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納米 文章 進(jìn)入納米技術(shù)社區
賽普拉斯推出采用 65 納米工藝技術(shù)的 SRAM
- 賽普拉斯-SRAM 領(lǐng)域的業(yè)界領(lǐng)先公司，日前宣布，該公司在業(yè)界率先推出采用 65 納米線(xiàn)寬的 Quad Data Rate™ (QDR™) 和 Double Data Rate (DDR) SRAM 器件樣品。新推出的 72-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII 和 DDRII+ 存儲器采用了賽普拉斯合作伙伴制造商 UMC 開(kāi)發(fā)的工藝技術(shù)。新型 SRAM 實(shí)現了目前市場(chǎng)上最快的 550 MHz時(shí)鐘速度，在 36 位 I/O 寬度的 QDRII+ 器件中可實(shí)現高達 80
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SpringSoft與UMC成功合作完成65nm制程設計套件
- 思源科技(SpringSoft)與聯(lián)華電子(UMC) 4月28日共同宣布，將提供已通過(guò)晶圓專(zhuān)業(yè)驗證的LakerTM制程設計套件(PDK)予聯(lián)華電子65nm制程技術(shù)使用，從而滿(mǎn)足了雙方共同客戶(hù)在特殊設計與尖端制程上的需求。 Laker-UMC PDK能支持聯(lián)華電子的65nm CMOS(互補金氧半導體制程)標準邏輯制程及混合模式技術(shù)與低介電值絕緣層。聯(lián)華電子65奈米標準效能制程能讓設計公司為各種不同的應用產(chǎn)品提供動(dòng)力，包括消費產(chǎn)品與繪圖芯片?？梢詧绦械募夹g(shù)選項包括混合信號/RFCMOS(射頻互補金氧
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東芝全球首家出貨32nm工藝閃存
- 東芝昨天宣布，于業(yè)界首家開(kāi)始出貨32nm工藝NAND閃存顆粒。其中，全球首顆32nm工藝32Gb(4GB)NAND單芯片樣品即日起出貨，主流容量16Gb(2GB)顆粒樣品將于今年7月推出。東芝表示，首批32nm NAND閃存將主要用于存儲卡和USB存儲設備，未來(lái)會(huì )擴展到嵌入式產(chǎn)品領(lǐng)域。 目前，東芝是全球領(lǐng)先的32GB閃存供應商，使用8顆43nm工藝32Gb顆粒堆疊而成。而32nm工藝的應用將進(jìn)一步提高生產(chǎn)效率，減小芯片體積，適應更高容量，更小巧的掌上產(chǎn)品需求。 東芝的32nm工藝32Gb
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Cadence與TSMC推出65納米混合信號/射頻參考設計
- 全球電子設計創(chuàng )新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設計系統公司(Nasdaq: CDNS)與全球最大的專(zhuān)業(yè)積體電路制造服務(wù)公司-臺灣積體電路制造股份有限公司(TWSE: 2330 , NYSE: TSM) (以下簡(jiǎn)稱(chēng)臺積公司)今日共同宣布推出業(yè)界第一款的混合信號/射頻參考設計”錦囊”(MS/RF RDK)。這款錦囊采用Cadence? Virtuoso?混合信號技術(shù)研發(fā)完成，可提供矽芯片特性行為模型(silicon-characterized behavioral mode
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ARM與臺積電合作40納米實(shí)體IP
- 全球硅IP龍頭安謀(ARM)宣布與臺積電40納米泛用型制程合作實(shí)體IP。未來(lái)將鎖定磁碟機、機上盒、行動(dòng)運算裝置、網(wǎng)絡(luò )應用、高傳真電視和繪圖處理器等芯片市場(chǎng)提供臺積電制程、安謀IP庫的制造服務(wù)。 安謀表示，與臺積電40納米泛用型制程合作的技術(shù)平臺包括高效能和高密度標準元件庫(Standard Cell libraries)、電源管理工具組和工具組元件庫，可以解決芯片設計所產(chǎn)生的漏電問(wèn)題，進(jìn)階電源管理是安謀存儲器架構不可或缺的一部分，有助于大幅降低系統單芯片設計動(dòng)態(tài)功耗與漏電功耗，在多處理器架構下發(fā)
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ARM發(fā)布業(yè)界最廣泛的40納米G物理IP平臺
- ARM公司近日宣布，開(kāi)始向臺積電的40納米G制造工藝提供業(yè)界最完善的IP平臺。這一ARM® 最新的、已通過(guò)流片驗證的物理IP能夠滿(mǎn)足性能驅動(dòng)消費產(chǎn)品的高成本效率開(kāi)發(fā);這些產(chǎn)品要求在不提高功耗的前提下提供先進(jìn)的功能。這一平臺是為那些期望使用40納米工藝進(jìn)行設計的開(kāi)發(fā)者設計的，能夠促進(jìn)更高水平的技術(shù)創(chuàng )新，同時(shí)保持性能驅動(dòng)消費產(chǎn)品的功耗水平。這些消費產(chǎn)品包括：磁盤(pán)驅動(dòng)器、機頂盒、移動(dòng)計算設備、網(wǎng)絡(luò )應用、高清電視以及圖形處理器。 通過(guò)多通道的邏輯庫，ARM平臺提供了非常高的靈活性。這些庫包括高性
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復合型納米發(fā)電機問(wèn)世 太陽(yáng)能和機械能同時(shí)收集
- 人類(lèi)一直試圖讓設備自動(dòng)從周?chē)h(huán)境中獲取能量。早在20世紀初，研究人員就通過(guò)不同的途徑研究此類(lèi)設備。如今，美國佐治亞理工學(xué)院教授王中林的研究小組開(kāi)發(fā)出能同時(shí)收集太陽(yáng)能和機械能的復合型納米發(fā)電機，并首次實(shí)現了能同時(shí)收集多種能源的單一集成器件。這一最新的研究成果發(fā)表在《美國化學(xué)會(huì )志》網(wǎng)絡(luò )版上。 王中林、王旭東博士和博士生許晨等在他們2006年發(fā)明的直流納米發(fā)電機的基礎上，集成了染料敏化太陽(yáng)能電池的功能。兩個(gè)發(fā)電單元都基于氧化鋅納米陣列，共用同一個(gè)金屬電極。此外，通過(guò)不同的設計及組裝步驟，太陽(yáng)能電池
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美研制出納米級憶阻器芯片
- 本報訊美國密歇根大學(xué)科學(xué)家開(kāi)發(fā)出一種由納米級憶阻器構成的芯片，該芯片能存儲1千比特的信息。發(fā)表在《納米通訊》上的此項研究成果將有可能改變半導體產(chǎn)業(yè)，使成功研制出更小、更快、更低廉的芯片或電腦成為可能。 憶阻器是一種電腦元件，可在一簡(jiǎn)單封裝中提供內存與邏輯功能。此前，由于可靠性和重復性問(wèn)題，所展示的都是只有少數憶阻器的電路，而研究人員此次展示的則是基于硅憶阻系統并能與CMOS兼容的超高密度內存陣列。CMOS指互補金屬氧化物半導體，是一種大規模應用于集成電路芯片制造的原料。 雖然1千比特的信息
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中微蝕刻機與臺積電合作 攜手45納米前進(jìn)32納米
- 據DigiTimes網(wǎng)站報道，大陸本土半導體設備業(yè)者中微半導體盡管在與國際大廠(chǎng)應用材料(Applied Materials)及科林研發(fā)(Lam Research)官司纏訟之中，但開(kāi)拓市場(chǎng)腳步未停歇，目前45納米蝕刻機臺已經(jīng)打入臺積電12寸廠(chǎng)，正在進(jìn)行設備驗證，同時(shí)也與韓國存儲器業(yè)者合作當中。中微亞太區總經(jīng)理朱新武表示，中微完全是走自主研發(fā)路線(xiàn)，目前不僅65/45納米機臺已打入一線(xiàn)半導體業(yè)者供應商行列，也已著(zhù)手下1世代32
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2009年將實(shí)現增長(cháng)的五個(gè)市場(chǎng)
- 也許是厭倦了一直以來(lái)的壞消息？Information Network編制了一份2009年實(shí)現增長(cháng)的市場(chǎng)名單，這也許會(huì )減緩一下低迷的趨勢。 太陽(yáng)能電池 該公司表示，“太陽(yáng)能電池的市場(chǎng)將會(huì )在2009年達到7.1G瓦，實(shí)現全球26%的增長(cháng)率，而2008年的增長(cháng)率為48%。面板的價(jià)格也可能會(huì )下調20%到30%之間，考慮到2009年的全球多晶硅供應量會(huì )翻番。” 硬盤(pán)驅動(dòng)器 “硬盤(pán)驅動(dòng)器(HDD)市場(chǎng)將在2008年實(shí)現12.5%的年增長(cháng)，
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納米壓電材料有望使未來(lái)手機不充電
- 想象一下吧，你每天使用的手機將不再使用電池了，你也不用費神為手機電池充電了，只需你發(fā)出一點(diǎn)點(diǎn)聲音，所產(chǎn)生的聲波就會(huì )轉變成手機運行的電能?，F在這個(gè)想象似乎離我們越來(lái)越近了。近日，美國物理學(xué)協(xié)會(huì )出版的《物理評論》雜志刊登了德克薩斯大學(xué)化學(xué)工程系教授卡金的最新成果，他和他的研究團隊研制出納米級壓電材料，這種材料可以用在低能耗電子產(chǎn)品中代替電池，將聲波變成驅動(dòng)產(chǎn)品運行的能量。 壓電材料及其運用 壓電體是指這樣一類(lèi)材料，當它們受到外
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處理器再次更新 IBM納米技術(shù)新突破
- IBM研究人員在一篇新的論文中詳細介紹了IBM所說(shuō)的在納米技術(shù)領(lǐng)域取得的重要技術(shù)突破。這項技術(shù)突破將推動(dòng)處理器技術(shù)和光子領(lǐng)域的新發(fā)展。IBM研究人員詳細介紹了他們如何控制碳納米管晶體管的發(fā)光。 這將是開(kāi)發(fā)和推動(dòng)新的處理器的新方法。在納米技術(shù)領(lǐng)域，IBM、惠普和英特爾都在通過(guò)自己的研究部門(mén)研究新的開(kāi)發(fā)處理器的技術(shù)。 IBM研究人員稱(chēng)，在新興的納米技術(shù)領(lǐng)域的一項重大的技術(shù)突破將改變工程師和IT行業(yè)開(kāi)發(fā)微處理器的方法和思路。IBM研究人員8月25日在《自然納米技術(shù)》雜志上發(fā)表的論文中介紹了他們如
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納米介紹
納米是長(cháng)度單位，原稱(chēng)毫微米，就是10^-9米（10億分之一米），即10^-6毫米（100萬(wàn)分之一毫米）。納米科學(xué)與技術(shù)，有時(shí)簡(jiǎn)稱(chēng)為納米技術(shù)，是研究結構尺寸在1至100納米范圍內材料的性質(zhì)和應用。納米效應就是指納米材料具有傳統材料所不具備的奇異或反常的物理、化學(xué)特性，如原本導電的銅到某一納米級界限就不導電，原來(lái)絕緣的二氧化硅、晶體等，在某一納米級界限時(shí)開(kāi)始導電。這是由于納米材料具有顆粒尺寸小、比表面 [ 查看詳細 ]
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