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絕緣柵雙極管(igbt)
絕緣柵雙極管(igbt) 文章 進(jìn)入絕緣柵雙極管(igbt)技術(shù)社區
IRS2005 HVIC壯大面向中低壓電機變頻器的英飛凌驅動(dòng)IC產(chǎn)品陣容，帶來(lái)很高的電源效率并提高系統可靠性
- 英飛凌科技股份公司進(jìn)一步壯大其200 V驅動(dòng)IC產(chǎn)品陣容，推出支持高壓、高速I(mǎi)GBT和功率MOSFET的IRS2005(S, M)。全新驅動(dòng)IC能為具有嚴格空間限制的電機變頻器應用提供全面保護，比如電動(dòng)園藝設備、高爾夫球車(chē)、電動(dòng)工具及代步車(chē)等。IRS200x家族產(chǎn)品包括高邊和低邊驅動(dòng)以及半橋式驅動(dòng)，采用英飛凌成熟而強大的高壓結隔離(HVJI)工藝，以實(shí)現小型封裝，同時(shí)保持對負瞬變電壓的耐受性。這種200 V器件專(zhuān)為低壓(24 V、36 V和48 V)和中壓(60 V、80 V和100 V)應用量身定制
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 IGBT
最簡(jiǎn)單易用的7管封裝IGBT模塊
- IGBT的優(yōu)勢在于輸入阻抗很高，開(kāi)關(guān)速率快，導通態(tài)電壓低，關(guān)斷時(shí)阻斷電壓高，集電極和發(fā)射機承受電流大的特點(diǎn)，目前已經(jīng)成為電力電子行業(yè)的功率半導體發(fā)展的主流器件。IGBT已經(jīng)由第三代發(fā)展到第五代了，由穿透型發(fā)展到非穿透型。IGBT模塊也在此基礎上同步發(fā)展，單管模塊，半橋模塊，6管模塊，到現在的7管模塊。IGBT驅動(dòng)設計上比較復雜，需要考慮較多的因素，諸如合理的選擇驅動(dòng)電壓Uge和門(mén)極驅動(dòng)電阻Rg，過(guò)流過(guò)壓保護等都是很重要的。IGBT模塊廣泛用于UPS，感應加熱，逆變焊機電源，變頻器等領(lǐng)域。
- 關(guān)鍵字： Vincotech IGBT
意法半導體（ST）的650V IGBT可大幅提升20kHz功率轉換應用的能效
- 意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)推出新款M系列650V IGBT，為電源設計人員提供一個(gè)更快捷經(jīng)濟的能效解決方案，適用于暖通空調系統(HVAC)電機驅動(dòng)、不間斷電源、太陽(yáng)能轉換器以及所有的硬開(kāi)關(guān)(hard-switching)電路拓撲20kHz功率轉換應用。 采用意法半導體的第三代溝柵式場(chǎng)截止型(trench-gate field-stop)低損耗制造工藝，M系列IGBT有一個(gè)全新溝柵(trench gate)和特殊設計的P-N-P垂直結構，可以在導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗之
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 IGBT
意法半導體（ST）新款1200V IGBT是業(yè)內性能最好的低頻晶體管
- 意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出S系列 1200V IGBT絕緣柵雙極晶體管。當開(kāi)關(guān)頻率達到8kHz時(shí)，新系列雙極器件的導通和關(guān)斷綜合損耗創(chuàng )市場(chǎng)新低，大幅度提升不間斷電源、太陽(yáng)能發(fā)電、電焊機、工業(yè)電機等類(lèi)似設備的電源轉換效率。 新S系列擁有當前1200V IGBT市場(chǎng)上最低的飽和電壓(VCE(sat))，可確保更低的壓降與最小的功率耗散，從而簡(jiǎn)化熱管理系統。此外，正VCE(sat)溫度系數結合緊密的參數分布，不僅簡(jiǎn)化多支晶體管的并聯(lián)
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 IGBT
英飛凌推出全新可控逆導型IGBT芯片 可提高牽引和工業(yè)傳動(dòng)等高性能設備的可靠性
- 英飛凌科技股份公今日發(fā)布一款采用可控逆導型IGBT，在同一芯片上集成了IGBT和續流二極管的6.5 kV功率模塊。新發(fā)布的這款RCDC(二極管可控逆導型IGBT)IGBT芯片，非常適合現代高速列車(chē)和高性能電力機車(chē)，以及未來(lái)的HVDC輸電系統和傳動(dòng)裝置。較之安裝尺寸相同的前幾代模塊，采用RCDC IGBT的模塊電流密度提高了33%，散熱性能也有所增強。因此，它可以延長(cháng)產(chǎn)品工作壽命并提高可靠性，進(jìn)而最大限度降低系統維護工作量。 通過(guò)推出RCDC IGBT芯片，英飛凌進(jìn)一步壯大其高性能6.5kV
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 IGBT
優(yōu)化高電壓IGBT造就高效率太陽(yáng)能逆變器
- 隨著(zhù)綠色電力運動(dòng)勢頭不減，包括家電、照明和電動(dòng)工具等應用，以至其他工業(yè)用設備都在盡可能地利用太陽(yáng)能的優(yōu)點(diǎn)。為了有效地滿(mǎn)足這些產(chǎn)品的需求，電源設計師正通過(guò)最少數量的器件、高度可靠性和耐用性，以高效率把太陽(yáng)能源轉換成所需的交流或者直流電壓。 要為這些應用以高效率生產(chǎn)所需的交流輸出電壓和電流，太陽(yáng)能逆變器就需要控制、驅動(dòng)器和輸出功率器件的正確組合。要達到這個(gè)目標，在這里展示了一個(gè)針對500W功率輸出進(jìn)行優(yōu)化，并且擁有120V及60Hz頻率的單相正弦波的直流到交流逆變器設計。在這個(gè)設計中，有一個(gè)DC/D
- 關(guān)鍵字： IGBT 逆變器
英飛凌推出新款Advantage系列 IGBT產(chǎn)品，為逆變焊機的持續發(fā)展注入動(dòng)力
- 近年來(lái)，中國的逆變焊機技術(shù)已日趨成熟，逆變焊機本身的技術(shù)和性能在不斷提高，且得到各行業(yè)用戶(hù)的認可，并逐漸進(jìn)入國際市場(chǎng)。作為功率半導體市場(chǎng)領(lǐng)軍者，英飛凌憑借豐富的經(jīng)驗和創(chuàng )新實(shí)力，重視中國本土客戶(hù)的需求，全新推出針對于逆變焊機應用的34毫米IGBT功率模塊Advantage系列，該系列產(chǎn)品包括1200V 50A、75A和100A, 具有高性?xún)r(jià)比，其品質(zhì)和可靠性達到英飛凌一貫高標準。 電焊機在工業(yè)領(lǐng)域應用非常廣泛，如焊接機器人、機械制造、造船、石油化工、電力建設、建筑業(yè)等，隨著(zhù)對焊機的利用率的提高，這
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 IGBT
SiC Mosfet管特性及其專(zhuān)用驅動(dòng)電源
- 摘要：本文簡(jiǎn)要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數并分析了這些電氣參數對電路設計的影響，并且根據SiC Mosfet管開(kāi)關(guān)特性和高壓高頻的應用環(huán)境特點(diǎn)，推薦了金升陽(yáng)可簡(jiǎn)化設計隔離驅動(dòng)電路的SIC驅動(dòng)電源模塊。 關(guān)鍵詞：SiC Mosfet管;隔離驅動(dòng)電路;驅動(dòng)電源模塊;QA01C 一、引言 以Si為襯底的Mosfet管因為其輸入阻抗高，驅動(dòng)功率小，驅動(dòng)電路簡(jiǎn)單，具有靠多數載流子工作導電特性，沒(méi)有少數載流子導電工作所需要的存儲時(shí)間，因而開(kāi)關(guān)速度快，工作頻率
- 關(guān)鍵字： QA01C IGBT
一種智能型全自動(dòng)快速充電機的設計
- 1 充電機的現狀 目前，礦用電機車(chē)蓄電池的充電，無(wú)論是恒流充電、恒壓充電或是先恒流再恒壓的分段式充電，都有一個(gè)共同的問(wèn)題，就是這種小電流慢充方式，蓄電池初充需70小時(shí)以上，進(jìn)行普通充電也需10小時(shí)以上，這種充電方式在充電過(guò)程的初期，充電電流遠小于蓄電池可接受的充電電流，因而拉長(cháng)了充電時(shí)間，造成電能的浪費。而在充電過(guò)程的后期，充電電流又大于蓄電池可接受的電流，蓄電池內部溫度升高，產(chǎn)生大量析氣，并形成內部硫化結晶，大大縮短了蓄電池的循環(huán)使用壽命，甚至有可能永久性地損壞電池。這不僅造成了浪費，也增加了
- 關(guān)鍵字： IGBT
IGBT產(chǎn)業(yè)基地 有望掛上“國字號”牌子
- 今年省“兩會(huì )”期間，駐株省政協(xié)委員張國浩、余群明、謝一明等聯(lián)名提交了《關(guān)于在株洲建設IGBT項目千億產(chǎn)業(yè)園的建議》。5月22日，省經(jīng)信委有關(guān)人員就該建議來(lái)株答復委員。 正申報國家新型工業(yè)化示范基地 駐株省政協(xié)委員提出“將IGBT產(chǎn)業(yè)園作為省重點(diǎn)工業(yè)園”，省經(jīng)信委電子產(chǎn)業(yè)處副處長(cháng)彭濤答復時(shí)表示，由于相關(guān)政策規定，IGBT產(chǎn)業(yè)建設產(chǎn)業(yè)園，可以以新型工業(yè)化示范基地或園中園形式建立。省經(jīng)信委將在項目用地、資金、政策等方面優(yōu)先保障。 據悉，目前，
- 關(guān)鍵字： IGBT
Power Integrations推出可替代光耦器的1200 V雙通道門(mén)極驅動(dòng)核
- IGBT驅動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導者PowerIntegrations宣布推出適用于90 kW至500 kW逆變器和變頻器的2SC0115T2A0-12雙通道門(mén)極驅動(dòng)核。新型驅動(dòng)核采用SCALE?-2+集成電路以及適用于DC/DC電源和開(kāi)關(guān)信號傳輸的隔離式變壓器技術(shù)，并且無(wú)需采用光耦器，大大提高了系統的可靠性和性能。該驅動(dòng)核的增強電氣隔離專(zhuān)門(mén)針對工作電壓900V的系統，這種技術(shù)通常適用于1200V IGBT模塊，并且滿(mǎn)足IEC 60664-1和IEC 61800-5-1的PD2和OV II要求。2S
- 關(guān)鍵字： PI IGBT
PWM調制技術(shù)下的陰影：諧波
- PWM調制技術(shù)可以說(shuō)是電機行業(yè)的一項革命，它彌補了傳統異步電機和直流電機無(wú)法控制運行工況的短板，避免出現“大牛拉小車(chē)”的情況而造成的能源浪費。像應用非常廣泛的“變頻器+電機”的驅動(dòng)系統組合，相較于直接使用異步電機的方案，能節約30%以上的能源，因此廣泛應用于風(fēng)機、泵類(lèi)等工業(yè)設備領(lǐng)域。 但PWM調制作為變頻器的核心技術(shù)，它存在一個(gè)問(wèn)題：隨著(zhù)用戶(hù)對變頻器效率提升的要求，目前變頻器的PWM調制載波頻率從現在的幾KHz到上百KHz，在往更高的頻率在發(fā)展，大
- 關(guān)鍵字： PWM IGBT
絕緣柵雙極管(igbt)介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條絕緣柵雙極管(igbt)!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對絕緣柵雙極管(igbt)的理解，并與今后在此搜索絕緣柵雙極管(igbt)的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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