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第九代 v-nand
第九代 v-nand 文章 進(jìn)入第九代 v-nand技術(shù)社區
三星減少NAND閃存供貨量 擬甩掉臺灣廠(chǎng)商
- 近期,三星和海力士(Hynix)面向臺灣的NAND閃存芯片供貨量有所下降,另一方面,英特爾和Micron的合資公司IM則推出了更具競爭力的價(jià)格并逐步搶占市場(chǎng),許多分析人士認為未來(lái)閃存市場(chǎng)或許將會(huì )出現另一番局面。 三星和海力士減少向臺灣內存廠(chǎng)商的供貨量,是為了滿(mǎn)足蘋(píng)果這類(lèi)國際大客戶(hù)的供貨需求。東芝也限制了供應量,唯獨沒(méi)有對群聯(lián)電子(Phison Electronics)采取限制措施,這使得不少臺灣企業(yè)開(kāi)始考慮降低對大廠(chǎng)商產(chǎn)品的依賴(lài)。 一些臺灣內存廠(chǎng)商指出,它們都不愿意繼續向三星和海力士采購,
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大容量NAND Flash K9T1G08U0M在網(wǎng)絡(luò )存儲中的應用
- 1 引言 隨著(zhù)嵌入式系統廣泛應用,嵌入式系統中的數據存儲和數據管理則成為設計人員考慮的重點(diǎn)。在許多現場(chǎng)不可達數據采集應用中采用分布式數據存儲,必然帶來(lái)數據管理的不便,因此,集中管理數據成為一種思路。利用成熟的網(wǎng)絡(luò )傳輸技術(shù)集中分布式嵌入式系統數據,采用C/S模式管理數據。對于大容量數據存儲,選擇介質(zhì)存儲是需要重點(diǎn)考慮的問(wèn)題。目前大多采用IDE硬盤(pán)或SCSI硬盤(pán)存儲,但都存在抗震和抗電磁干擾能力差、使用溫度范圍窄,無(wú)法長(cháng)期在惡劣的環(huán)境中長(cháng)期工作。電子式Flash存儲器具有速度快、容量大、成本低、體積
- 關(guān)鍵字: 通訊 無(wú)線(xiàn) 網(wǎng)絡(luò ) NAND Flash K9T1G08U0M MCU和嵌入式微處理器
供應過(guò)剩 NAND及DRAM行情短期進(jìn)一步惡化
- 美國iSuppli調研結果顯示,由于供應過(guò)剩與價(jià)格暴跌,DRAM及NAND閃存行情將在短期內進(jìn)一步惡化。 NAND閃存方面,預計512M產(chǎn)品全球平均單價(jià)(ASP)將從2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND閃存的平均單價(jià)在第二季度、第三季度均比上季度有所提高,分別為6%與8.4%。但是在第四季度,隨著(zhù)價(jià)格下跌,行情出現惡化,短期內很難恢復。iSuppli首席分析師Nam Hyung Kim表示,此次價(jià)格下跌的主要原因韓國內存廠(chǎng)商將生產(chǎn)能力從DRAM轉移至NAND閃存,從而導
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年終旺季需求支撐,NAND FLASH合約價(jià)短期平穩
- 11月上旬NAND Flash合約價(jià)格大致跌幅約為0-5%,比前兩個(gè)月跌幅明顯縮小,主要是因為下游客戶(hù)在10月已陸續進(jìn)行降低庫存的動(dòng)作,加上市場(chǎng)預期11月中旬要開(kāi)始準備年底旺季的備貨需求,根據集邦科技(DRAMeXchange)觀(guān)察,NAND Flash價(jià)格走勢在11月初已經(jīng)出現止跌回穩的現象。 隨著(zhù)NAND Flash供貨商5X納米制程產(chǎn)品供應量提高后,下游客戶(hù)采購顆粒開(kāi)始轉向以8Gb和16Gb MLC為主流,導致TSOP 4G MLC顆粒跌幅約為11%,相較于其它規格來(lái)得顯著(zhù)。有鑒于9月以來(lái)
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07年第三季NAND Flash廠(chǎng)營(yíng)收逼近39億美元
- 根據集邦科技(DRAMeXchange)最新出爐的第三季NANDFlash營(yíng)收市占率報告指出,NANDFlash品牌廠(chǎng)商在2007年第三季整體營(yíng)收表現亮麗,逼近三十九億美元,比第二季增長(cháng)了36.8%;整體NANDFlash位出貨量相較于第二季增長(cháng)約30%;而就營(yíng)收排行而言,三星(Samsung)如預期再度蟬連冠軍,東芝(Toshiba)居次,而海力士(Hynix)、美光(Micron)和英特爾(Intel)營(yíng)收均有顯著(zhù)的增長(cháng)。 由于第三季為傳統NANDFlash下游客戶(hù)的備貨旺
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IDC: 今年芯片銷(xiāo)售增速緩慢將促使08年猛增
- IDC在最新的《全球半導體市場(chǎng)預測》中預測,2007年全球芯片銷(xiāo)售收入增長(cháng)速度放慢將為2008年的大增長(cháng)奠定基礎。 據國外媒體報道,2007年全球芯片市場(chǎng)的增長(cháng)速度將只有4.8%,2006年的這一數字只有8.8%。IDC預測,2008年的增長(cháng)速度將達到8.1%。 報告指出,如果產(chǎn)能增長(cháng)速度在明年放緩和需求仍然保持緩慢,芯片市場(chǎng)的增長(cháng)速度會(huì )更快。市場(chǎng)潮流是合并和收購,這可能會(huì )改變業(yè)界的競爭格局。 IDC負責《全球半導體市場(chǎng)預測》的項目經(jīng)理戈帕爾說(shuō),今年上半年芯片市場(chǎng)的供過(guò)于求降低了對各
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IC單位出貨量強勁 面臨廠(chǎng)商無(wú)利潤繁榮局面
- 最近公布的數據顯示,2007年IC單位出貨量將增長(cháng)10%,略高于市場(chǎng)調研公司ICInsights最初預計的8%。自2002年以來(lái),IC單位出貨量一直保持兩位數的年增長(cháng)率。DRAM(49%)、NAND閃存(38%)、接口(60%)、數據轉換(58%)、和汽車(chē)相關(guān)的模擬IC(32%)出貨量強勁增長(cháng),正在推動(dòng)總體產(chǎn)業(yè)需求,并使IC出貨量保持在高位。 1980年以來(lái),IC產(chǎn)業(yè)單位出貨量有兩次實(shí)現連續三年保持兩位數增長(cháng)率,分別是1982-1984和1986-1988年。在這兩次之后,IC的單位出貨量增長(cháng)速
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統 單片機 IC DRAM NAND 模擬IC
觸控面板告急 NAND Flash廠(chǎng)失良機原地嘆息
- iPodTouch面板供貨不及,大量出貨日期延后,NANDFlash廠(chǎng)最著(zhù)急,NANDFlash價(jià)格反彈后繼無(wú)力。 據境外媒體報道,為迎圣誕買(mǎi)氣,各大NANDFlash廠(chǎng)商鉚足了勁,原本寄望因蘋(píng)果(Apple)iPodTouch成走紅圣誕禮物而大量出貨,借此將NANDFlash價(jià)格回升,然后,卻因iPodTouch的關(guān)鍵零組件觸控面板出現供貨不足,造成iPodTouch出貨量受限,繼而影響NANDFlash的出貨,真是急壞了NANDFlash廠(chǎng)商。 蘋(píng)果原計劃九月起開(kāi)始出貨,但因沒(méi)有足夠的
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統 單片機 NAND 液晶 集成電路 顯示技術(shù)
集成電路出貨量增長(cháng) 廠(chǎng)商面臨無(wú)利潤繁榮局面
- 最近公布的數據顯示,2007年IC單位出貨量將增長(cháng)10%,略高于市場(chǎng)調研公司ICInsights最初預計的8%。自2002年以來(lái),IC單位出貨量一直保持兩位數的年增長(cháng)率。DRAM(49%)、NAND閃存(38%)、接口(60%)、數據轉換(58%)、和汽車(chē)相關(guān)的模擬IC(32%)出貨量強勁增長(cháng),正在推動(dòng)總體產(chǎn)業(yè)需求,并使IC出貨量保持在高位。 1980年以來(lái),IC產(chǎn)業(yè)單位出貨量有兩次實(shí)現連續三年保持兩位數增長(cháng)率,分別是1982-1984和1986-1988年。在這兩次之后,IC的單位出貨量增長(cháng)速
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報告:9月全球微芯片銷(xiāo)售收入同比增長(cháng)5.9%
- 據美國半導體行業(yè)協(xié)會(huì )(SIA)周一稱(chēng),在PC和手機等消費電子產(chǎn)品需求的推動(dòng)下,今年9月份全球微芯片銷(xiāo)售收入增長(cháng)了5.9%。 9月份全球微芯片銷(xiāo)售收入從去年同期的213億美元增長(cháng)到了226億美元。今年第三季度全球微芯片銷(xiāo)售收入增長(cháng)6%,從去年同期的640億美元提高到了678億美元。 SIA總裁GeorgeScalise在聲明中稱(chēng),第三季度的全球銷(xiāo)售比今年第二季度增長(cháng)了13.2%反映了為圣誕節假日銷(xiāo)售準備產(chǎn)品的傳統模式已經(jīng)開(kāi)始。 消費電子產(chǎn)品的需求非常強勁。第三季度用于傳統消費電子產(chǎn)品的
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NAND和NOR flash詳解
- NOR和NAND是現在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著(zhù),1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結構,強調降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。 相“flash存儲器”經(jīng)??梢耘c相“NOR存儲器”互換使用。許多業(yè)內人
- 關(guān)鍵字: NAND NOR flash 集成電路 存儲器
各類(lèi)器件增長(cháng)強勁 出貨量增長(cháng)率預測調高
- 據市場(chǎng)調研公司ICInsights,2007年IC單位出貨量有望增長(cháng)10%。該公司先前的預測是增長(cháng)8%。 ICInsights將調高增長(cháng)率預測歸因于以下器件的出貨量強勁增長(cháng):DRAM(上升49%)、NAND閃存(上升38%)、接口IC(增長(cháng)60%)、數據轉換IC(上升58%)和汽車(chē)相關(guān)的模擬IC(上升32%)。 ICInsights表示,如果2007年IC單位出貨量增長(cháng)率達到10%或者更高水平,將是連續第六年以?xún)晌粩档乃俣仍鲩L(cháng),創(chuàng )下前所未有的強勁增長(cháng)紀錄。 ICInsights認為,
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報告稱(chēng):07年全球集成電路出貨量將增長(cháng)10%
- 10月21日消息,據外電報道,市場(chǎng)研究公司ICInsights將2007年全球集成電路(IC)出貨量增長(cháng)率從原來(lái)的8%提高到了10%。 這家研究公司把2007年全球集成電路出貨量的增長(cháng)歸功于一些集成電路產(chǎn)品出貨量的強勁增長(cháng),如DRAM內存出貨量增長(cháng)49%,NAND閃存出貨量增長(cháng)38%,接口集成電路出貨量增長(cháng)60%,數據轉換集成電路出貨量增長(cháng)58%,汽車(chē)模擬集成電路出貨量增長(cháng)32%。 ICInsights稱(chēng),如果2007年全球集成電路出貨量增長(cháng)率達到10%或者更高,這將是連續第六年的兩位增長(cháng)
- 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 集成電路 NAND 閃存
DRAM現貨市場(chǎng)持續走弱 合約市場(chǎng)交易冷清
- 現貨市場(chǎng)DDR2價(jià)格方面持續走弱;而DDR則因供應不足價(jià)格緩步盤(pán)堅。DDR2512MbeTT跌至1美元左右的新低價(jià)之后,暫時(shí)止跌并微幅反彈,在1.02至1.05美元震蕩,以1.03美元做收,跌幅為5.5%;DDR2512Mb667MHz則滑落至1.35美元,下跌2.9%。在DDR1市場(chǎng)方面,由于現貨市場(chǎng)供給數量仍舊不足,上周也曾出現缺貨狀況,價(jià)格持續小幅上揚,DDR512Mb400MHz以2.66美元做收,上漲5.6%。 十月份合約市場(chǎng)相當清淡,OEM拿貨意愿低落,部分廠(chǎng)商甚至認為,倘若預期十一
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統 單片機 DDR2 DRAM NAND MCU和嵌入式微處理器
第九代 v-nand介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條第九代 v-nand!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對第九代 v-nand的理解,并與今后在此搜索第九代 v-nand的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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