絕緣柵雙極管(igbt) 文章進(jìn)入絕緣柵雙極管(igbt)技術(shù)社區

onsemi NCD57000 IGBT MOSFET 驅動(dòng)IC 應用于工業(yè)馬達控制器

1.方案介紹:NCD57000 是一種具有內部電流隔離的高電流單通道驅動(dòng)器，專(zhuān)為高功率應用的高系統效率和高可靠性而設計。其特性包括互補的輸入端（IN+ 和 IN-）、漏極開(kāi)路或故障偵測功能、有源米勒箝位功能、也配備了精確的 UVLO和DESAT保護能力(Programmable Delay) ，其中DESAT 時(shí)的軟關(guān)斷以及獨立的高低驅動(dòng)器輸出（OUTH 和 OUTL）皆可用以方便系統設計及開(kāi)發(fā)。 NCD57000 可在輸入側提供 5
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具有反向阻斷功能的新型 IGBT

新型 IGBT 已開(kāi)發(fā)出來(lái)，具有反向阻斷能力。各種應用都需要此功能，例如電流源逆變器、諧振電路、雙向開(kāi)關(guān)或矩陣轉換器。本文介紹了單片芯片的技術(shù)及其運行行為，并通過(guò)典型電路中的個(gè)樣本進(jìn)行了測量。新型 IGBT 已開(kāi)發(fā)出來(lái)，具有反向阻斷能力。各種應用都需要此功能，例如電流源逆變器、諧振電路、雙向開(kāi)關(guān)或矩陣轉換器。本文介紹了單片芯片的技術(shù)及其運行行為，并通過(guò)典型電路中的個(gè)樣本進(jìn)行了測量。簡(jiǎn)介：應用需要具有反向阻斷能力的單向電流可控開(kāi)關(guān)的典型電路可分為：傳統電流源逆變器如圖1所示具有電流源的諧振轉換器如圖 2 所
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IGBT驅動(dòng)芯片進(jìn)入可編程時(shí)代，英飛凌新品X3有何玄機？

俗話(huà)說(shuō)，好馬配好鞍，好IGBT自然也要配備好的驅動(dòng)IC。一顆好的驅動(dòng)不僅要提供足夠的驅動(dòng)功率，最好還要有完善的保護功能，例如退飽和保護、兩電平關(guān)斷、軟關(guān)斷、欠壓保護等，為IGBT的安全運行保駕護航。然而有保護功能的驅動(dòng)芯片，大部分的參數都是固定的，或者是只能靠外圍器件進(jìn)行粗放的調節。對于退飽和保護來(lái)說(shuō)，內部電流源的電流是固定的，短路消隱時(shí)間只能靠調節外接電容大小來(lái)調整。對于兩電平關(guān)斷功能來(lái)說(shuō)，兩電平持續的時(shí)間和電位需要靠外接電容和齊納二極管來(lái)實(shí)現。而軟關(guān)斷電流及米勒鉗位電流對于某一顆芯片來(lái)說(shuō)也是固定的，無(wú)
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英飛凌擴展1200 V 62 mm IGBT7產(chǎn)品組合，推出全新電流額定值模塊

【2023年8月4日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出搭載1200 V TRENCHSTOP? IGBT7芯片的62 mm半橋和共發(fā)射極模塊產(chǎn)品組合。模塊的最大電流規格高達 800 A ，擴展了英飛凌采用成熟的62 mm 封裝設計的產(chǎn)品組合。電流輸出能力的提高為系統設計人員在設計額定電流更高方案的時(shí)候，不僅提供最大的靈活性，還提供更高的功率密度和更優(yōu)秀的電氣性能。新型模塊專(zhuān)為滿(mǎn)足集中式太陽(yáng)能逆變器以及工業(yè)電機驅動(dòng)和不間斷電源（UPS）的需求而開(kāi)發(fā)。
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干貨碼住丨深度剖析IGBT柵極驅動(dòng)注意事項

IGBT晶體管的結構要比 MOSFET 或雙極結型晶體管 (BJT) 復雜得多。它結合了這兩種器件的特點(diǎn)，并且有三個(gè)端子：一個(gè)柵極、一個(gè)集電極和一個(gè)發(fā)射極。就柵極驅動(dòng)而言，該器件的行為類(lèi)似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發(fā)射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。圖 1. IGBT的等效電路一?了解基本驅動(dòng)器圖 2. IGBT的導通電流了快速導通和關(guān)斷 BJT，必須在每個(gè)方向上硬驅動(dòng)柵極電流，以將載流子移入和移出基極區。當 MOSFET 的柵極被驅動(dòng)
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英飛凌與賽米控丹佛斯簽訂電動(dòng)汽車(chē)芯片供貨協(xié)議

英飛凌在近日表示，與賽米控丹佛斯簽署了一份多年批量供應硅基電動(dòng)汽車(chē)芯片的協(xié)議。英飛凌將為賽米控丹佛斯供應由IGBT和二極管組成的芯片組。這些芯片主要用于逆變器的功率模塊，而逆變器用于電動(dòng)汽車(chē)的主驅動(dòng)。根據協(xié)議，賽米控丹佛斯的IGBT和二極管將由英飛凌在德國德累斯頓和馬來(lái)西亞居林的工廠(chǎng)生產(chǎn)。IGBT依然緊缺根據供應鏈消息顯示，目前IGBT缺貨基本在39周以上，供需缺口已經(jīng)拉長(cháng)到50%以上，市場(chǎng)部分料號供貨周期還是維持在52周。作為行業(yè)龍頭的英飛凌，其去年IGBT訂單已處于超負荷接單狀態(tài)，整體積壓訂單金額超過(guò)
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IGBT單管數據手冊參數解析——下

IGBT是大家常用的開(kāi)關(guān)功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數據手冊，對手冊中的一些關(guān)鍵參數和圖表進(jìn)行解釋說(shuō)明，用戶(hù)可以了解各參數的背景信息，以便合理地使用IGBT。在上篇《IGBT單管數據手冊參數解析——上》中，我們介紹了IGBT的命名、最大額定值及靜態(tài)參數。今天我們介紹動(dòng)態(tài)特性、開(kāi)關(guān)特性及其它參數。4.動(dòng)態(tài)特性● 輸入電容，輸出電容和反向傳輸電容Cies，Coes和Cres輸入電容Cies，是Cres同CGE之和，是設計驅動(dòng)的一個(gè)關(guān)鍵參數。它在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期進(jìn)行充電和放電，它定
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IGBT如何選擇，你真的了解嗎？

最近，碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶半導體的應用日益增多，受到廣泛關(guān)注。然而，在這些新技術(shù)出現之前，許多高功率應用都是使用高效、可靠的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)，事實(shí)上，許多此類(lèi)應用仍然適合繼續使用 IGBT。在本文中，我們介紹 IGBT 器件的結構和運行，并列舉多種不同 IGBT 應用的電路拓撲結構，然后探討這種多用途可靠技術(shù)的新興拓撲結構。IGBT 器件結構簡(jiǎn)而言之，IGBT 是由 4 個(gè)交替層 (P-N-P-N) 組成的功率半導體晶體管，通過(guò)施加于金屬氧化物半導體 (MOS
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國產(chǎn)IGBT，迎來(lái)大豐收

根據 IGBT 的產(chǎn)品分類(lèi)來(lái)看，按照其封裝形式的不同，可分為 IGBT 分立器件、IPM 模塊和 IGBT 模塊。IGBT 分立器件主要應用在小功率的家用電器、分布式光伏逆變器；IPM 模塊應用于變頻空調、變頻洗衣機等白色家電產(chǎn)品；而 IGBT 模塊應用于大功率變頻器、新能源車(chē)、集中式光伏等領(lǐng)域。根據工作環(huán)境的電壓不同，IGBT 可以分為低壓（600V 以下）、中壓（600V－1200V）、高壓（1700V－6500V）。一般低壓 IGBT 常用于變頻白色家電、新能源汽車(chē)零部件等領(lǐng)域；中壓 IGBT 常用
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Nexperia推出新款600V單管IGBT，可在電源應用中實(shí)現出色效率

為功率電子設計人員提供帶有全額快速恢復二極管的穩健型175℃標準IGBT。
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深度剖析IGBT柵極驅動(dòng)注意事項

IGBT晶體管的結構要比 MOSFET 或雙極結型晶體管 (BJT) 復雜得多。它結合了這兩種器件的特點(diǎn)，并且有三個(gè)端子：一個(gè)柵極、一個(gè)集電極和一個(gè)發(fā)射極。就柵極驅動(dòng)而言，該器件的行為類(lèi)似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發(fā)射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。圖 1. IGBT的等效電路圖 2. IGBT的導通電流為了快速導通和關(guān)斷 BJT，必須在每個(gè)方向上硬驅動(dòng)柵極電流，以將載流子移入和移出基極區。當 MOSFET 的柵極被驅動(dòng)為高電平時(shí)，會(huì )存在一個(gè)從雙
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了解這些就可以搞懂 IGBT

絕緣柵雙極晶體管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種三端功率半導體器件，主要用作電子開(kāi)關(guān)，在較新的器件中以結合高效和快速開(kāi)關(guān)而聞名。IGBT通過(guò)在單個(gè)器件中組合用于控制輸入的隔離柵極FET和作為開(kāi)關(guān)的雙極功率晶體管，將MOSFET的簡(jiǎn)單柵極驅動(dòng)特性與雙極晶體管的高電流和低飽和電壓能力相結合。IGBT用于中到大功率應用，如開(kāi)關(guān)電源、牽引電機控制和感應加熱。圖1. IGBT 電路圖符號01 IGBT特點(diǎn)IGBT具有柵極、集電極、發(fā)射極3個(gè)引腳。柵極與MOSF
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1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7單管性能分析及其在T型三電平拓撲中的應用

英飛凌TRENCHSTOP? IGBT7系列單管具有兩種電壓等級（650V&1200V）和三個(gè)系列（T7，S7，H7）。其中，H7系列單管針對光儲、UPS、EV charger、焊機等應用進(jìn)行了專(zhuān)門(mén)的優(yōu)化，并配備了全電流EC7 rapid二極管。憑借極低的開(kāi)關(guān)損耗、導通損耗和豐富的產(chǎn)品系列，H7單管正在成為光伏和儲能應用的新星。產(chǎn)品特點(diǎn)● 按照應用需求去定義產(chǎn)品，去掉短路能力從而獲得更低的開(kāi)關(guān)損耗和導通損耗，如圖1所示。完美適配于不需要短路能力的光儲等應用?！?nbsp; 1200V
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針對電動(dòng)馬達控制，在指定絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 時(shí)的考慮

針對所有的應用，人們越來(lái)越注意電動(dòng)馬達的運作效率；因此，對高效率驅動(dòng)器的需求變得日益重要。此外，使用馬達驅動(dòng)的設計，例如電動(dòng)馬達、泵和風(fēng)扇，需要降低整體成本，且需要減低這些電動(dòng)馬達應用中的能耗；因此，為電動(dòng)馬達及其的驅動(dòng)指定高效率的設計，以適合每項特定應用變得更加重要。面對今日要求更高的電壓或更高的電流以及更低頻率的電動(dòng)馬達驅動(dòng)應用，廣為人知且被廣泛使用的開(kāi)關(guān)組件解決方案絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 即是一項絕佳的選擇。因為多數馬達在較低頻率運作，要求可靠的安全工作區（SOA）和短路額定值，且需要將效率
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投身車(chē)電領(lǐng)域的入門(mén)課：IGBT和SiC功率模塊

2020 年初，疫情期間的封鎖政策并未對電動(dòng)汽車(chē)行業(yè)造成太大影響。2021 年，由于疫情期間人們對電動(dòng)汽車(chē)的需求上升，再加上全球各國政府紛紛采取激勵措施，電動(dòng)汽車(chē)充電站的需求量開(kāi)始增加。在過(guò)去的三年里，電動(dòng)車(chē)領(lǐng)導品牌的銷(xiāo)量紛紛呈現巨幅成長(cháng)的趨勢。低成本、低排放汽車(chē)的不斷發(fā)展，將推動(dòng)整個(gè)亞太地區的電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)實(shí)現穩步擴張。同時(shí)，不斷加碼的政府激勵措施和持續擴張的高性能車(chē)市場(chǎng)也推動(dòng)著(zhù)北美和歐洲地區電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的快速增長(cháng)。因此，根據MarketsandMarkets 市調數據估計，全球電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)規模將從 2
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