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納米 文章 進(jìn)入納米技術(shù)社區
美稱(chēng)20年后人類(lèi)或改造成半機械人 獲長(cháng)生不老
- 美科學(xué)家認為，人類(lèi)在20年之后將改造成為半機械人，從而獲得長(cháng)生不老 美國科學(xué)家雷·庫茲韋爾(Ray Kurzweil)日前聲稱(chēng)，由于對人體機能理解的加深，以及納米技術(shù)和計算機技術(shù)的不斷發(fā)展，人類(lèi)在20年之后將改造成為半機械人，從而獲得長(cháng)生不老。 庫茲韋爾現年61歲，他之前以曾經(jīng)多次成功預測多項發(fā)明的誕生而出名。他表示，人類(lèi)對基因和電腦技術(shù)的理解正在以難以置信 的速度往前推進(jìn)。 庫茲韋爾表示，盡管他的理論似乎看起來(lái)顯得牽強，但并不是沒(méi)有根據。僅僅在目前，人類(lèi)就具備了人工胰腺和神
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澳大利亞研制納米電子束曝光系統
- 據澳大利亞莫納什大學(xué)網(wǎng)站報道,澳大利亞研究人員正在研制世界最強大的納米設備之一——電子束曝光系統(EBL).該系統可標記納米級的物體,還可在比人發(fā)直徑小1萬(wàn)倍的粒子上進(jìn)行書(shū)寫(xiě)或者蝕刻. 電子束曝光技術(shù)可直接刻畫(huà)精細的圖案,是實(shí)驗室制作微小納米電子元件的最佳選擇.這款耗資數百萬(wàn)美元的曝光系統將在澳大利亞亮相,并有能力以很高的速度和 定位精度制出超高分辨率的納米圖形.該系統將被放置在即將完工的墨爾本納米制造中心(MCN)內,并將于明年3月正式揭幕. MCN的臨時(shí)負責人阿
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鋰離子電池的又一次“瘦身”
- 擁有每年270億美元的銷(xiāo)售額,鋰離子電池毫無(wú)疑問(wèn)是充電電池市場(chǎng)的主導者。不過(guò),人們總是希望能做到更好?，F在,科學(xué)家報告說(shuō)他們運用納米技術(shù)可以大大 增強鋰離子電池的儲電能力,或者在保持現有儲能水平的條件下大大減輕電池重量。這項新的成果可以帶來(lái)更小型的筆記本電腦、更遠行程的電動(dòng)汽車(chē)等大量的應用。 在傳統的充電電池中,帶正電的鋰離子儲存在碳基的陽(yáng)極上,隨著(zhù)電池放電流動(dòng)到陰極。這項技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是碳在多次充放電之后仍能保持輕量和耐用,而缺點(diǎn)是6個(gè)碳原子才能支持1個(gè)鋰離子。最近,研究人員嘗試用晶體硅制作陽(yáng)
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美國開(kāi)發(fā)生物納米電子裝置 改善診斷工具性能
- 美國研究人員在最新一期美國《國家科學(xué)院學(xué)報》上發(fā)表報告說(shuō),他們利用脂膜納米導線(xiàn)開(kāi)發(fā)出一種融入生物成分的納米電子裝置,這種生物納米電子裝置不但可以 改善診斷工具的性能,而且可以提高神經(jīng)修復技術(shù)的水平.現代通訊設備依靠電場(chǎng)及電流傳遞信息,而生物系統則利用膜受體控制信號傳遞,其速度可以遠遠超過(guò)世 界上最強大的計算機.例如,將聲波轉換成神經(jīng)脈沖是一個(gè)非常復雜的過(guò)程,但人耳卻可以毫不費力地完成這一過(guò)程.如果將生物系統與電子裝置相結合,無(wú)疑將有 助于提高計算機等電子設備的性能. 據此,研究人員將目光轉向脂膜
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美大學(xué)研究人員發(fā)明半導體制作新工藝
- 美國北卡羅來(lái)納大學(xué)與賴(lài)斯大學(xué)的科學(xué)家最近發(fā)明了一種新的半導體制作工藝，研究人員稱(chēng)這種發(fā)明能讓Intel這樣的芯片公司“突破摩爾定律的禁錮”，并造出更小更強的處理器。該項發(fā)明研究了一種新的硅半導體雜質(zhì)摻雜方法，科學(xué)家們稱(chēng)之為“單分子層嫁接”。過(guò)去，半導體是通過(guò)向硅晶體內部摻雜雜質(zhì)而制成的，但隨著(zhù)半導體工藝的發(fā)展，晶體管的尺寸也越來(lái)越小，這樣就很容易出現不同器件之間摻雜度存在差異的情況，造成器件間的性能差異。 為了解決這個(gè)問(wèn)題，這項新發(fā)明改變了向半
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6月北美半導體設備訂單出貨比獲得改善 設備商處境依然艱難
- SEMI日前公布了2009年6月份北美半導體設備制造商訂單出貨比報告。按三個(gè)月移動(dòng)平均額統計，6月份北美半導體設備制造商訂單額為3.234億美元，訂單出貨比為0.77。訂單出貨比為0.77意味著(zhù)該月每出貨價(jià)值100美元的產(chǎn)品可獲得價(jià)值77美元的訂單。 報告顯示，6月份3.234億美元的訂單額較5月份2.878億美元最終額增長(cháng)12％，較2008年6月份的9.342億美元最終額減少69％。 與此同時(shí)，2009年6月份北美半導體設備制造商出貨額為4.196億美元，較5月份3.92
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Micron量產(chǎn)34nm NAND閃存芯片
- Micron Technology近日宣布采用34nm工藝技術(shù)的NAND閃存芯片實(shí)現量產(chǎn)。Micron還稱(chēng)其子公司Lexar Media將推出34nm閃存卡和USB閃盤(pán)。 Micron和其伙伴Intel近期宣布通過(guò)合資公司IM Flash推出34nm芯片。Micron目前正在為2x nm技術(shù)做準備，計劃于第四季度推出樣品。
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MIPS32 處理器強化 NXP 的創(chuàng )新 DTV 平臺
- 為家庭娛樂(lè )、通信、網(wǎng)絡(luò )和便攜式多媒體市場(chǎng)提供業(yè)界標準處理器架構與內核的領(lǐng)導廠(chǎng)商 MIPS Technologies, Inc 今天宣布，恩智浦半導體公司 (NXP Semiconductor) 已采用 MIPS32™ 24KEf 內核進(jìn)行全球首款 45 納米數字電視處理器開(kāi)發(fā)。這款型號為 PNX85500 的處理器是 NXP TV550 全球單芯片數字電視平臺背后的重要推動(dòng)力量，可協(xié)助制造商提供許多先進(jìn)的 HDTV 功能，并以無(wú)與倫比的圖像質(zhì)量獲取互聯(lián)網(wǎng)內容。 市場(chǎng)研究公司 In-S
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NVIDIA部署微捷碼Talus 1.1版本到其生產(chǎn)環(huán)境中
- 芯片設計解決方案供應商微捷碼(Magma®)設計自動(dòng)化有限公司日前宣布，NVIDIA公司已部署微捷碼的Talus® 1.1 IC實(shí)現系統到其全面生產(chǎn)環(huán)境中。Talus 1.1版本提供了布線(xiàn)、優(yōu)化和運行時(shí)間方面的顯著(zhù)改善以及增強的可用性特征。NVIDIA是在參加這一最新Talus版本的beta測試后，基于肯定的測試結果以及改善的流程性能才決定開(kāi)始使用Talus 1.1進(jìn)行其生產(chǎn)設計項目。 “基于核心算法、流程融合和整體可用性方面的顯著(zhù)改善，我們近期已在我們的生產(chǎn)環(huán)境升級
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22納米設備傳難產(chǎn) 延后進(jìn)駐臺積電
- 22納米制程微顯影曝光設備業(yè)者M(jìn)apper傳出設備進(jìn)度遞延，Mapper目前是與臺積電在新世代半導體曝光設備合作最密切的業(yè)者之一，Mapper的進(jìn)度遞延已經(jīng)讓原本預期進(jìn)駐臺積電的22納米多重電子束(Multiple E-beam)設備向后延期。臺積電目前積極在深紫外光(EUV)與多重電子束方面尋求更具成本競爭的曝光技術(shù)，Mapper技術(shù)出現瓶頸，將為臺積電技術(shù)進(jìn)程埋下未知數。 據了解，受到景氣沖擊，投資者資本支出保守，新興設備業(yè)者M(jìn)apper在22納米制程之后的曝光技術(shù)投資也受到影響，因而對于先
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科學(xué)家發(fā)明可用于制造超薄顯示器的新型納米晶體材料
- 羅切斯特大學(xué)與柯達公司的研究人員近日宣稱(chēng)他們研發(fā)出了一種新的納米發(fā)光晶體材料，這種材料能在吸收能量后持續保持發(fā)光狀態(tài)，而不是像以前那樣將能量通過(guò)發(fā)熱方式耗散掉。該材料有望應用于高亮度LED照明，廉價(jià)激光器制造等應用場(chǎng)合，還可以被用來(lái)開(kāi)發(fā)更薄的電視，顯示器產(chǎn)品。 羅切斯特大學(xué)教授Todd Krauss說(shuō)：“納米晶體從光子吸收能量后，將通過(guò)發(fā)光或發(fā)熱兩種方式來(lái)耗散能量。”通過(guò)第一種方式耗散能量的晶體類(lèi)型被稱(chēng)為非閃爍型納米晶體(non-blinking nanocrystal)
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臺積電承認40納米工藝遭遇障礙
- 在公布最新季度財報的同時(shí)，臺積電也第一次公開(kāi)承認，其40nm制造工藝碰到了一些麻煩。 臺積電在去年底基本準時(shí)地上馬了40nm生產(chǎn)線(xiàn)，并在今年第一季度貢獻了大約1%的收入，高于預期水準，預計今年第二季度會(huì )達到2%左右。 臺積電CEO蔡力行在回答分析師的提問(wèn)時(shí)說(shuō)：“良品率是有些問(wèn)題。對制造商而言40nm是一項非常困難的技術(shù)。(不過(guò))我們已經(jīng)找到了問(wèn)題的根源，并且已經(jīng)或正在解決。” 結合此前消息，臺積電40nm工藝可能無(wú)法很好地控制漏電率，難以制造高性能GPU芯片，
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東芝推出32納米工藝閃存芯片 7月批量生產(chǎn)
- 東芝日前展示了基于32納米制造工藝的單芯片32Gb NAND Flash閃存芯片。首批32Gb芯片將主要被應用于記憶卡和USB存儲設備，未來(lái)會(huì )擴展到嵌入式產(chǎn)品領(lǐng)域。 隨著(zhù)越來(lái)越多的移動(dòng)設備在聲音和影像方面的逐步數字化，高容量、更小巧的內存產(chǎn)品在市場(chǎng)上的需求也越來(lái)越強勁。 新的芯片產(chǎn)品將在東芝位于日本三重縣四日市的工廠(chǎng)內制造。東芝公司將比原計劃提前2個(gè)月，從2009年7月起，大批量生產(chǎn)32Gb NAND Flash閃存芯片。16Gb產(chǎn)品則會(huì )從2009財年第三季度(2009年10月到12月)開(kāi)
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Hynix成功研發(fā)世界最高性能移動(dòng)DRAM
- 韓聯(lián)社4月27日電稱(chēng)，Hynix(海力士)半導體成功研發(fā)采用54納米技術(shù)的世界最高性能的1Gb移動(dòng)低電雙倍速率(LPDDR2)動(dòng)態(tài)隨機存儲器(DRAM)產(chǎn)品。Hynix表示，該產(chǎn)品是世界上第一款可以在平均1.2伏的低電壓下實(shí)現1066Mbps超高速數據傳輸速度的移動(dòng)DRAM，在工藝技術(shù)、電壓、速度方面具備世界最高性能。 據介紹，該產(chǎn)品可在平均1.2伏、最低1.14伏的低電壓下工作，接近于現有的1.8伏移動(dòng)DRAM的50%，并且僅為PC DDR2產(chǎn)品的30%。這意味著(zhù)，1秒內下載5、6部普通長(cháng)度的
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納米介紹
納米是長(cháng)度單位，原稱(chēng)毫微米，就是10^-9米（10億分之一米），即10^-6毫米（100萬(wàn)分之一毫米）。納米科學(xué)與技術(shù)，有時(shí)簡(jiǎn)稱(chēng)為納米技術(shù)，是研究結構尺寸在1至100納米范圍內材料的性質(zhì)和應用。納米效應就是指納米材料具有傳統材料所不具備的奇異或反常的物理、化學(xué)特性，如原本導電的銅到某一納米級界限就不導電，原來(lái)絕緣的二氧化硅、晶體等，在某一納米級界限時(shí)開(kāi)始導電。這是由于納米材料具有顆粒尺寸小、比表面 [ 查看詳細 ]
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