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絕緣柵雙極管(igbt)
絕緣柵雙極管(igbt) 文章 進(jìn)入絕緣柵雙極管(igbt)技術(shù)社區
使用碳化硅MOSFET提升工業(yè)驅動(dòng)器的能源效率
- 本文將強調出無(wú)論就能源效率、散熱片尺寸或節省成本方面來(lái)看,工業(yè)傳動(dòng)不用硅基(Si)絕緣柵雙極電晶體(IGBT)而改用碳化硅MOSFET有哪些優(yōu)點(diǎn)。摘要由于電動(dòng)馬達佔工業(yè)大部分的耗電量,工業(yè)傳動(dòng)的能源效率成為一大關(guān)鍵挑戰。因此,半導體製造商必須花費大量心神,來(lái)強化轉換器階段所使用功率元件之效能。意法半導體(ST)最新的碳化硅金屬氧化物半導體場(chǎng)效電晶體(SiC MOSFET)技術(shù),為電力切換領(lǐng)域立下全新的效能標準。1.導言目前工業(yè)傳動(dòng)通常採用一般所熟知的硅基IGBT反相器(inverter),但最近開(kāi)發(fā)的碳化
- 關(guān)鍵字： MOSEFT FWD ST IGBT
東芝推出600V小型智能功率器件，助力降低電機功率損耗
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）今日宣布，推出型號為“TPD4162F”的高壓智能功率器件（IPD）。該器件采用小型表面貼裝封裝，設計用于空調、空氣凈化器和泵等產(chǎn)品中的電機驅動(dòng)。并計劃于今日開(kāi)始出貨。TPD4162F采用新工藝制造，與東芝當前的IPD產(chǎn)品TPD4152F相比可降低功率損耗約10%[1]。這有助于為集成該器件的設備降低總體功率損耗。TPD4162F具有各種控制電路[2]、輸出級安裝了IGBT和FRD。其支持從霍爾傳感器或者霍爾IC直接驅動(dòng)帶方波輸入信號的無(wú)刷直流電機，無(wú)需PWM控制
- 關(guān)鍵字： IPD IGBT IC
東芝面向中大電流IGBT／MOSFET 推出內置保護功能的光耦
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）近日宣布，推出“TLP5231”，這是一款面向中大電流絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）和MOSFET的預驅動(dòng)光耦，適用于工業(yè)逆變器和光伏（PV）的功率調節系統。這款全新的預驅動(dòng)光耦內置多種功能[1]，其中包括通過(guò)監控集電極電壓實(shí)現過(guò)流檢測。產(chǎn)品于今日起開(kāi)始出貨。新型預驅動(dòng)光耦使用外部P溝道和N溝道互補的MOSFET作為緩沖器，來(lái)控制中大電流IGBT和MOSFET。目前現有產(chǎn)品[2]需要使用雙極型晶體管構成的緩沖電路來(lái)實(shí)現電流放大，這會(huì )在工作中消耗基極電流。新產(chǎn)品能夠
- 關(guān)鍵字： IGBT MOSEFT
Power Integrations出爐簡(jiǎn)單易用的SCALE-2即插即用型門(mén)極驅動(dòng)器，適用于壓接式IGBT模塊
- 中高壓逆變器應用領(lǐng)域門(mén)極驅動(dòng)器技術(shù)的創(chuàng )新者Power Integrations近日推出1SP0351?SCALE-2?單通道+15/-10V即插即用型門(mén)極驅動(dòng)器，新產(chǎn)品專(zhuān)為東芝、Westcode和ABB等廠(chǎng)商的新款4500V壓接式IGBT (PPI)模塊而開(kāi)發(fā)。新的門(mén)極驅動(dòng)器基于Power Integrations廣泛使用的SCALE-2芯片組設計而成，非常適合HVDC VSC、STATCOM/FACTS和MVD等高可靠性應用。1SP0351驅動(dòng)器裝備了動(dòng)態(tài)高級有源鉗位功能(DAAC)、短路保護
- 關(guān)鍵字： 門(mén)極驅動(dòng)器 IGBT
工業(yè)電機用功率半導體的動(dòng)向
- Steven?Shackell? （安森美半導體?工業(yè)業(yè)務(wù)拓展經(jīng)理）摘? 要：電動(dòng)工具用電機正從有刷直流(BDC)轉向無(wú)刷直流(BLDC)電機；工業(yè)電機需要更高能效的電機，同時(shí) 需要強固和高質(zhì)量。安森美以領(lǐng)先的MOSFET、IPM和新的TM-PIM系列賦能和應對這些轉變帶來(lái)的商機。 關(guān)鍵詞：電機；電動(dòng)工具；MOSFET；工業(yè)；IGBT；IPM安森美半導體提供全面的電機產(chǎn)品系列，尤其是功 率半導體方面。安森美半導體因來(lái)自所有電機類(lèi)型的 商機感到興奮，并非?？春脽o(wú)刷直流電機(BLDC)應用 （例如電動(dòng)工具），
- 關(guān)鍵字： 202003 電機 電動(dòng)工具 MOSFET 工業(yè) IGBT IPM
關(guān)于半橋電路中抗dv/dt噪聲干擾的安全工作區分析及其解決方案
- 王定良（電子科技大學(xué) 電子科學(xué)與工程學(xué)院，四川 成都 610054） 摘? 要：作為電機驅動(dòng)電路的智能功率模塊（IPM）正變得越來(lái)越重要，但是越來(lái)越快的開(kāi)關(guān)速度，可能會(huì )引起IPM模塊中的IGBT的誤觸發(fā)。另外，過(guò)高的dV/dt也會(huì )在IGBT關(guān)斷狀態(tài)下產(chǎn)生雪崩擊穿。本文結合半橋電路的寄生參數模型，完善傳統公式的推導?；趯脚cIGBT擎住現象的分析，并結合IGBT的安全工作區提出了一種根據dv/dt的大小來(lái)動(dòng)態(tài)擴展IGBT安全工作區的電路結構，改善了傳統半橋電路工作時(shí)的可靠性?！ ￡P(guān)鍵詞：IGBT；
- 關(guān)鍵字： 202002 IGBT 誤觸發(fā) dV/dt 可靠性
東芝面向電壓諧振電路推出新款分立IGBT，有助于降低功耗并簡(jiǎn)化設備設計
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）近日宣布，推出“GT20N135SRA”，這是一款用于桌面電磁爐、電飯煲、微波爐等家用電器電壓諧振電路的1350V分立IGBT。該產(chǎn)品于今日起開(kāi)始出貨。?GT20N135SRA產(chǎn)品圖GT20N135SRA的集電極-發(fā)射極的飽和電壓[1]為1.75V，二極管正向電壓[2]為1.8V，分別比東芝當前產(chǎn)品[3]低10%和21%。IGBT和二極管都針對高溫（TC=100℃）條件下的導通損耗特性進(jìn)行了改進(jìn)，而且新款I(lǐng)GBT還有助于降低設備功耗。該產(chǎn)品的結殼熱阻為0
- 關(guān)鍵字： IGBT 分立
CISSOID與國芯科技簽署戰略合作協(xié)議
- 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領(lǐng)導者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國IGBT技術(shù)創(chuàng )新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學(xué)術(shù)論壇上，公司與湖南國芯半導體科技有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“國芯科技”）簽署了戰略合作協(xié)議，將攜手開(kāi)展寬禁帶功率技術(shù)的研究開(kāi)發(fā)，充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，并推動(dòng)其在眾多領(lǐng)域實(shí)現廣泛應用。近年來(lái)，寬禁帶半導體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優(yōu)勢，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車(chē)、智能家電、通信等領(lǐng)域開(kāi)始逐漸取代傳統硅器件。然而，在各類(lèi)應用中
- 關(guān)鍵字： IGBT SiC GaN
同類(lèi)最佳的超級結MOSFET和 具成本優(yōu)勢的IGBT用于電動(dòng)汽車(chē)充電樁
- 插電式混合動(dòng)力/電動(dòng)汽車(chē)(xEV)包含一個(gè)高壓電池子系統，可采用內置的車(chē)載充電器(OBC)或外部的充電樁進(jìn)行充電。充電(應用)要求在高溫環(huán)境下具有高電壓、高電流和高性能，開(kāi)發(fā)高能效、高性能、具豐富保護功能的充電樁對于實(shí)現以盡可能短的充電時(shí)間續航更遠的里程至關(guān)重要。常用的半導體器件有IGBT、超結MOSFET和碳化硅(SiC)。安森美半導體為電動(dòng)汽車(chē)OBC和直流充電樁提供完整的系統方案，包括通過(guò)AEC車(chē)規認證的超級結MOSFET、IGBT、門(mén)極驅動(dòng)器、碳化硅(SiC)器件、電壓檢測、控制產(chǎn)品乃至電源模塊等，
- 關(guān)鍵字： 超級結MOSFET IGBT 充電樁
隔離式柵極驅動(dòng)器的重要特性
- Thomas?Brand（ADI慕尼黑公司?現場(chǎng)應用工程師） 摘?要：探討了IGBT隔離式柵極驅動(dòng)器的重要特性?！ ￡P(guān)鍵詞：IGBT；隔離式；柵極驅動(dòng)器 在功率電子（例如驅動(dòng)技術(shù)）中，IGBT經(jīng)常用作高電壓和高電流開(kāi)關(guān)。這些功率晶體管由電壓控制，其主要損耗產(chǎn)生于開(kāi)關(guān)期間。為了最大程度減小開(kāi)關(guān)損耗，要求具備較短的開(kāi)關(guān)時(shí)間。然而，快速開(kāi)關(guān)同時(shí)隱含著(zhù)高壓瞬變的危險，這可能會(huì )影響甚至損壞處理器邏輯。因此，為IGBT提供合適柵極信號的柵極驅動(dòng)器，還執行提供短路保護并影響開(kāi)關(guān)速度的功能。然而，在選擇柵極驅動(dòng)器
- 關(guān)鍵字： 201909 IGBT 隔離式 柵極驅動(dòng)器
向小功率和大功率延伸 三菱電機五大新品看點(diǎn)
- 在產(chǎn)業(yè)電子化升級過(guò)程中，作為電子產(chǎn)品的基礎元器件之一的功率半導體器件越來(lái)越得到重視與應用。而中國作為需求大國，已經(jīng)占有約39％的市場(chǎng)份額，在中國制造業(yè)轉型升級的關(guān)鍵時(shí)期，對功率半導體器件的需求將會(huì )越來(lái)越大。自上世紀80年代起，功率半導體器件MOSFET、IGBT和功率集成電路逐步成為了主流應用類(lèi)型。其中IGBT經(jīng)歷了器件縱向結構、柵極結構以及硅片加工工藝等7次技術(shù)演進(jìn)，目前可承受電壓能力達到6500V，并且實(shí)現了高功率密度化。在此背景下，6月26-28日，PCIM亞洲展2019將在在上海世博展覽館舉行，三
- 關(guān)鍵字： 三菱電機 PCIM亞洲展 IGBT
IGBT場(chǎng)效應管的工作原理及檢測方法
- IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又稱(chēng)絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,因此,可以把其看作是MOS輸入的達林頓管。它融合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)，具備易于驅動(dòng)、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開(kāi)關(guān)頻率高 (10-40 kHz) 等特點(diǎn)，已逐步取代晶閘管和GTO（門(mén)極可關(guān)斷晶閘管），是目前發(fā)展最為迅速的新一代電
- 關(guān)鍵字： IGBT 場(chǎng)效應管
更換老化的柵極驅動(dòng)光電耦合器
- 電機用于電梯、食品加工設備、工廠(chǎng)自動(dòng)化、機器人、起重機……這樣的例子不勝枚舉。交流感應電機在這種應用中很常見(jiàn)，且總是通過(guò)用于電源級的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）來(lái)實(shí)現驅動(dòng)。典型的總線(xiàn)電壓為200 VDC至1,000 VDC。IGBT采用電子換向，以實(shí)現交流感應電機所需的正弦電流。在設計電機驅動(dòng)器時(shí)，保護操作重型機械的人員免受電擊是首要考慮因素，其次應考慮效率、尺寸和成本因素。雖然IGBT可處理驅動(dòng)電機所需的高電壓和電流，但它們不提供防止電擊的安全隔離。在系統中提供安全隔離的重要任務(wù)由驅動(dòng)IGBT的柵極驅動(dòng)
- 關(guān)鍵字： 電機 IGBT
安森美半導體基于SiC的混合IGBT 和隔離型大電流IGBT門(mén)極驅動(dòng)器將在歐洲PCIM 2019推出
- 2019年4月30日 — 推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，將于5月7日開(kāi)始的德國紐倫堡歐洲PCIM 2019展會(huì )推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相關(guān)的隔離型大電流IGBT門(mén)極驅動(dòng)器。AFGHL50T65SQDC采用最新的場(chǎng)截止IGBT和SiC肖特基二極管技術(shù)，提供低導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，用于多方面的電源應用，包括那些將得益于更低反向恢復損耗的應用，如基于圖騰柱的無(wú)橋功率因數校正(PFC)和逆變器。該器件將硅基IGBT與SiC肖特基勢壘
- 關(guān)鍵字： 安森美半導體 IGBT SiC肖特基二極管技術(shù)
絕緣柵雙極管(igbt)介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條絕緣柵雙極管(igbt)!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對絕緣柵雙極管(igbt)的理解，并與今后在此搜索絕緣柵雙極管(igbt)的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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