EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
絕緣柵雙極管(igbt)
絕緣柵雙極管(igbt) 文章 進(jìn)入絕緣柵雙極管(igbt)技術(shù)社區
IGBT是啥？看完這篇文章我不信你還不明白
- 電的發(fā)現是人類(lèi)歷史的革命，由它產(chǎn)生的動(dòng)能每天都在源源不斷的釋放，人對電的需求不亞于人類(lèi)世界的氧氣，如果沒(méi)有電，人類(lèi)的文明還會(huì )在黑暗中探索。 然而在電力電子里面，最重要的一個(gè)元件就是IGBT。沒(méi)有IGBT就不會(huì )有高鐵的便捷生活。 一說(shuō)起IGBT，半導體**的人都以為不就是一個(gè)分立器件(Power Disceret)嘛，都很瞧不上眼。然而他和28nm/16nm集成電路**一樣，是國家“02專(zhuān)項”的重點(diǎn)扶持項目，這玩意是現在目前功率電子器件里
- 關(guān)鍵字： IGBT MOSFET
2016年P(guān)CIM Asia上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì )錄得破紀錄參展商及觀(guān)眾人數
- 2016年P(guān)CIM Asia上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì )于6月30日在上海世博展覽館成功閉幕。展會(huì )由廣州光亞法蘭克福展覽有限公司、法蘭克福展覽(上海)有限公司、德國美賽高PCIM有限公司和上海浦東國際展覽公司合力主辦，是中國領(lǐng)先的電力電子、智能運動(dòng)、可再生能源及能源管理展覽會(huì )暨國際研討會(huì )。 作為電力電子行業(yè)重要的交流平臺之一，為期三天的展會(huì )云集全球專(zhuān)家及決策者，吸引來(lái)自8個(gè)不同國家及地區共87家參展商以及11個(gè)不同國家及地區共5,492位買(mǎi)家進(jìn)場(chǎng)，采購最新的
- 關(guān)鍵字： PCIM IGBT
三菱電機IGBT和IPM比翼齊飛，力保市場(chǎng)優(yōu)勢地位
- 三菱電機半導體首席技術(shù)官GourabMajumdar博士，在PCIM Asia 2016展會(huì )期間提到，三菱電機的功率半導體模塊(包括其在美國合資企業(yè)Powerex)2014年和2015年的銷(xiāo)售額大約在4.3兆日元至4.4兆日元，約占全球總銷(xiāo)量的23%，位居功率模塊市場(chǎng)首位。 圖一：三菱電機半導體首席技術(shù)官GourabMajumdar博士記者會(huì )演講 雖然2016年整體經(jīng)濟環(huán)境不佳，預計銷(xiāo)售額會(huì )有所下降。但是，由于中國市場(chǎng)龐大，并且根據國家相應的十三五發(fā)展規劃，中國將從制造大國邁向制造強國
- 關(guān)鍵字： 三菱電機 IGBT
多家行業(yè)龍頭企業(yè)齊齊亮相PCIM Asia上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì )
- 2016年P(guān)CIM Asia上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì )將再次于6月28至30日在上海世博展覽館舉行。展會(huì )由廣州光亞法蘭克福展覽有限公司、法蘭克福展覽(上海)有限公司、德國美賽高PCIM有限公司和上海浦東國際展覽公司合力主辦。為期三天的行業(yè)盛事預料將吸引來(lái)自8個(gè)不同國家及地區共90家電力電子、連接技術(shù)和傳感器的高端企業(yè)參展，以及超過(guò)6,000名專(zhuān)業(yè)觀(guān)眾蒞臨參觀(guān)采購，總展覽面積達到5,600平方米。 隨著(zhù)中國最面進(jìn)入工業(yè)化革命，國家大幅度提高對可再生能源、電動(dòng)
- 關(guān)鍵字： PCIM IGBT
“I”型三電平逆變器開(kāi)關(guān)管不均壓研究
- 為解決“I”型三電平逆變拓撲中內、外開(kāi)關(guān)管的不均壓?jiǎn)?wèn)題，在逆變拓撲開(kāi)關(guān)管的控制方式及硬件電路上提出了優(yōu)化的方案。開(kāi)關(guān)管發(fā)波控制中，在原有的時(shí)序控制中加入開(kāi)機和關(guān)機的時(shí)序邏輯，開(kāi)機時(shí)保證內管先于外管開(kāi)通，關(guān)機時(shí)保證外管先于內管關(guān)斷，避免內、外管承受電壓不一致的情況。在硬件電路中，對內管增加阻容網(wǎng)絡(luò )，消除了內、外管同時(shí)關(guān)斷時(shí)由于其寄生參數不一致而導致的內、外管承受電壓不一致的現象。實(shí)驗結果表明，該方法可以徹底解決“I”型三電平拓撲中內、外管承受電壓不一致的問(wèn)題。
- 關(guān)鍵字： “I”型三電平 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT) 內、外管 不均壓 201607
三菱電機攜八款功率器件在PCIM Asia 2016隆重登場(chǎng)
- 三菱電機今年繼續以“創(chuàng )新功率器件構建可持續未來(lái)”為主題， 攜帶八款新型功率器件，于6月28至30日在上海世博展覽館舉行的PCIM Asia2016(上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì ))中登場(chǎng)，向公眾展示其在功率半導體市場(chǎng)上的非凡實(shí)力(三菱電機展位號：B15)。 今年展出的功率器件應用范圍跨越四大領(lǐng)域，包括：變頻家電、軌道牽引及電力傳輸、電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)和新能源發(fā)電，致力為客戶(hù)提供高性能及低損耗的產(chǎn)品。 變頻家電市場(chǎng) 在變頻家電應用方面，三菱電機這次在去年推介
- 關(guān)鍵字： 三菱電機 IGBT
Mentor為EV/HEV用IGBT推出600A仿真和測試設備
- Mentor Graphics公司近日宣布推出全新的 MicReD® Power Tester 600A 產(chǎn)品，其在功率循環(huán)中能測試電動(dòng)和混合動(dòng)力車(chē) (EV/HEV) 的IGBT的可靠性。借助 MicReD Power Tester 600A 產(chǎn)品，EV/HEV 研發(fā)和可靠性工程師能測試功率半導體器件(如IGBT、MOSFET、晶體管以及充電器)，以便檢查對完成任務(wù)來(lái)說(shuō)至關(guān)重要的熱可靠性和生命周期性能。 “中國三類(lèi)客戶(hù)對此會(huì )有感興趣：1.一些OEM廠(chǎng)商自己在做IGBT;2.企
- 關(guān)鍵字： Mentor IGBT
Mentor Graphics 推出獨特的 MicReD Power Tester 600A 解決方案，用于解決電動(dòng)和混合動(dòng)力車(chē) IGBT 熱可靠性問(wèn)題
- Mentor Graphics公司今天宣布推出全新的 MicReD® Power Tester 600A 產(chǎn)品，其在功率循環(huán)中能測試電動(dòng)和混合動(dòng)力車(chē) (EV/HEV) 的功率半導體器件的可靠性。借助 MicReD Power Tester 600A 產(chǎn)品，EV/HEV 研發(fā)和可靠性工程師能測試功率半導體器件(如絕緣柵雙極性晶體管 – IGBT、MOSFET、晶體管以及充電器)，以便檢查對完成任務(wù)來(lái)說(shuō)至關(guān)重要的熱可靠性和生命周期性能。熱可靠性問(wèn)題可能導致需要召回 EV/HEV 汽車(chē)，
- 關(guān)鍵字： Mentor Graphics IGBT
Fairchild推出適用于混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(chē)和純電動(dòng)汽車(chē)應用的分立式IGBT
- 隨著(zhù)Fairchild最新汽車(chē)創(chuàng )新產(chǎn)品的上市，汽車(chē)制造商及其供應商在牽引逆變器 和其他電機驅動(dòng)的元件方面將擁有更多的選擇 全球領(lǐng)先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild 今天發(fā)布了新產(chǎn)品，即適用于混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(chē)(HEV)、充電式混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(chē)(PHEV)和電動(dòng)汽車(chē)(EV)應用的新型分立式IGBT和二極管和裸片，從而擴展了其不斷增加的汽車(chē)級半導體解決方案產(chǎn)品組合。 這些IGBT和二極管非常適合牽引逆變器，牽引逆變器是所有HEV、PHEV和EV的核心組件，能夠將電池
- 關(guān)鍵字： Fairchild IGBT
Power Integrations推出革命性的SCALE-iDriver IC，將高可靠性的SCALE-2驅動(dòng)器技術(shù)引入到1200 V應用中
- 中等電壓和高壓逆變器應用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅動(dòng)器技術(shù)的領(lǐng)導者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5 A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門(mén)極驅動(dòng)器IC，8 A是目前業(yè)內不采用外部推動(dòng)級的最大輸出電流。SCALE-iDriver? IC可同時(shí)為IGBT和MOSFET提供驅動(dòng)，也是首款將Power Integrations首創(chuàng )的FluxLink?磁感雙向通信技術(shù)引入1200 V驅動(dòng)器應用的產(chǎn)品。Flux
- 關(guān)鍵字： Power Integrations IGBT
Power Integrations推出革命性的SCALE-iDriver IC，將高可靠性的SCALE-2驅動(dòng)器技術(shù)引入到1200 V應用中
- 中等電壓和高壓逆變器應用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅動(dòng)器技術(shù)的領(lǐng)導者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5 A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門(mén)極驅動(dòng)器IC，8 A是目前業(yè)內不采用外部推動(dòng)級的最大輸出電流。SCALE-iDriver? IC可同時(shí)為IGBT和MOSFET提供驅動(dòng)，也是首款將Power Integrations首創(chuàng )的FluxLink?磁感雙向通信技術(shù)引入1200 V驅動(dòng)器應用的產(chǎn)品。Flux
- 關(guān)鍵字： Power Integrations IGBT
解析IGBT的工作原理及作用
- 本文通過(guò)等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡(jiǎn)的指出了IGBT的特點(diǎn)?？梢哉f(shuō)，IGBT是一個(gè)非通即斷的開(kāi)關(guān)，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動(dòng)電流較大;MOSFET驅動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。
- 關(guān)鍵字： IGBT MOSFET
絕緣柵雙極管(igbt)介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條絕緣柵雙極管(igbt)!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對絕緣柵雙極管(igbt)的理解，并與今后在此搜索絕緣柵雙極管(igbt)的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對絕緣柵雙極管(igbt)的理解，并與今后在此搜索絕緣柵雙極管(igbt)的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
絕緣柵雙極管(igbt)電路
絕緣柵雙極管(igbt)相關(guān)帖子
絕緣柵雙極管(igbt)資料下載
絕緣柵雙極管(igbt)專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473