吉利科技旗下晶能微電子自研首款車(chē)規級 IGBT 產(chǎn)品成功流片

IT之家 3 月 16 日消息，吉利科技旗下浙江晶能微電子近期宣布，其自主設計研發(fā)的首款車(chē)規級 IGBT 產(chǎn)品成功流片。新款芯片各項參數均達到設計要求。

晶能自主研發(fā) IGBT 流片晶圓

該款 IGBT 芯片采用第七代微溝槽柵和場(chǎng)截止技術(shù)，通過(guò)優(yōu)化表面結構和 FS 結構，兼具短路耐受同時(shí)實(shí)現更低的導通 / 開(kāi)關(guān)損耗，功率密度增大約 35%，綜合性能指標達到行業(yè)領(lǐng)先水平。晶能與晶圓代工廠(chǎng)深度綁定，采用工藝共創(chuàng )方式持續提升芯片性能。

晶能表示，一輛典型的新能源汽車(chē)芯片用量超過(guò) 1200 顆。功率半導體占比接近 1/4。公司將圍繞動(dòng)力總成系統中的開(kāi)發(fā)需求，不斷研制性能優(yōu)越的芯片和模塊產(chǎn)品。

晶能自主研發(fā) IGBT HP Drive 模塊

IGBT 是現代電力電子中的主導型器件，被譽(yù)為電力電子行業(yè)里的 CPU。近期，也有行業(yè)開(kāi)發(fā)者討論將 Si IGBT 和 SiC MOS 封裝在一起，形成混合并聯(lián)模塊的解決方案。未來(lái)，功率芯片和模塊的創(chuàng )新應用場(chǎng)景會(huì )更加豐富。

晶能微電子是吉利科技集團孵化的功率半導體公司，聚焦于 Si IGBT&SiC MOS 的研制與創(chuàng )新，發(fā)揮“芯片設計 + 模塊制造 + 車(chē)規認證”的綜合能力，為新能源汽車(chē)、電動(dòng)摩托車(chē)、光伏、儲能、新能源船舶等客戶(hù)提供性能優(yōu)越的功率產(chǎn)品和服務(wù)。

IT之家注：

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件，兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（Giant Transistor，GTR）的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR 飽和壓降低，載流密度大，但驅動(dòng)電流較大；MOSFET 驅動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT 綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為 600V 及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

IGBT 是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱(chēng)電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車(chē)與新能源裝備等領(lǐng)域應用極廣。

IGBT 模塊是由 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與 FWD（續流二極管芯片）通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產(chǎn)品；封裝后的 IGBT 模塊直接應用于變頻器、UPS 不間斷電源等設備上。

IGBT 模塊具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點(diǎn)；當前市場(chǎng)上銷(xiāo)售的多為此類(lèi)模塊化產(chǎn)品，一般所說(shuō)的 IGBT 也指 IGBT 模塊；隨著(zhù)節能環(huán)保等理念的推進(jìn)，此類(lèi)產(chǎn)品在市場(chǎng)上將越來(lái)越多見(jiàn)。