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納米
納米 文章 進(jìn)入納米技術(shù)社區
我國納米科技論文總數已位居世界前列
- 毫無(wú)疑義，納米科技是當今世界科技發(fā)展的一個(gè)熱門(mén)領(lǐng)域，也是科學(xué)家和百姓眾說(shuō)紛紜的一個(gè)前沿科學(xué)話(huà)題。在剛剛創(chuàng )刊的《前沿科學(xué)》雜志上，刊載了中國科學(xué)院院士白春禮和中國國家納米科學(xué)中心研究員裘曉輝撰寫(xiě)的《中國納米科技研究的進(jìn)展》一文。在這篇論文中，作者總結了過(guò)去十年中國在納米科技的基礎研究和應用研究中取得的重要進(jìn)展，概述了中國科技人員近期在納米科技的部分研究領(lǐng)域中所取得的突出成就，并且就我國納米科技發(fā)展過(guò)程中存在的一些問(wèn)題進(jìn)行了分析。 近日，記者采訪(fǎng)了裘曉輝研究員，請他向本報讀者介紹中國納
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英飛凌與中芯國際合作擴展至90納米生產(chǎn)領(lǐng)域
- 英飛凌和中芯國際近日共同宣布，雙方已經(jīng)簽署合作協(xié)議，進(jìn)一步擴展在標準記憶芯片（DRAM）產(chǎn)品生產(chǎn)領(lǐng)域中的現有合作，開(kāi)始90納米標準的產(chǎn)品合作生產(chǎn)。 根據新協(xié)議的內容，英飛凌將把自己最尖端的90納米DRAM溝槽技術(shù)和300毫米產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)轉讓于中芯國際，并可以在未來(lái)期間靈活進(jìn)行其70納米技術(shù)的進(jìn)一步轉讓。因此，中芯國際將為英飛凌獨家生產(chǎn)屬于此技術(shù)范圍之內
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歐盟對抗功率難題納米級芯片欲破瓶頸
- 近日，研發(fā)人員在開(kāi)發(fā)納米級芯片時(shí)遇到的重大難題——功率泄漏（power leakage），看起來(lái)有了福音。為了解決這一瓶頸問(wèn)題，歐盟向某一研發(fā)團體協(xié)會(huì )資助550萬(wàn)美元以解決這一難題。 該協(xié)會(huì )的主要成員STMicroelectronics在當地時(shí)間周二（北京時(shí)間周三）發(fā)布的一份聲明中稱(chēng)，該協(xié)會(huì )的研發(fā)項目旨在改進(jìn)下一代芯片系統半導體的設計，解決65納米及其以下納米CMOS出現功率泄漏的問(wèn)題。 據悉，該項稱(chēng)為CLEAN的計劃將得到歐盟第六次框架項目下納米電子計劃的資助。功率泄漏
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英特爾推出采用65納米技術(shù)四核移動(dòng)芯片
- 近日，英特爾正式宣布新處理器的的價(jià)格和名稱(chēng)。新推出的四款四核移動(dòng)Yonah芯片，分別為T(mén)2300、T2400、T2500和T2600，另外一款單核芯片為T(mén)1300。這次的產(chǎn)品定價(jià)主要是針對英特爾的大宗客戶(hù)，即購物數量在1000以上的用戶(hù)。 單核T1300價(jià)格為209美元，而四核芯片T2300、T2400、T2500和T2600的價(jià)格分別為241美元、294美元、423美元和637美元。上述芯片都采用65納米生產(chǎn)技術(shù)，時(shí)鐘頻率為T(mén)
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全球半導體產(chǎn)業(yè)將由硅技術(shù)向納米過(guò)渡
- 日前，最新發(fā)布的一份名為《全球半導體技術(shù)路線(xiàn)圖》的報告顯示，全球主要的半導體廠(chǎng)商正在規劃“后硅晶體管”時(shí)代的藍圖。據悉，該報告是由歐洲、日本、韓國、中國臺灣和美國的主要半導體廠(chǎng)商聯(lián)合發(fā)布的，主要致力于尋求未來(lái)的半導體制造技術(shù)。 雖然當前的傳統硅技術(shù)仍擁有眾多優(yōu)勢，但無(wú)法長(cháng)期適應半導體產(chǎn)業(yè)的“摩爾定律”。據最新報告顯示，目前一種新的“納米轉換”技術(shù)比較可行，而且制造成本也相對低廉。研究人員預計到2015年，全球半導體產(chǎn)業(yè)將從當前的“硅技術(shù)”向“納米技術(shù)”過(guò)渡，因為當前的硅技術(shù)也只能維持到2015年。
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全國納米技術(shù)標準化技術(shù)委員會(huì )在北京成立
- 6月20日上午，全國納米技術(shù)標準化技術(shù)委員會(huì )成立大會(huì )在北京隆重舉行。中國科學(xué)院常務(wù)副院長(cháng)、國家納米科學(xué)中心主任白春禮院士任主任委員，國家納米科學(xué)中心副主任王琛研究員任秘書(shū)長(cháng)，該委員會(huì )秘書(shū)處設在國家納米科學(xué)中心。 早在今年的4月1日，國家標準化管理委員會(huì )正式發(fā)文(國標委計劃函[2005]14號)，批準成立全國納米技術(shù)標準化技術(shù)委員會(huì )(SAC/TC279)。 國家標準化管理委員
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借助于低溫技術(shù) 美制成納米導線(xiàn)集成電路
- 美研究人員日前說(shuō)，他們借助低溫制造技術(shù)，用納米導線(xiàn)在一塊玻璃芯片上制造了最基礎的集成電路--時(shí)鐘振蕩電路。這一技術(shù)既不需要高溫，也不需要硅芯片，有望取代硅芯片集成電路制造技術(shù)。 據悉，這一技術(shù)使用常見(jiàn)的、低成本和輕質(zhì)材料來(lái)制造納米導線(xiàn)集成電路，不僅是玻璃可以做芯片，塑料也可以。
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中科院化學(xué)研究所納米材料領(lǐng)域又添新成果
- 中國科學(xué)院化學(xué)研究所分子納米結構與納米技術(shù)院重點(diǎn)實(shí)驗室在納米功能材料研究領(lǐng)域取得一系列進(jìn)展，他們以環(huán)境和能源需求為研究背景，繼在燃料電池催化劑研究方面，利用簡(jiǎn)單、低能耗的方法開(kāi)發(fā)出高效的金屬納米空心球催化劑之后，又在半導體光催化劑研究領(lǐng)域取得新成果。 與有機污染物和有毒水污染物相關(guān)的環(huán)境問(wèn)題一直是環(huán)境保護及環(huán)境恢復領(lǐng)域備受關(guān)注的課題。半導體光催化劑具有高效率和潛在的廣泛應用性，成為能從環(huán)境中降解并除去有毒化學(xué)污染物的最有效途徑之一。 因
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業(yè)界分析：65納米工藝可降低功耗提高速度
- 目前，業(yè)界已經(jīng)制成了HfAcO2（Ac是錒元素）以及HfSiO2的柵極絕緣層。采用這種工藝的集成電路工作性能良好。 然而，采用這種絕緣層制作集成電路時(shí)，還有待提高成品率。其中，最主要的問(wèn)題是采用高介質(zhì)率絕緣層后會(huì )降低載流子的遷移率。傳統的集成電路采用多晶硅作為電極材料，而其與高介電率的HfO2系列絕緣層在邊界會(huì )產(chǎn)生電位差，從而發(fā)生控制電壓（閾值電壓）偏移的問(wèn)題。目前，解決這一問(wèn)題是科技人員的攻關(guān)項目之一。&n
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納米浸入式光刻技術(shù)工業(yè)化在即
- 比利時(shí)微電子研究中心（IMEC）正在加速45納米以下微電子技術(shù)的開(kāi)發(fā)，已與世界10大設備供應商簽定協(xié)議，協(xié)議的簽署使得IMEC能在最先進(jìn)的設備條件下進(jìn)行研究與開(kāi)發(fā)。根據IMEC所確定的發(fā)展戰略，2003-2005年研發(fā)45納米CMOS技術(shù)，2005-2007年研發(fā)32納米微電子技術(shù)。 據悉，193納米浸入式光刻技術(shù)是實(shí)現45納米以下COMS的關(guān)鍵技術(shù)。在193納米浸入式光刻技術(shù)方面，IMEC與世界上30個(gè)芯片制造商、工具
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納米介紹
納米是長(cháng)度單位，原稱(chēng)毫微米，就是10^-9米（10億分之一米），即10^-6毫米（100萬(wàn)分之一毫米）。納米科學(xué)與技術(shù)，有時(shí)簡(jiǎn)稱(chēng)為納米技術(shù)，是研究結構尺寸在1至100納米范圍內材料的性質(zhì)和應用。納米效應就是指納米材料具有傳統材料所不具備的奇異或反常的物理、化學(xué)特性，如原本導電的銅到某一納米級界限就不導電，原來(lái)絕緣的二氧化硅、晶體等，在某一納米級界限時(shí)開(kāi)始導電。這是由于納米材料具有顆粒尺寸小、比表面 [ 查看詳細 ]
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