絕緣柵雙極管(igbt) 文章進(jìn)入絕緣柵雙極管(igbt)技術(shù)社區

吉利科技旗下晶能車(chē)規級IGBT產(chǎn)品成功流片

近日，吉利科技旗下浙江晶能微電子有限公司宣布，其自主設計研發(fā)的首款車(chē)規級IGBT產(chǎn)品成功流片。新款芯片各項參數均達到設計要求。吉利科技集團消息顯示，該款I(lǐng)GBT芯片采用第七代微溝槽柵和場(chǎng)截止技術(shù)，通過(guò)優(yōu)化表面結構和FS結構，兼具短路耐受同時(shí)實(shí)現更低的導通/開(kāi)關(guān)損耗，功率密度增大約35%，綜合性能指標達到行業(yè)領(lǐng)先水平。晶能與晶圓代工廠(chǎng)深度綁定，采用工藝共創(chuàng )方式持續提升芯片性能。據悉，晶能微電子是吉利科技集團孵化的功率半導體公司，聚焦于Si IGBT&SiC MOS的研制與創(chuàng )新，發(fā)揮“芯片設計+模塊制
關(guān)鍵字：吉利科技晶能車(chē)規級 IGBT

吉利科技旗下晶能微電子自研首款車(chē)規級 IGBT 產(chǎn)品成功流片

IT之家 3 月 16 日消息，吉利科技旗下浙江晶能微電子近期宣布，其自主設計研發(fā)的首款車(chē)規級 IGBT 產(chǎn)品成功流片。新款芯片各項參數均達到設計要求。晶能自主研發(fā) IGBT 流片晶圓該款 IGBT 芯片采用第七代微溝槽柵和場(chǎng)截止技術(shù)，通過(guò)優(yōu)化表面結構和 FS 結構，兼具短路耐受同時(shí)實(shí)現更低的導通 / 開(kāi)關(guān)損耗，功率密度增大約 35%，綜合性能指標達到行業(yè)領(lǐng)先水平。晶能與晶圓代工廠(chǎng)深度綁定，采用工藝共創(chuàng )方式持續提升芯片性能。晶能表示，一輛典型的新能源汽車(chē)芯片用量超過(guò) 1200 顆。功率半導體占比接近 1/
關(guān)鍵字：吉利 IGBT

[向寬禁帶演進(jìn)]:您能跟上寬禁帶測試要求的步伐嗎?

_____碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的新一代寬禁帶(WBG)材料的使用度正變得越來(lái)越高。在電氣方面，這些物質(zhì)比硅和其他典型半導體材料更接近絕緣體。這些物質(zhì)的采用旨在克服硅的局限性，而這些局限性源自其是一種窄禁帶材料，所以會(huì )引發(fā)不良的導電性泄漏，且會(huì )隨著(zhù)溫度、電壓或頻率的提高而變得更加明顯。這種泄漏的邏輯極限是不可控的導電率，相當于半導體運行失效。在這兩種寬禁帶材料中，GaN主要適合中低檔功率實(shí)現方案，大約在1 kV和100 A以下。GaN的一個(gè)顯著(zhù)增長(cháng)領(lǐng)域是它在LED照明中的應用，而且在汽車(chē)
關(guān)鍵字： MOSFET IGBT

基于Infineon TC233LP+AIKW40N65DF5的3.3KW OBC方案

隨著(zhù)全球對環(huán)保問(wèn)題的重視，在汽車(chē)領(lǐng)域，新能源汽車(chē)肩負著(zhù)構建良好生態(tài)環(huán)境的目的和使命走在了前沿，汽車(chē)產(chǎn)業(yè)從不同技術(shù)路線(xiàn)探索環(huán)保之道。電動(dòng)汽車(chē)是新能源汽車(chē)的主要技術(shù)路線(xiàn)之一，其核心部件車(chē)載充電機（OBC）經(jīng)過(guò)幾年的發(fā)展技術(shù)日益成熟。但高效可靠，易于控制，高性?xún)r(jià)比一直是各家方案商以及零部件供應商持續追求的目標。本方案是品佳集團聯(lián)合國內高校共同設計，基于Infineon AURIX系列MCU開(kāi)發(fā)的一套OBC方案。首次采用單片MCU完成原本DSP+MCU的運算任務(wù)，功率器件采用Infineon TRENCHSTOP
關(guān)鍵字： Infineon TC233LP AIKW40N65DF5 OBC Aurix IGBT

如何通過(guò)改進(jìn)IGBT模塊布局來(lái)克服芯片縮小帶來(lái)的熱性能挑戰

尺寸和功率往往看起來(lái)像是硬幣的兩面。當你縮小尺寸時(shí)--這是我們行業(yè)中不斷強調的目標之一--你不可避免地會(huì )降低功率。但情況一定是這樣嗎？如果將我們的思維從芯片轉移到模塊設計上，就不需要拋硬幣了。在IGBT模塊中，芯片面積減小導致了熱阻抗的增加，進(jìn)而影響性能。但是，由于較小的芯片在基板上釋放了更多的空間，因此有可能利用這些新的可用空間來(lái)優(yōu)化模塊的布局。在這篇文章中，我們將探討如何調整模塊設計來(lái)改善熱性能。下篇將探討如何改善電氣性能。作為參考，我們將使用采用TRENCHSTOP? IGBT 7技術(shù)的新型1200
關(guān)鍵字：英飛凌 IGBT

一文搞懂IGBT的損耗與結溫計算

與大多數功率半導體相比，IGBT 通常需要更復雜的一組計算來(lái)確定芯片溫度。這是因為大多數 IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時(shí)包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個(gè)芯片的溫度，有必要知道每個(gè)芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數。還需要知道每個(gè)器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。本應用筆記將簡(jiǎn)單說(shuō)明如何測量功耗并計算二極管和 IGBT 芯片的溫升。損耗組成部分根據電路拓撲和工作條件，兩個(gè)芯片之間的功率損耗可能會(huì )有很大差異。IGBT 的損耗可以分解為導通損耗和開(kāi)關(guān)（開(kāi)通和關(guān)斷）損耗，而二極管損耗
關(guān)鍵字：安森美 IGBT

為什么逆導型IGBT可以用于大功率CCM模式 PFC電路

對于功率因數校正（PFC），通常使用升壓轉換器Boost拓撲結構。它可以最大限度地減少輸入電流的諧波。同時(shí)IGBT是大功率PFC應用的最佳選擇，如空調、加熱、通風(fēng)和空調（HVAC）以及熱泵。理論上，在連續導通模式（CCM）下，通過(guò)IGBT反向續流永遠不會(huì )發(fā)生。然而，在輕負載或瞬態(tài)條件下，由于升壓電感Lboost和IGBT的輸出電容Coss之間的共振，會(huì )有反向電流流過(guò)。這個(gè)諧振電流，iQN(t)是由以下公式給出的。諧振期間IGBT兩端的電壓（VCE）可以得出：當輸入電壓Vin低于輸出電壓的一半時(shí)（Vin&l
關(guān)鍵字：英飛凌 IGBT CCM模式

如何手動(dòng)計算IGBT的損耗

現今隨著(zhù)高端測試儀器和仿真軟件的普及，大部分的損耗計算都可以使用工具自動(dòng)完成，節省了不少精力，不得不說(shuō)這對工程師來(lái)說(shuō)是一種解放，但是這些工具就像黑盒子，好學(xué)的小伙伴總想知道工作機理。其實(shí)基礎都是大家學(xué)過(guò)的基本高等數學(xué)知識。今天作者就幫大家打開(kāi)這個(gè)黑盒子，詳細介紹一下IGBT損耗計算方法同時(shí)一起復習一下高等數學(xué)知識。我們先來(lái)看一個(gè)IGBT的完整工作波形：IGBT的損耗可以分為開(kāi)關(guān)損耗和導通損耗，其中開(kāi)關(guān)損耗又分為開(kāi)通和關(guān)斷兩部分，下面我分別來(lái)看一下各部分的計算推導過(guò)程。開(kāi)關(guān)損耗-開(kāi)通部分我們先來(lái)看一下理想的
關(guān)鍵字：英飛凌 IGBT

功率器件：新能源產(chǎn)業(yè)的“芯”臟

功率半導體器件，也稱(chēng)為電力電子器件，主要用于電力設備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件。逆變（直流轉換成交流）、整流（交流轉換成直流）、斬波（直流升降壓）、變頻（交流之間轉換）是基本的電能轉換方式。MOSFET 和 IGBT 是主流的功率分立器件。一新能源汽車(chē)是功率器件增量需求主要來(lái)源01 下游應用領(lǐng)域廣泛，新能源汽車(chē)為主作為電能轉化和電路控制的核心器件，功率器件下游應用十分廣泛，包括新能源（風(fēng)電、光伏、儲能和電動(dòng)汽車(chē)）、消費電子、智能電網(wǎng)、軌道交通等，根據每個(gè)細分領(lǐng)域性能要求
關(guān)鍵字：功率器件 IGBT MOSFET 國產(chǎn)替代

瑞薩電子推出新型柵極驅動(dòng)IC 用于驅動(dòng)EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET

全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）近日宣布，推出一款全新柵極驅動(dòng)IC——RAJ2930004AGM，用于驅動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。柵極驅動(dòng)IC作為電動(dòng)汽車(chē)逆變器的重要組成部分，在逆變器控制MCU，及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們在低壓域接收來(lái)自MCU的控制信號，并將這些信號傳遞至高壓域，快速開(kāi)啟和關(guān)閉功率器件。為適應電動(dòng)車(chē)輛電池的更高電壓，RAJ2930004AGM內置3.75kV
關(guān)鍵字：瑞薩柵極驅動(dòng)IC EV逆變器 IGBT SiC MOSFET

IGBT模塊中不同金屬化方法覆銅氮化鋁陶瓷基板的可靠性研究

針對氮化鋁陶瓷基板的IGBT應用展開(kāi)分析，著(zhù)重對不同金屬化方法制備的覆銅AlN基板進(jìn)行可靠性進(jìn)行研究。通過(guò)對比厚膜法、薄膜法、直接覆銅法和活性金屬釬焊法金屬化AlN基板的剝離強度、熱循環(huán)、功率循環(huán)，分析結果可知，活性金屬釬焊法制備的AlN覆銅基板優(yōu)于其他工藝基板，剝離強度25 MPa，（-40 ~150）℃熱循環(huán)達到1 500次，能耐1 200 A/3.3 kV功率循環(huán)測試7萬(wàn)次，滿(mǎn)足IGBT模塊對陶瓷基板可靠性需求。
關(guān)鍵字： IGBT AlN陶瓷基板金屬化可靠性應用 202212

一文讀懂功率半導體

功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換等。凡是在擁有電流電壓以及相位轉換的電路系統中，都會(huì )用到功率器件，MOSFET、IGBT主要作用在于將發(fā)電設備產(chǎn)生的電壓和頻率雜亂不一的“粗電”通過(guò)一系列的轉換調制變成擁有特定電能參數的“精電”、供給需求不一的用電終端，為電子電力變化裝置的核心器件之一。在分立器件發(fā)展過(guò)程中，20世紀50年代，功率二極管、功率三極管面世并應用于工業(yè)和電力系統。20世紀60至70年代，晶閘管等半導體功率器件快速發(fā)展。20世紀70年代
關(guān)鍵字：功率半導體 MOSFET IGBT

10分鐘狂充80%電量！東風(fēng)碳化硅功率模塊明年量產(chǎn)裝車(chē)

近日消息，從東風(fēng)汽車(chē)官方獲悉，東風(fēng)碳化硅功率模塊項目課題已經(jīng)順利完成，將于2023年搭載東風(fēng)自主新能源乘用車(chē)，實(shí)現量產(chǎn)。IGBT行業(yè)的門(mén)檻非常高，除了芯片的設計和生產(chǎn)，IGBT模塊封裝測試的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節同樣有著(zhù)非常高的技術(shù)要求和工藝要求，作為IGBT模塊的升級產(chǎn)品、第三代半導體，碳化硅功率模塊有著(zhù)更低損耗、更高效率、更耐高溫和高電壓的特性。該模塊能推動(dòng)新能源汽車(chē)電氣架構從400V到800V的迭代，從而實(shí)現10分鐘充電80%，并進(jìn)一步提升車(chē)輛續航里程，降低整車(chē)成本。同時(shí)，總投資2.8億元的功率模塊二期項
關(guān)鍵字：東風(fēng) 碳化硅功率模塊 IGBT

吉利也要自制IGBT功率模塊，一期年產(chǎn)60萬(wàn)套

吉利招標平臺發(fā)布了一則《晶能微電子一期工廠(chǎng)改造項目監理工程招標公告》。該公告指向，吉利加入IGBT封裝的自制隊伍。從開(kāi)發(fā)走向制造晶能微電子一期工廠(chǎng)改造項目租賃樂(lè )坤產(chǎn)業(yè)園 A-3 的314單元約 5000 平萬(wàn)米，建設年產(chǎn)60萬(wàn)套IGBT 功率模塊的一期工廠(chǎng)，主要包括 3000 平方米的萬(wàn)級潔凈室及實(shí)驗室，1000平方米的動(dòng)力站，1000 平方米的倉庫及辦公區。本項目位于杭州市余杭區錢(qián)江經(jīng)濟開(kāi)發(fā)區，杭州錢(qián)江經(jīng)濟開(kāi)發(fā)區于2006年3月6日經(jīng)浙江省人民政府批準設立，是余杭區五大“產(chǎn)業(yè)平臺”之一，是連接杭州城東智
關(guān)鍵字： IGBT 功率模塊吉利

半導體周期調整IGBT走強，頭部公司訂單飽滿(mǎn)紛紛擴產(chǎn)

半導體周期雖然出現階段性調整，但受益于新能源汽車(chē)、新能源發(fā)電等需求推動(dòng)，以IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）為代表的功率器件強勢增長(cháng)，相關(guān)IGBT公司訂單量飽滿(mǎn)，產(chǎn)能供不應求。車(chē)規級IGBT持續放量作為IGBT龍頭，斯達半導今年前三季度實(shí)現凈利潤達到5.9億元，同比增長(cháng)1.21倍，增速超過(guò)營(yíng)業(yè)收入，銷(xiāo)售毛利率達到41.07%，環(huán)比提升。在12月5日斯達半導三季度業(yè)績(jì)說(shuō)明會(huì )上，公司高管介紹，近幾個(gè)季度營(yíng)收增長(cháng)主要驅動(dòng)力來(lái)自公司產(chǎn)品在新能源汽車(chē)、光伏、儲能、風(fēng)電等行業(yè)持續快速放量，市場(chǎng)份額不斷提高；隨著(zhù)規?；?/li>
關(guān)鍵字：半導體 IGBT