絕緣柵雙極管(igbt) 文章進(jìn)入絕緣柵雙極管(igbt)技術(shù)社區

揭秘 IGBT 模塊封裝與流程

IGBT模塊是新一代的功率半導體電子元件模塊，誕生于20世紀80年代，并在90年代進(jìn)行新一輪的改革升級，通過(guò)新技術(shù)的發(fā)展，現在的IGBT模塊已經(jīng)成為集通態(tài)壓降低、開(kāi)關(guān)速度快、高電壓低損耗、大電流熱穩定性好等等眾多特點(diǎn)于一身，而這些技術(shù)特點(diǎn)正式IGBT模塊取代舊式雙極管成為電路制造中的重要電子器件的主要原因。近些年，電動(dòng)汽車(chē)的蓬勃發(fā)展帶動(dòng)了功率模塊封裝技術(shù)的更新迭代。目前電動(dòng)汽車(chē)主逆變器功率半導體技術(shù)，代表著(zhù)中等功率模塊技術(shù)的先進(jìn)水平，高可靠性、高功率密度并且要求成本競爭力是其首先需要滿(mǎn)足的要求。功率器件模
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車(chē)規級IGBT，爆火

11月25日，時(shí)代電氣發(fā)布公告稱(chēng)，公司擬對控股子公司株洲中車(chē)時(shí)代半導體有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中車(chē)時(shí)代半導體”）增資人民幣24.6億元，增資的資金用于中車(chē)時(shí)代半導體向公司購買(mǎi)汽車(chē)組件配套建設項目（包含IGBT項目）部分資產(chǎn)。天眼查顯示，近日，宜興中車(chē)時(shí)代半導體有限公司成立，注冊資本36億元。該公司由時(shí)代電氣、株洲芯連接零號企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙）共同持股，經(jīng)營(yíng)范圍包含：半導體分立器件制造；半導體分立器件銷(xiāo)售；工程和技術(shù)研究和試驗發(fā)展；貨物進(jìn)出口等。就在今年9月，時(shí)代電氣就已投資111億元加速擴產(chǎn)IGBT項
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純電動(dòng)汽車(chē)用PMSM系統堵轉設計與應用

摘要：介紹了一種純電動(dòng)汽車(chē)用永磁同步電機系統的堵轉控制包含對原理、法規要求過(guò)程分析、測試方法及策略控制應用，通過(guò)對永磁同步電機的基本工作原理變換到堵轉的工作原理及帶來(lái)的問(wèn)題的原因，通過(guò)建立堵轉策略及仿真計算開(kāi)展實(shí)施驅動(dòng)電機和IGBT的溫度保護策略，并確立目標開(kāi)展對驅動(dòng)電機和IGBT選型設計，通過(guò)仿真設計校核并通過(guò)臺架和整車(chē)實(shí)車(chē)測試驗證設計目標，驗證了系統性能，安全性高，在通過(guò)設計對整車(chē) 目標進(jìn)行校核的同時(shí)，防止過(guò)度開(kāi)發(fā)，降低了系統開(kāi)發(fā)成本。關(guān)鍵詞：PMSM；PWM；堵轉；IGBT；載頻0
關(guān)鍵字： 202211 PMSM PWM 堵轉 IGBT 載頻

新一代1700V IGBT7技術(shù)及其在電力電子系統中的應用優(yōu)勢

EconoDUAL?3是一款經(jīng)典的IGBT模塊封裝，其上一代的1700V系列產(chǎn)品已經(jīng)廣泛應用于級聯(lián)型中高壓變頻器、靜止無(wú)功發(fā)生器（SVG）和風(fēng)電變流器，覆蓋了中功率和一部分大功率的應用場(chǎng)合。隨著(zhù)芯片技術(shù)的發(fā)展和市場(chǎng)對高功率密度IGBT模塊的需求增加，英飛凌已經(jīng)基于最新的1700V IGBT7技術(shù)開(kāi)發(fā)了新一代的EconoDUAL?3模塊，并率先推出了900A和750A兩款新產(chǎn)品。本文首先分析了上一代最大電流等級600A的產(chǎn)品FF600R17ME4[1]在MVD和SVG中的典型應用，然后介紹了1700V IG
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IGBT單管數據手冊參數解析（上）

IGBT是大家常用的開(kāi)關(guān)功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數據手冊，對手冊中的一些關(guān)鍵參數和圖表進(jìn)行解釋說(shuō)明，用戶(hù)可以了解各參數的背景信息，以便合理地使用IGBT。英飛凌的IGBT數據手冊通常包含以下內容：1. 封面，包括器件編號，IGBT技術(shù)的簡(jiǎn)短描述，如果是帶共封裝續流二極管的器件，數據手冊也會(huì )包括二極管的功能，關(guān)鍵參數，應用以及基本的封裝信息。2. 最大額定電氣參數和IGBT熱阻/二極管熱阻3. 室溫下的電氣特性，包括靜態(tài)和動(dòng)態(tài)參數4. 25°C和150°C或175°C時(shí)的開(kāi)關(guān)特性5. 電氣特性
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IGBT柵極驅動(dòng)設計，關(guān)鍵元件該怎么選？

柵極驅動(dòng)中最關(guān)鍵的時(shí)刻是IGBT的開(kāi)啟和關(guān)閉。我們的目標是快速執行此功能，在IGBT開(kāi)啟時(shí)噪音和振鈴最小。不過(guò)，上升/下降時(shí)間過(guò)快可能會(huì )導致不必要的振鈴和不良EMI，而上升/下降時(shí)間過(guò)慢會(huì )增加IGBT的開(kāi)關(guān)損耗。柵極驅動(dòng)中最關(guān)鍵的時(shí)刻是IGBT的開(kāi)啟和關(guān)閉。我們的目標是快速執行此功能，在IGBT開(kāi)啟時(shí)噪音和振鈴最小。不過(guò)，上升/下降時(shí)間過(guò)快可能會(huì )導致不必要的振鈴和不良EMI，而上升/下降時(shí)間過(guò)慢會(huì )增加IGBT的開(kāi)關(guān)損耗。圖1：DGD0216 的柵極驅動(dòng)組件上圖展示的是來(lái)自Diodes的DGD0216柵極驅
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IGBT適用于ZVS 還是 ZCS？

提到軟開(kāi)關(guān)技術(shù)，大家耳熟能詳的有零電壓開(kāi)通ZVS（Zero voltage switching）和零電流關(guān)斷ZCS（Zero current switching），同時(shí)，尤其是在現在的電源產(chǎn)品中，絕大多數的采用軟開(kāi)關(guān)拓撲的電源產(chǎn)品都選擇了ZVS，而不是ZCS，所以，Si MOSFET和SiC MOSFET一直是很多同學(xué)提到ZVS時(shí)想到的主要功率器件搭檔，而不是IGBT。今天我就來(lái)嘮一嘮IGBT在軟開(kāi)關(guān)拓撲中的應用，IGBT是否能用于ZVS以及IGBT是否更適用于ZCS。長(cháng)期以來(lái)，IGBT給人的印象就如農
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如何抑制IGBT集電極過(guò)壓尖峰

在過(guò)去的文章中，我們曾經(jīng)討論過(guò)IGBT在關(guān)斷的時(shí)候，集電極會(huì )產(chǎn)生電壓過(guò)沖的問(wèn)題（回顧：IGBT集電極電壓超過(guò)額定電壓會(huì )發(fā)生什么？）。IGBT關(guān)斷時(shí)，集電極電流Ic迅速減小到0，急劇變化的di/dt流經(jīng)在系統雜散電感，產(chǎn)生感應電壓ΔV。ΔV疊加在母線(xiàn)電壓上，使IGBT承受高于平常的電壓應力。哪怕這電壓尖峰時(shí)間很短，也可能對IGBT造成永久性損壞。di/dt與IGBT芯片特性有關(guān)，也與關(guān)斷時(shí)器件電流有關(guān)。當器件在短路或者過(guò)流狀態(tài)下關(guān)斷時(shí)，集電極電壓過(guò)沖會(huì )格外大，有可能超過(guò)額定值，從而損壞IGBT。所以如何抑制
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功率半導體冷知識之二：IGBT短路時(shí)的損耗

IGBT主要用于電機驅動(dòng)和各類(lèi)變流器，IGBT的抗短路能力是系統可靠運行和安全的保障之一，短路保護可以通過(guò)串在回路中的分流電阻或退飽和檢測等多種方式實(shí)現。IGBT是允許短路的，完全有這樣的底氣，EconoDUAL?3 FF600R12ME4 600A 1200V IGBT4的數據手冊是這樣描述短路能力的，在驅動(dòng)電壓不超過(guò)15V時(shí)，短路電流典型值是2400A，只要在10us內成功關(guān)斷短路電流，器件不會(huì )損壞。IGBT的短路承受能力為短路保護贏(yíng)得時(shí)間，驅動(dòng)保護電路可以從容安全地關(guān)斷短路電流。短路能力不是免費的器
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具有故障存儲功能的數字化IGBT驅動(dòng)器的設計

摘要：針對軌道交通領(lǐng)域IGBT的使用要求，設計了一款基于可編程邏輯器件并具有故障存儲功能的數字化驅動(dòng)器。文章介紹了驅動(dòng)器總體方案，設計了多電壓軌電源系統；分析了異常驅動(dòng)信號對IGBT正常工作的危害，并通過(guò)軟件算法實(shí)現了短脈沖抑制與超頻保護；電源欠壓會(huì )導致IGBT開(kāi)關(guān)異常，使用欠壓檢測芯片進(jìn)行檢測并在發(fā)生欠壓故障時(shí)進(jìn)行脈沖封鎖；針對短路故障，使用退飽和電路檢測并結合軟件時(shí)序進(jìn)行保護；詳細分析了IGBT開(kāi)關(guān)過(guò)程各階段的不同特性，設計了可優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能的多等級開(kāi)關(guān)電路；通過(guò)存儲芯片與可編程邏輯
關(guān)鍵字： 202206 存儲數字化 IGBT 驅動(dòng)器

驅動(dòng)電機控制器IGBT驅動(dòng)電源設計與驗證

摘要：本文介紹了一種新能源電動(dòng)汽車(chē)上用驅動(dòng)電機控制器IGBT驅動(dòng)電源方案的設計分析及其驗證，通過(guò) 對基本Buck-boost拓撲研究變換到Flyback電路，通過(guò)對LTC1871電流驅動(dòng)芯片的應用設計、分析，設計反激變壓器參數目標需求匹配驅動(dòng)電路，通過(guò)PWM供電、NMOS驅動(dòng)、電流檢測、反饋輸出電壓跟蹤閉環(huán)調節，實(shí) 現滿(mǎn)足一款I(lǐng)nfineon的驅動(dòng)芯片1ED020I12芯片的驅動(dòng)電路系統，本方案通過(guò)原理設計、電路仿真及電路臺架測試，驗證了系統性能、安全性高，同時(shí)可以通過(guò)較少的外圍電路實(shí)現可靠的
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英搏爾率先采用英飛凌750 V車(chē)規級分立式IGBT EDT2組件

海英搏爾電氣股份有限公司，率先引入英飛凌科技股份有限公司最新推出750 V車(chē)規級IGBT ，包括AIKQ120N75CP2和AIKQ200N75CP2兩款型號。這款分立式IGBT EDT2組件采用TO-247PLUS封裝，可以提升電動(dòng)汽車(chē)主逆變器和直流鏈路放電開(kāi)關(guān)的性能，并節約系統成本。除此之外，它們還能夠為設計師提供更大的自由度，有助于實(shí)現系統整合。英搏爾MCU技術(shù)總監劉宏鑫表示：「英搏爾堅定不移地遵循使用分立式組件設計電機控制單元（MCU）的技術(shù)路線(xiàn)，不斷開(kāi)發(fā)出高性?xún)r(jià)比的產(chǎn)品，從而始終保持
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英搏爾率先采用英飛凌最新推出的 750 V車(chē)規級分立式IGBT EDT2器件

中國領(lǐng)先的車(chē)載逆變器供應商珠海英搏爾電氣股份有限公司率先引入了英飛凌科技股份公司（FSE代碼:IFX / OTCQX代碼: IFNNY）最新推出的750 V車(chē)規級IGBT ，包括AIKQ120N75CP2 和 AIKQ200N75CP2兩個(gè)型號。這款分立式IGBT EDT2器件采用TO-247PLUS封裝，可以提升電動(dòng)汽車(chē)主逆變器和直流鏈路放電開(kāi)關(guān)的性能，并節約系統成本。除此之外，它們還能夠為設計師提供更大的自由度，有助于實(shí)現系統集成。?? ? ? ? &
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英飛凌推出超可靠的壓接式IGBT,進(jìn)一步壯大Prime Switch系列的產(chǎn)品陣容

Infineon Technologies Bipolar GmbH & Co. KG推出具有內部續流二極管（FWD）、采用陶瓷平板封裝的全新壓接式IGBT（PPI），進(jìn)一步壯大其高功率Prime Switch系列的產(chǎn)品陣容。該PPI專(zhuān)為輸配電應用而設計，是大電流模塊化多電平轉換器（MMC）、中壓驅動(dòng)器、直流電網(wǎng)斷路器、風(fēng)電變流器和牽引系統的理想選擇。Prime Switch IGBT的阻斷電壓為4.5 kV，不帶有FWD的型號電流為3000 A，帶有FWD的型號為 2000 A。英飛凌為3000
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英飛凌推出基于1700 V TRENCHSTOP? IGBT7芯片的EconoDUAL? 3模塊,大幅提升逆變器的功率密度

英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了采用EconoDUAL? 3標準工業(yè)封裝的全新1700 V TRENCHSTOP? IGBT7模塊。憑借這項全新的芯片技術(shù)，EconoDUAL 3模塊可提供業(yè)界領(lǐng)先的900 A和750 A額定電流，進(jìn)一步拓展逆變器的功率范圍。該模塊可廣泛應用于風(fēng)電、電機驅動(dòng)和靜態(tài)無(wú)功發(fā)生器（SVG）等應用。與過(guò)去采用IGBT4芯片組的模塊相比，基于TRENCHSTOP IGBT7芯片的FF900R17ME7_B11模塊在相同的封裝尺寸下，可將逆變器的輸出電流值提高40%。全新的1700 V I
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