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絕緣柵雙極管(igbt)
絕緣柵雙極管(igbt) 文章 進(jìn)入絕緣柵雙極管(igbt)技術(shù)社區
IGBT產(chǎn)業(yè)研究:中國“芯”希望
- 2017年開(kāi)年以來(lái)有這樣一些事件進(jìn)入我們的視線(xiàn):①2月,IGBT等電力電子功率器件被列入《戰略性新興產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)產(chǎn)品和服務(wù)指導目錄》。②3月14日,捷捷微電上市,主營(yíng)晶閘管等功率半導體器件的研發(fā)生產(chǎn)和銷(xiāo)售。③5月,國家科技重大專(zhuān)項(02專(zhuān)項)實(shí)施管理辦公室驗收中環(huán)股份“區熔硅單晶片產(chǎn)業(yè)化技術(shù)與國產(chǎn)設備研制”項目。④5月17日,國電南瑞公布非公開(kāi)發(fā)行預案,募集配套中16.4億元用于IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項目。 一直以來(lái),IGBT技術(shù)被國外半導體廠(chǎng)商壟斷,截至2015年我國IGBT市
- 關(guān)鍵字： IGBT 新能源汽車(chē)
基于風(fēng)電系統單體變流器的結構應用設計
- 本文介紹了風(fēng)電變流器核心組成部分的單體變流器在機柜結構設計中空間狹小、工作環(huán)境惡劣等特點(diǎn)，本文進(jìn)行了結構設計分析。主要內容包括：?jiǎn)误w變流器的組成布局、功率器件維護、結構受力，以及可維護性等。
- 關(guān)鍵字： 風(fēng)電變流器 IGBT 退火處理
IGBT驅動(dòng)電路的作用、工作特性與使用要求
- IGBT驅動(dòng)電路的作用： IGBT驅動(dòng)電路的作用主要是將單片機脈沖輸出的功率進(jìn)行放大，以達到驅動(dòng)IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩定、安全工作的前提，驅動(dòng)電路起到至關(guān)重要的作用?！ GBT的工作特性： IGBT的等效電路及符合如圖1所示,IGBT由柵極正負電壓來(lái)控制。當加上正柵極電壓時(shí),管子導通;當加上負柵極電壓時(shí),管子關(guān)斷?！ ? ? IGBT具有和雙極型電力晶體管類(lèi)似的伏安特性,隨著(zhù)控制電壓UGE的增加,特性曲線(xiàn)上移。開(kāi)關(guān)電源中的IGBT通過(guò)UGE電平
- 關(guān)鍵字： IGBT 功率器件
Power Integrations推出緊湊、高效的SCALE-iDriver? IC產(chǎn)品系列，可支持1700 V IGBT
- 中高壓逆變器應用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅動(dòng)器技術(shù)的領(lǐng)導者今天推出SCALE-iDriver?系列電磁隔離的單通道門(mén)極驅動(dòng)IC的擴展產(chǎn)品。新器件支持耐壓為1700 V以?xún)鹊腎GBT，通常適用于400 VAC至690 VAC的應用。它們也適用于最新的三電平拓撲光伏逆變器，以及采用1500 V新直流母線(xiàn)標準的光伏陣列。擴展后的1700 V SCALE-iDriver產(chǎn)品系列允許OEM廠(chǎng)商在各類(lèi)解決方案中使用相同的高度集成、安全可靠的驅動(dòng)器方案。
- 關(guān)鍵字： Power Integrations IGBT
【E課堂】IGBT淺析，IGBT的結構與工作原理
- IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動(dòng)電流較大;MOSFET驅動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上
- 關(guān)鍵字： IGBT
提升IGBT自給率 給工業(yè)與汽車(chē)電子領(lǐng)域一顆“中國芯”
- 半導體分立器件IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)潛在市場(chǎng)巨大，在工業(yè)控制、汽車(chē)電子、新能源、智能電網(wǎng)應用市場(chǎng)廣闊，而中國IC制造芯片廠(chǎng)也正積極尋求突破口，以成熟的工藝制程落地在地生產(chǎn)，提升國產(chǎn)IGBT芯片模塊的自給率。 IGBT應用領(lǐng)域廣泛，堪稱(chēng)現代功率變流裝置的“心臟”和高端產(chǎn)業(yè)的“核芯”。從傳統的電力、機械、礦冶，到軌道交通、航空航天、新能源裝備以及特種裝備等戰略性新興產(chǎn)業(yè)，都有它的身影。 不過(guò)當前全球IGBT市場(chǎng)，仍被日、歐、美等IDM
- 關(guān)鍵字： IGBT 芯片
三菱電機第7代IGBT技術(shù)
- 為了應對補貼下降帶來(lái)的影響，市場(chǎng)對光伏組件和光伏逆變器的成本降低的需求將加強。目前來(lái)看，1500V等更高電壓的光伏組件將在成本降低方面將會(huì )很大程度上彌補支付補貼的下降。因此，隨著(zhù)市場(chǎng)的期待，諸如1500V等更高電壓的光伏組件將會(huì )加快進(jìn)入到市場(chǎng)的步伐。另外，光伏發(fā)電的效率和可靠性等要求也將相應提高，以提高光伏電站的產(chǎn)出，并降低光伏電站和光伏逆變器的維護成本。因此，新技術(shù)在光伏電站和光伏逆變器中的應用需求將不斷加強，并且將促進(jìn)光伏發(fā)電行業(yè)的良性競爭和健康發(fā)展。
- 關(guān)鍵字： 三菱電機 光伏逆變器 IGBT
“e星球”領(lǐng)先展商 系列報導——Alpha and Omega
- Alpha?and?Omega?Semiconductor?(AOS)為集設計、開(kāi)發(fā)與銷(xiāo)售為一體的功率半導體供應商,AOS提供廣泛的功率半導體產(chǎn)品線(xiàn)，包括完整的功率MOSFET和電源管理IC(Power?IC)產(chǎn)品系列。其在器件物理，工藝技術(shù)，電路設計及封裝設計上擁有豐富的經(jīng)驗。通過(guò)將這些經(jīng)驗整合用于產(chǎn)品性能以及成本控制的優(yōu)化，AOS在競爭中顯示出自身的特色。AOS的產(chǎn)品線(xiàn)設計的目標是滿(mǎn)足日益增長(cháng)的高產(chǎn)量，高效能產(chǎn)品的應用需求，包括手提電腦、平板電視、
- 關(guān)鍵字： e星球 IGBT
英飛凌徐輝：半導體是未來(lái)技術(shù)創(chuàng )新發(fā)展的基礎
- 1月14日-15日，2017中國電動(dòng)汽車(chē)百人會(huì )論壇在釣魚(yú)臺國賓館舉行，騰訊汽車(chē)作為戰略合作媒體將進(jìn)行全程直播。會(huì )上，英飛凌科技(中國)有限公司大中華區副總裁徐輝進(jìn)行了主題演講。 以下為發(fā)言實(shí)錄： 大家早上好!首先非常開(kāi)心今天能再次來(lái)到百人會(huì )的論壇，能分享英飛凌對整個(gè)行業(yè)發(fā)展的看法和觀(guān)點(diǎn)。 今天在吳主任的領(lǐng)導下，演講嘉賓分工比較明確，今天我想談一談半導體如何支持整個(gè)汽車(chē)行業(yè)創(chuàng )新。正好中車(chē)的丁總也把功率半導體IGBT這方面講了，我更多從我們的角度出發(fā)，功能安全和信息安全正好分開(kāi)了，不用重
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 IGBT
中國工程院院士丁榮軍：汽車(chē)功率半導體器件的發(fā)展趨勢
- 我的匯報分三個(gè)部分。 首先簡(jiǎn)單介紹汽車(chē)功率半導體器件的發(fā)展趨勢。 功率半導體器件最早都是由晶閘管后來(lái)變成GTO到MOSFET，到現在用得比較多的IGBT器件。IGBT器件跟傳統的器件相比，主要是驅動(dòng)比較簡(jiǎn)單，同時(shí)損耗比較小，比較適合用于牽引傳動(dòng)包括電機控制器等。IGBT器件包括原來(lái)講的功率半導體器件，都被譽(yù)為傳統系統，在高鐵里一樣，把它稱(chēng)之為“心臟”。它主要起到能量傳輸和能量的點(diǎn)的轉換，是電機控制系統的CPU。 目前電動(dòng)汽車(chē)器件大概占到控制器總成本的30%左右
- 關(guān)鍵字： IGBT 功率半導體
解析國內IGBT增量需求主力何在
- 受益于新能源電動(dòng)汽車(chē)、智能電網(wǎng)、軌道交通的快速發(fā)展，未來(lái)IGBT市場(chǎng)將迎來(lái)爆發(fā)。
- 關(guān)鍵字： IGBT
絕緣柵雙極管(igbt)介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條絕緣柵雙極管(igbt)!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對絕緣柵雙極管(igbt)的理解，并與今后在此搜索絕緣柵雙極管(igbt)的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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絕緣柵雙極管(igbt)電路
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