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絕緣柵雙極管(igbt)
絕緣柵雙極管(igbt) 文章 進(jìn)入絕緣柵雙極管(igbt)技術(shù)社區
現代IGBT/MOSFET柵極驅動(dòng)器提供隔離功能的最大功率限制
- Maximum power limit for withstanding insulation capabilities of modern IGBT/MOSFETgate drivers? ? ? ?作者/Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司（德國 慕尼黑） 摘要：通過(guò)故意損壞IGBT/MOSFET功率開(kāi)關(guān)來(lái)研究柵極驅動(dòng)器隔離柵的耐受性能?！ ￡P(guān)鍵詞：IGBT; MOSFET; 柵極驅動(dòng)器；耐受性；隔離? ? &nb
- 關(guān)鍵字： 201905 IGBT MOSFET 柵極驅動(dòng)器 耐受性 隔離
意法半導體的先進(jìn)IGBT專(zhuān)為軟開(kāi)關(guān)優(yōu)化設計 可提高家電感應加熱效率
- 意法半導體的STGWA40IH65DF和STGWA50IH65DF 650V STPOWER?IGBT兩款產(chǎn)品能夠在軟開(kāi)關(guān)電路中實(shí)現最佳的導通和開(kāi)關(guān)性能，提高諧振轉換器在16kHz-60kHz開(kāi)關(guān)頻率范圍內的能效?！ ⌒翴H系列器件屬于意法半導體針對軟開(kāi)關(guān)應用專(zhuān)門(mén)優(yōu)化的溝柵式場(chǎng)截止(TFS) IGBT產(chǎn)品家族，適用于電磁爐等家電以及軟開(kāi)關(guān)應用的半橋電路，現在產(chǎn)品設計人員可以選用這些IGBT，來(lái)達到更高的能效等級。除新的IH系列外，意法半導體的軟開(kāi)關(guān)用溝柵式場(chǎng)截止(TFS) IGBT系列產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 IGBT
變頻器中IGBT爆炸原因分析，深入透徹！
- IGBT是電力電子裝置的CPU，在電力電子變流和控制中起著(zhù)舉足輕重的作用。變頻器中，IGBT模塊更為重要。但是，IGBT模塊會(huì )經(jīng)常出現爆炸的情況。下面，小編就結合案例具體分析一下?！ 《x 一、IGBT爆炸：因為某些原因，模塊的損耗十分巨大，熱量散不出去，導致內部溫度極高，產(chǎn)生氣體，沖破殼體，這就是所謂的IGBT爆炸?！ 《? IGBT爆炸原因分析 1.爆炸的本質(zhì)是發(fā)熱功率超過(guò)散熱功率，內部原因應該就是過(guò)熱?！ ?.人為因素 (1)進(jìn)線(xiàn)接在出線(xiàn)的端子上(2)變頻器接錯電源(3)沒(méi)按要求接負載3.常
- 關(guān)鍵字： IGBT，變頻器
集邦咨詢(xún)：需求持續擴張，2019年中國功率半導體市場(chǎng)規模逾2,900億元
- Mar. 7, 2019 ---- 全球市場(chǎng)研究機構集邦咨詢(xún)在最新《中國半導體產(chǎn)業(yè)深度分析報告》中指出，受益于新能源汽車(chē)、工業(yè)控制等終端市場(chǎng)需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續缺貨和漲價(jià)，帶動(dòng)了2018年中國功率半導體市場(chǎng)規模大幅成長(cháng)12.76%至2,591億元人民幣。其中功率分立器件市場(chǎng)規模為1,874億元人民幣，較2017年同比成長(cháng)14.7%;電源管理IC市場(chǎng)規模為717億元人民幣，較2017年同比增長(cháng)8%?！ 〖钭稍?xún)分析師謝瑞峰指出，功率半導體作為需求驅動(dòng)型的產(chǎn)業(yè)，2019年
- 關(guān)鍵字： IGBT SiC
關(guān)于工業(yè)電機驅動(dòng)的IGBT，你想知道的都在這里
- 摘要 ：工業(yè)電機驅動(dòng)的整個(gè)市場(chǎng)趨勢是對更高效率以及可靠性和穩定性的要求不斷提高。功率半導體器件制造商不斷在導通損耗和開(kāi)關(guān)時(shí)間上尋求突破。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導通損耗的一些權衡取舍是：更高的短路電流電平、更小的芯片尺寸，以及更低的熱容量和短路耐受時(shí)間。這凸顯了柵極驅動(dòng)器電路以及過(guò)流檢測和保護功能的重要性。本文討論現代工業(yè)電機驅動(dòng)中成功可靠地實(shí)現短路保護的問(wèn)題?！ 」I(yè)環(huán)境中的短路：工業(yè)電機驅動(dòng)器的工作環(huán)境相對惡劣，可能出現高溫、交流線(xiàn)路瞬變、機械過(guò)載、接線(xiàn)錯誤以及其它突發(fā)情況
- 關(guān)鍵字： 工業(yè)電機 IGBT
富士電機電子元件事業(yè)本部CTO藤平龍彥博士一行蒞臨青銅劍科技考察交流
- 11月7日，富士電機株式會(huì )社電子元件事業(yè)本部CTO藤平龍彥博士一行到訪(fǎng)青銅劍科技。這是繼今年5月應用技術(shù)部部長(cháng)五十嵐征輝博士來(lái)訪(fǎng)之后，富士電機高層再次蒞臨青銅劍科技商談合作事宜，標志著(zhù)雙方合作進(jìn)入新階段。 青銅劍科技總工程師高躍博士和市場(chǎng)總監蔡雄飛對藤平龍彥博士一行的來(lái)訪(fǎng)表示熱烈歡迎，詳細介紹了公司的核心產(chǎn)品以及與富士電機的合作進(jìn)展。藤平龍彥博士對青銅劍科技最新的IGBT驅動(dòng)產(chǎn)品非常關(guān)注，仔細詢(xún)問(wèn)了產(chǎn)品的性能優(yōu)勢和應用領(lǐng)域，對青銅劍科技的研發(fā)實(shí)力表示充分肯定。會(huì )談期間，雙方對下一步的合作重點(diǎn)和計劃
- 關(guān)鍵字： 青銅劍 IGBT
推進(jìn)航天領(lǐng)域合作 l 航天科工微電院董事長(cháng)武春風(fēng)一行到訪(fǎng)青銅劍科技
- 11月8日，成都航天科工微電子系統研究院有限公司董事長(cháng)武春風(fēng)一行到訪(fǎng)青銅劍科技，董事長(cháng)汪之涵博士、總工程師高躍博士和副總裁傅俊寅陪同接待，雙方就合作事宜進(jìn)行了深入交流?！ ⊥糁┦颗阃浯猴L(fēng)一行參觀(guān)了公司展廳和研發(fā)實(shí)驗室，詳細介紹了青銅劍科技的核心產(chǎn)品、領(lǐng)先技術(shù)、應用領(lǐng)域及公司發(fā)展規劃等情況。武春風(fēng)對青銅劍科技的科技創(chuàng )新成果表示積極肯定。座談中，雙方就航天領(lǐng)域的前沿技術(shù)和熱點(diǎn)話(huà)題進(jìn)行了深入探討和討論，進(jìn)一步商談了合作細節，一致表示未來(lái)將擴展多渠道的合作?！ 『教炜乒の㈦娮酉到y研究院秉持“信息互通、資
- 關(guān)鍵字： 青銅劍 IGBT
IXYS IGBT驅動(dòng)模塊可幫助高功率系統設計，縮短設計時(shí)間，降低設計成本
- IXYS公司新推出的IXIDM1403驅動(dòng)模塊旨在為市場(chǎng)提供IGBT驅動(dòng)器件，使設計周期縮短，設計成本做到盡可能最低，并具有極高的緊湊性和最高的性能和可靠性。IXIDM1403支持雙通道大功率IGBT模塊，隔離電壓高達4000 V，開(kāi)關(guān)速度高達50 kHz，具有短路保護和電源電壓監控功能?！ XIDM1403是基于IX6610 / IX6611 / IXDN630芯片組的高壓隔離柵極驅動(dòng)模塊，它允許創(chuàng )建隔離的IGBT驅動(dòng)器，在初級側和次級側之間以及次級側驅動(dòng)器之間設置高壓隔離柵。它創(chuàng )建了一個(gè)非常靈活
- 關(guān)鍵字： IXYS IGBT
新型IGBT軟開(kāi)關(guān)在應用中的損耗
- 本文介紹了集成續流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開(kāi)關(guān)應用的1,200V逆導型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現在兩個(gè)方面：
- 關(guān)鍵字： IGBT 軟開(kāi)關(guān) 損耗
安森美半導體推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)充電樁市場(chǎng)創(chuàng )新發(fā)展
- 電動(dòng)汽車(chē)(也叫新能源汽車(chē))是指以車(chē)載電源為動(dòng)力，用電機驅動(dòng)車(chē)輪行駛，符合道路交通、安全法規各項要求的車(chē)輛由于對環(huán)境影響相對傳統汽車(chē)較小，它的前景被廣泛看好近年來(lái)在國家環(huán)保政策的激勵下，在大家對綠色低碳健康生活的憧憬下，電動(dòng)汽車(chē)正日益普及。中國是世界最大的汽車(chē)市場(chǎng)，中國新能源汽車(chē)業(yè)近年來(lái)快速發(fā)展令世界矚目。據Goldman Sachs報道，2016年中國電動(dòng)汽車(chē)占全世界電動(dòng)汽車(chē)的45%, 這一百分比到2030年可能升至60%。根據中國的“一車(chē)一樁”計劃，電動(dòng)汽車(chē)充電樁總數在2020年將達480萬(wàn)個(gè)，與現
- 關(guān)鍵字： 安森美 IGBT SiC
基于EXB841的IGBT 驅動(dòng)電路優(yōu)化設計
- 設計高性能的驅動(dòng)與保護電路是安全使用IGBT的關(guān)鍵技術(shù).日本FUJI公司的EXB841芯片是一種典型的適用于300A以下IGBT的專(zhuān)用驅動(dòng)電路，具有單電源、正負偏壓
- 關(guān)鍵字： EXB841 IGBT 驅動(dòng)電路 優(yōu)化設計
絕緣柵雙極管(igbt)介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條絕緣柵雙極管(igbt)!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對絕緣柵雙極管(igbt)的理解，并與今后在此搜索絕緣柵雙極管(igbt)的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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