年第一季開(kāi)始貢獻營(yíng)收。孫世偉補充，首波28nmPorting產(chǎn)品在經(jīng)過(guò)幾個(gè)月元件及制程參數調整后，良率已獲得顯著(zhù)提升，且公司亦于第三季成功投片(Tapeout)使用28nm后閘極(Gate-last)高介電質(zhì)金屬閘極(HKMG)制程的行動(dòng)通訊產(chǎn)品，并陸續與相關(guān)客戶(hù)密切合作中。

　　據悉，目前聯(lián)電晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能利用率為84%，其中，40nm先進(jìn)制程比重持續提升中，且平均銷(xiāo)售單價(jià)較上季攀升，并已刺激營(yíng)業(yè)收入向上成長(cháng)，而營(yíng)收貢獻亦從第二季9%成長(cháng)至第三季的13%，年底前則可望到達15%。

　　除標準產(chǎn)品外，聯(lián)電也開(kāi)始提供適用于觸控晶片領(lǐng)域的解決方案--embeddedFlash特殊制程技術(shù)平臺，并已有數家主流觸控廠(chǎng)商開(kāi)始采用，而這些特殊制程技術(shù)也可望為聯(lián)電營(yíng)收成長(cháng)注入全新動(dòng)能。

　　此外，對于各大晶圓廠(chǎng)皆預期第四季與明年初營(yíng)收成長(cháng)將趨緩，孫世偉表示，現今晶圓代工制造正處在庫存調整及景氣循環(huán)周期中，聯(lián)電預估此波庫存調整將持續至明年初，景氣回溫的脈動(dòng)將取決于明年總體經(jīng)濟、終端產(chǎn)品市場(chǎng)需求與新產(chǎn)品交替力道強弱;而公司未來(lái)將持續擴大客戶(hù)層面，改善產(chǎn)品組合，并進(jìn)一步提升產(chǎn)能調配的彈性來(lái)降低周期性波動(dòng)所帶來(lái)的沖擊。