解析國內IGBT增量需求主力何在

　　電力電子裝置CPU，布局IGBT符合國家戰略需求。IGBT是由BJT和MOS組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件。具有驅動(dòng)功率小、輸入阻抗大、控制電路簡(jiǎn)單、通斷速度快、工作頻率高和開(kāi)關(guān)損耗小等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應用在電動(dòng)汽車(chē)、新能源裝備、智能電網(wǎng)、軌道交通和航空航天等領(lǐng)域。IGBT是能源變換和傳輸的最核心器件，俗稱(chēng)電力電子裝置的CPU，是目前最先進(jìn)應用最廣泛的第三代功率半導體器件。作為國家戰略性新興產(chǎn)業(yè)，IGBT在設計國家經(jīng)濟安全、國防安全等領(lǐng)域占據重要地位。

　　IGBT結構示意圖及等效電路圖

　　IGBT技術(shù)演進(jìn)圖

　　進(jìn)口替代國是我國IGBT發(fā)展趨勢。我國IGBT器件90%依賴(lài)進(jìn)口，國產(chǎn)市場(chǎng)份額主要被歐美、日本企業(yè)壟斷。中國IGBT企業(yè)在研發(fā)與制造工藝方面極度缺乏經(jīng)驗，與世界先進(jìn)水平差距很大。同時(shí)IGBT都是關(guān)鍵設備上的核心部件，設備廠(chǎng)商更換國產(chǎn)產(chǎn)品風(fēng)險很大，這也是制約國內企業(yè)產(chǎn)品進(jìn)入高端市場(chǎng)的障礙。近年在政策支持和市場(chǎng)推動(dòng)下，IGBT產(chǎn)業(yè)得到迅速發(fā)展，“十一五”和“十二五”期間，國家也組織實(shí)施了眾多的IGBT研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目，和28nm/16nm集成電路制造一樣，IGBT也被列為國家“02專(zhuān)項”的重點(diǎn)扶持項目。目前國產(chǎn)化進(jìn)程正在提速階段，國內擺脫進(jìn)口依賴(lài)的期望持續增強。

　　2014年國內IGBT市場(chǎng)份額

　　我國IGBT市場(chǎng)規模不斷上升

　　新能源是汽車(chē)和充電樁是IGBT未來(lái)最大的增量市場(chǎng)。從成本上看，IGBT模塊占新能源汽車(chē)控制器成本約50%，占電動(dòng)汽車(chē)成本約10%，占充電樁成本約20%，預計未來(lái)5年新能源電動(dòng)汽車(chē)和充電樁將帶動(dòng)IGBT模塊快速增長(cháng)。2014國內IGBT市場(chǎng)規模92.2億元，占全球市場(chǎng)1/3左右，預計“十三五”期間復合增長(cháng)率15%，到2020年國內市場(chǎng)規模將近186億元。