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絕緣柵雙極管(igbt)
絕緣柵雙極管(igbt) 文章 進(jìn)入絕緣柵雙極管(igbt)技術(shù)社區
三種IGBT驅動(dòng)電路和保護方法詳解
- 三種IGBT驅動(dòng)電路和保護方法詳解-本文著(zhù)重介紹三個(gè)IGBT驅動(dòng)電路。驅動(dòng)電路的作用是將單片機輸出的脈沖進(jìn)行功率放大，以驅動(dòng)IGBT，保證IGBT的可靠工作，驅動(dòng)電路起著(zhù)至關(guān)重要的作用，以及對IGBT驅動(dòng)電路的基本要求。
- 關(guān)鍵字： IGBT 驅動(dòng)電路 2SD315
幾種IGBT驅動(dòng)電路的保護電路原理圖
- 幾種IGBT驅動(dòng)電路的保護電路原理圖-本文為您介紹幾種常見(jiàn)的IGBT驅動(dòng)電路原理及其保護電路，EXB841/840、M57959L/M57962L厚膜驅動(dòng)電路、2SD315A集成驅動(dòng)模塊，并附上電路原理圖。
- 關(guān)鍵字： igbt 驅動(dòng)電路 電路圖
IGBT的結構與各種保護設計方法詳解
- IGBT的結構與各種保護設計方法詳解-GTR和MOSFET復合，結合二者的優(yōu)點(diǎn)，具有好的特性。80年代中期問(wèn)世以來(lái)，逐步取代了GTR和一部分MOSFET的市場(chǎng)，中小功率電力電子設備的主導器件。
- 關(guān)鍵字： igbt
IGBT的工作原理和作用以及IGBT管的檢測方法
- IGBT的工作原理和作用以及IGBT管的檢測方法- IGBT就是一個(gè)開(kāi)關(guān)，非通即斷，如何控制他的通還是斷，就是靠的是柵源極的電壓，當柵源極加+12V（大于6V，一般取12V到15V）時(shí)IGBT導通，柵源極不加電壓或者是加負壓時(shí)，IGBT關(guān)斷，加負壓就是為了可靠關(guān)斷。
- 關(guān)鍵字： igbt
什么是IGBT？如何使用此模塊實(shí)現“雙面水冷”，IGNT未來(lái)的發(fā)展趨勢又是如何？
- 什么是IGBT？如何使用此模塊實(shí)現“雙面水冷”，IGNT未來(lái)的發(fā)展趨勢又是如何？-IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應管）組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動(dòng)電流較大；MOSFET驅動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。
- 關(guān)鍵字： igbt 散熱器 新能源汽車(chē)
電動(dòng)汽車(chē)逆變器用IGBT驅動(dòng)電源設計及可用性測試
- 電動(dòng)汽車(chē)逆變器用IGBT驅動(dòng)電源設計及可用性測試-電動(dòng)汽車(chē)逆變器用于控制汽車(chē)主電機為汽車(chē)運行提供動(dòng)力，IGBT功率模塊是電動(dòng)汽車(chē)逆變器的核心功率器件，其驅動(dòng)電路是發(fā)揮IGBT性能的關(guān)鍵電路。
- 關(guān)鍵字： igbt 電動(dòng)汽車(chē) 逆變器
新型功率半導體器件及應用創(chuàng )新中心成立
- “新型功率半導體器件及應用創(chuàng )新中心的成立，將推動(dòng)形成‘技術(shù)創(chuàng )新—轉化—規?；瘧?mdash;投資再創(chuàng )新’的閉環(huán)，推動(dòng)創(chuàng )新成果在先進(jìn)軌道交通、智能電網(wǎng)、消費電子、電動(dòng)汽車(chē)等重要領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化應用。”日前，在湖南株洲召開(kāi)的“湖南省IGBT產(chǎn)業(yè)對接會(huì )”上，中國工程院院士、中國IGBT技術(shù)創(chuàng )新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟理事長(cháng)丁榮軍說(shuō)。 新型功率半導體是關(guān)系國民經(jīng)濟命脈的共性關(guān)鍵技術(shù)，涉及先進(jìn)軌道交通裝備、節能與新能源汽車(chē)、電
- 關(guān)鍵字： IGBT 功率半導體
給世界一顆“中國芯”
- 一個(gè)國家老工業(yè)城市如何在新時(shí)期取得成功? 美國硅谷的經(jīng)驗值得我們借鑒。第三次科技革命以來(lái)，硅谷不斷創(chuàng )造和孕育出世界上最偉大的公司，并不斷匯聚世界各地的人才、技術(shù)和資本，歷經(jīng)歲月變遷而始終屹立于世界科技浪潮的前沿。硅谷的創(chuàng )新覆蓋了很多領(lǐng)域(互聯(lián)網(wǎng)、通信、生物制藥、電動(dòng)汽車(chē)等)，以至于很難講它的支柱產(chǎn)業(yè)是什么。 硅谷的成功源于它唯一且持之以恒的核心競爭力——創(chuàng )新。 如今，中國內陸的老工業(yè)基地株洲，也開(kāi)始了基于創(chuàng )新的城市全方位轉型升級。這座素有“動(dòng)力之都
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東芝推出具有2.5A峰值輸出電流、采用低高度封裝的柵極驅動(dòng)光電耦合器
- 東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出采用低高度SO8L封裝的新型柵極驅動(dòng)光電耦合器“TLP5832”。該產(chǎn)品提供2.5A峰值輸出電流，可直接驅動(dòng)中級IGBT。出貨即日啟動(dòng)?！ ⌒翴C采用SO8L封裝，封裝高度比東芝采用SDIP6和DIP8(LF1選項)封裝的現有產(chǎn)品降低約54%，可為封裝高度有限的電路板安裝提供支持，同時(shí)有助于實(shí)現芯片組小型化。盡管尺寸小，但是該IC可保證爬電距離和至少8mm的電氣間隙，使其適合需要高隔離性能的應用?！ 〈送?，該新型柵極驅動(dòng)光電耦合器可在–40至+110
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【E問(wèn)E答】如何減輕米勒電容所引起的寄生導通效應
- 當IGBT在開(kāi)關(guān)時(shí)普遍會(huì )遇到的一個(gè)問(wèn)題即寄生米勒電容開(kāi)通期間的米勒平臺。米勒效應在單電源門(mén)極驅動(dòng)的應用中影響是很明顯的?；陂T(mén)極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關(guān)斷期間會(huì )產(chǎn)生一個(gè)很高的瞬態(tài)dv/dt，這樣會(huì )引發(fā)門(mén)極VGE間電壓升高而導通，這是一個(gè)潛在的風(fēng)險(如圖1)?！ ?nbsp; 圖1：下管IGBT因為寄生米勒電容而引起導通 寄生米勒電容引起的導通 在半橋拓撲中，當上管IGBT(S1)正在導通， 產(chǎn)生變化的電壓dV/dt加在下管IGBT(S1)C-E間。電流流經(jīng)S
- 關(guān)鍵字： 米勒電容 IGBT
采用TO-247PLUS封裝的高功率密度單管IGBT
- 英飛凌科技股份公司進(jìn)一步壯大1200 V單管IGBT產(chǎn)品組合陣容，推出最高電流達75 A的新產(chǎn)品系列。TO-247PLUS封裝同時(shí)還集成全額定電流反并聯(lián)二極管。全新TO-247PLUS 3腳和4腳封裝可滿(mǎn)足對更高功率密度和更高效率不斷增長(cháng)的需求。需要高功率密度1200VIGBT的典型應用包括變頻器、光伏逆變器和不間斷電源(UPS)。其他應用包括電池充電和儲能系統?！ ∠啾瘸Ｒ嶵O-247-3封裝而言，全新TO-247PLUS封裝可實(shí)現雙倍額定電流。由于去除了標準TO-24
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絕緣柵雙極管(igbt)介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條絕緣柵雙極管(igbt)!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對絕緣柵雙極管(igbt)的理解，并與今后在此搜索絕緣柵雙極管(igbt)的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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