DRAM現貨市場(chǎng)持續走弱 合約市場(chǎng)交易冷清

　　現貨市場(chǎng)DDR2價(jià)格方面持續走弱;而DDR則因供應不足價(jià)格緩步盤(pán)堅。DDR2512MbeTT跌至1美元左右的新低價(jià)之后，暫時(shí)止跌并微幅反彈，在1.02至1.05美元震蕩，以1.03美元做收，跌幅為5.5%;DDR2512Mb667MHz則滑落至1.35美元，下跌2.9%。在DDR1市場(chǎng)方面，由于現貨市場(chǎng)供給數量仍舊不足，上周也曾出現缺貨狀況，價(jià)格持續小幅上揚，DDR512Mb400MHz以2.66美元做收，上漲5.6%。

　　十月份合約市場(chǎng)相當清淡，OEM拿貨意愿低落，部分廠(chǎng)商甚至認為，倘若預期十一月DRAM價(jià)格沒(méi)有反彈行情，下旬就沒(méi)有太大的拿貨意愿。十月截至目前為止，部分OEM甚至完全沒(méi)有任何采購DRAM的動(dòng)作，整體市況較九月上、下旬都還要冷清。

　　需求不振、供給過(guò)剩，近期市場(chǎng)依然疲弱

　　根據集邦科技(DRAMeXchange)最新觀(guān)察報告指出，縱使中國市場(chǎng)結束十一長(cháng)假，市場(chǎng)參與者皆已回籠，然而現貨市場(chǎng)成交量并無(wú)顯著(zhù)的放大。整體而言，十月需求在今年并未出現，加上目前大模塊廠(chǎng)應備的庫存水位已足夠，小模塊廠(chǎng)則是抱著(zhù)“貨好賣(mài)才買(mǎi)”的心態(tài)，使得現貨市場(chǎng)緩沖區機制消失，價(jià)格變得更為敏感?？v使量縮價(jià)格敏感，近期DDR2512MbeTT價(jià)格在跌至1美元附近后的反彈力道并不強，可見(jiàn)市場(chǎng)賣(mài)壓仍沉重。當今不論在現貨市場(chǎng)或合約市場(chǎng)，DDR2交投都相當冷清，買(mǎi)方意愿薄弱，近期就算有任何的利多，也未對市場(chǎng)產(chǎn)生太大的加溫跡象。

　　十月上旬NANDFlash合約價(jià)下跌0-10%;短期內可望相對持穩

　　十月上旬NANDFlash合約價(jià)平均跌幅在0-10%左右，其中MLC顆粒跌幅較大，主要是反應供貨商新制程所開(kāi)出的MLC產(chǎn)出量將在今年第四季有明顯增加;至于低容量的SLC顆粒，則因為供給量逐漸減少的關(guān)系，價(jià)格呈現止穩小漲的情況。自九月以來(lái)NANDFlash價(jià)格已經(jīng)大幅向下修正過(guò)，然而下游客戶(hù)以降價(jià)來(lái)刺激買(mǎi)氣，反應NANDFlash成本下降的動(dòng)作，通常會(huì )比較延滯一段時(shí)間。市場(chǎng)預期來(lái)自降價(jià)效應的買(mǎi)氣將在十月下旬至十一月才會(huì )逐漸浮現，因此集邦科技(DRAMeXchange)預期在短期內NANDFlash合約價(jià)格有機會(huì )相對持穩。