美大學(xué)研究人員發(fā)明半導體制作新工藝

　　美國北卡羅來(lái)納大學(xué)與賴(lài)斯大學(xué)的科學(xué)家最近發(fā)明了一種新的半導體制作工藝，研究人員稱(chēng)這種發(fā)明能讓Intel這樣的芯片公司“突破摩爾定律的禁錮”，并造出更小更強的處理器。該項發(fā)明研究了一種新的硅半導體雜質(zhì)摻雜方法，科學(xué)家們稱(chēng)之為“單分子層嫁接”。過(guò)去，半導體是通過(guò)向硅晶體內部摻雜雜質(zhì)而制成的，但隨著(zhù)半導體工藝的發(fā)展，晶體管的尺寸也越來(lái)越小，這樣就很容易出現不同器件之間摻雜度存在差異的情況，造成器件間的性能差異。

　　為了解決這個(gè)問(wèn)題，這項新發(fā)明改變了向半導體中摻雜雜質(zhì)的方法，改將雜質(zhì)分子附著(zhù)在硅晶體的表面，而不是將其注入晶體內部。使用這種方法可以得到與傳統制作方法相似的效果，但對納米級器件則更為適用。

　　研究人員并稱(chēng)：“對Intel，鎂光，三星等半導體廠(chǎng)商來(lái)說(shuō)，我們的發(fā)明意義重大，我保證他們已經(jīng)在嘗試使用我們的方案了。”