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第九代 v-nand
第九代 v-nand 文章 進(jìn)入第九代 v-nand技術(shù)社區
NAND閃存價(jià)格反彈 帶動(dòng)八月芯片銷(xiāo)售增長(cháng)
- 根據半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )SIA報告，2007年8月全球芯片銷(xiāo)售三月平均值達到215.2億美元，比2006年同期數字猛升4.9%。8月份銷(xiāo)售增長(cháng)超過(guò)分析師預測，比2007年7月的三月平均銷(xiāo)售額206.1億美元增長(cháng)4.5%。 SIA表示，增長(cháng)歸因于NAND閃存供應減少導致平均銷(xiāo)售價(jià)格反彈。8月份NAND閃存銷(xiāo)售價(jià)格比7月增長(cháng)19%，與2006年8月相比增長(cháng)48%。 SIA總裁GeorgeScalise表示，“8月份，正常的季節性增長(cháng)帶來(lái)全球半導體銷(xiāo)售連續健
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統 單片機 NAND 閃存 芯片 MCU和嵌入式微處理器
基于單片機控制的數字氣壓計設計與實(shí)現
- 摘要：介紹了一種精密數字氣壓計的軟硬件實(shí)現方法。該方法通過(guò)氣壓傳感器獲得與大氣壓相對應的模擬電壓值，并經(jīng)過(guò)V／F變換輸入到單片機進(jìn)行處理，從而實(shí)時(shí)顯示相應的氣壓值。用本文所述的方法制成的氣壓計攜帶方便，操作簡(jiǎn)單，精確度高，完全符合設計要求。 關(guān)鍵詞：氣壓計；氣壓傳感器；V／F轉換器； 單片機 １ 引言 氣壓計是利用壓敏元件將待測氣壓直接變換為容易檢測、傳輸的電流或電壓信號，然后再經(jīng)過(guò)后續電路處理并進(jìn)行實(shí)時(shí)顯示的一種設備。其中的核心元件就是氣壓傳感器，它在監視壓力大小、控制壓力變化以及物
- 關(guān)鍵字： 氣壓計 氣壓傳感器 V／F轉換器 單片機 MCU和嵌入式微處理器
NAND閃存價(jià)格走好 東芝晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能滿(mǎn)載利潤大漲
- Jefferies Japan高級分析員David Motozo Rubenstein日前透露，東芝(Toshiba)公司NAND閃存晶圓廠(chǎng)的產(chǎn)能利用率已經(jīng)處于最高位。 事實(shí)上，東芝公司的業(yè)務(wù)表現正在發(fā)生變化。David表示，“東芝認為供需形勢處于有利狀況，由于晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能利用率達到100%，公司不得不回絕了25%的訂單?！?還有更好的消息。NAND閃存“2006年平均售價(jià)下降70%，東芝曾經(jīng)預計2007年更進(jìn)一步下滑50%，但是到目前為止，價(jià)格還高于預計之上?！?價(jià)格已經(jīng)觸底
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C8051F的超大容量Flash存儲器擴展
- 摘要：NAND結構Flash數據存儲器件是超大容量數據存儲的理想選擇，當前被廣泛應用于U盤(pán)、MP3和數碼相機的數據存儲。本文對該類(lèi)型Flash的基本操作進(jìn)行研究并對實(shí)際應用系統給予驗證，揭示了NAND結構Flash的操作規律。 關(guān)鍵詞：NAND Flash 數據存儲 C8051F 引 言 大容量數據存儲是單片機應用系統的瓶頸，受到容量、功耗、尋址方式的約束。突破容量限制，可以很大程度上擴展和提高應用系統的總體功能。Sumsung公司的NAND結構Fla
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NAND閃存合同價(jià)格自六月以來(lái)首次下跌
- 九月，NAND閃存芯片合約價(jià)格自六月以來(lái)首次下跌，較早前已堆積的存貨將使內存制造商經(jīng)歷庫存增加壓力。 根據內存市場(chǎng)研究機構DRAMeXchange最新調查顯示，多層單元(MLC)NAND閃存的價(jià)格在9月上旬下降10%以上，而單層單元閃存(SLC)的價(jià)格則相對穩定。唯一主流NAND閃存即2Gb單層單元閃存可望價(jià)格有所回升。 據臺灣內存消息人士指出，韓國三星電子8月震驚業(yè)內，使得激烈價(jià)格上升。需求被昂貴的價(jià)格壓抑，反映在現貨市場(chǎng)價(jià)格疲弱。 雖然許多內存庫存商8月期間已經(jīng)減少其采購，最新的報價(jià)仍然加
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基于FPGA的NAND FLASH控制器
- 1 引言在便攜式電子產(chǎn)品如U盤(pán)、MP3播放器、數碼相機中，常常需要大容量、高密度的存儲器，而在各種存儲器中，NAND FLASH以?xún)r(jià)格低、密度高、效率高等優(yōu)勢成為最理想的器件。但NAND FLASH的控制邏輯比較復雜，對時(shí)序要求也十分嚴格，而且最重要的是NAND FLASH中允許存在一定的壞塊(壞塊在使用過(guò)程中還可能增加)，這就給判斷壞塊、給壞塊做標記和擦除等操作帶來(lái)很大的難度，于是就要求有一個(gè)控制器，使系統用戶(hù)能夠方便地使用NAND FLASH,為此提出了一種基于FPGA的NAND FLASH控制器的設
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三星產(chǎn)能轉向NAND閃存 公司市場(chǎng)份額猛增
- iSuppli公司日前表示，2007年第2季度三星電子(Samsung)NAND閃存銷(xiāo)售額達到14億美元，比第1季度的12億美元增長(cháng)18.9%。三星在2007年上半年將部分產(chǎn)能從DRAM轉向NAND閃存，該公司的NAND市場(chǎng)份額猛增至45.9%，比1季度的44.1%高幾乎兩個(gè)百分點(diǎn)。 iSuppli內存/存儲系統首席分析師NamHyungKim表示，“三星第2季度表現強勁主要是按容量計算增長(cháng)11%，出貨量增加歸功于擴大蘋(píng)果iPhone和iPod等消
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PISMO顧問(wèn)委員會(huì )發(fā)布新2.0多媒體標準
- 致力于簡(jiǎn)化系統級存儲驗證和測試的業(yè)界組織 PISMO顧問(wèn)委員會(huì )近日宣布，PISMO 2.0多媒體標準已通過(guò)審批。這一針對目前PISMO2.0規范的全新多媒體擴展版為芯片組和存儲供應商增加了 MMC存儲接口支持，從而滿(mǎn)足手機和消費產(chǎn)品中存儲豐富媒體內容的需求。PISMO™顧問(wèn)委員會(huì )于2004年由Spansion和ARM創(chuàng )建，目前共有15家成員公司。 新增MMC支持后，PISMO多媒體規范使設計者可以方便地在不同廠(chǎng)商提供的開(kāi)發(fā)平臺上測試多種存
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三星調高閃存價(jià)格 帶動(dòng)內存價(jià)格上升
- 在三星向外界透露位于韓國的工廠(chǎng)于8月3日因故停產(chǎn)后，各廠(chǎng)商均密切關(guān)注該事件對NAND閃存價(jià)格造成的影響。業(yè)界預測DRAM內存合同價(jià)在8月還將上升。 業(yè)界預測DRAM內存合同價(jià)在8月還將上升，同時(shí)受三星電子上周一因某工廠(chǎng)停產(chǎn)的影響，NAND閃存的價(jià)格也持續攀升。三星近日提高了NAND閃存在現貨市場(chǎng)的價(jià)格，力晶半導體公司(Powerchip Semiconductor Corporation,PSC)因此也調高了eTT DRAM內存的報價(jià)。 在三星向外界透露
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 閃存
三星停電事故造成NAND Flash供需更加吃緊
- NAND Flash供需出現進(jìn)一步緊繃的狀況。究其原因，除年底旺季需求增加外，最大廠(chǎng)之Samsung工廠(chǎng)3日發(fā)生停電事故，導致市場(chǎng)產(chǎn)生供給量減少之預期亦是主因。然而合約價(jià)部份，由于廠(chǎng)商仍存在過(guò)度上漲，可能造成需求冷卻之疑慮。因此，即使上漲也應止于小幅上揚。 Samsung之京畿道器興市主力工廠(chǎng)3日發(fā)生大規模停電，生產(chǎn)NAND Flash等之6條生產(chǎn)線(xiàn)全部停止運轉。雖然4日恢復運轉，但原本部份制造中的產(chǎn)品將廢棄?，F階段Samsung與市場(chǎng)上仍有一定庫存量，9月份實(shí)際供給
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NAND閃存迎來(lái)大發(fā)展 新芯片工藝是轉折點(diǎn)
- 據閃存技術(shù)的最大支持者之一稱(chēng)，閃存將“接管”整個(gè)世界。 本周三，SanDisk CEO Eli Harari在“閃存峰會(huì )”上說(shuō)，一方面，NAND閃存正在打跨競爭對手。NAND已經(jīng)使1英寸硬盤(pán)失去了用武之地，現在，它又對1.8英寸，甚至是更大的2.5英寸筆記本電腦硬盤(pán)構成了威脅。 他說(shuō)，NAND下一個(gè)大市場(chǎng)將是視頻，明年，市場(chǎng)上將會(huì )出現配置了更多閃存的相機和拍照手機。明年，市場(chǎng)上還將出現更多的閃存筆記本電腦。 在未來(lái)的5-7年內，NAND還將開(kāi)始取代DRAM。由于技
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NAND缺貨潮空襲 存儲卡小廠(chǎng)幾乎倒一半
- 2007年NAND Flash價(jià)格走勢戲劇化，但對下游廠(chǎng)商而言，可謂是幾家歡樂(lè )幾家愁，一線(xiàn)快閃記憶卡大廠(chǎng)樂(lè )得NAND Flash價(jià)格止跌反彈，終止長(cháng)達1年的慘淡經(jīng)營(yíng)時(shí)期；然對于產(chǎn)業(yè)中的二、三線(xiàn)記憶卡廠(chǎng)而言，這波NAND Flash價(jià)格大漲的行情，反而不是什么好消息。因為小廠(chǎng)的拿貨能力有限，當上游NAND Flash大廠(chǎng)供給一夕大減，連一線(xiàn)大廠(chǎng)都不見(jiàn)得拿得到足夠的貨源時(shí)，等于是宣判小廠(chǎng)正式出局！ 業(yè)界表示，這波NAND Flash價(jià)格上漲除了是蘋(píng)果(Ap
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Q2三星NAND Flash市占率43.9%
- 集邦科技昨天公布第二季全球NAND Flash銷(xiāo)售排名，南韓三星(Samsung)第二季市占率達43.9%，穩居全球龍頭寶座，日本東芝 (Toshiba)居次，海力士 (Hynix)位居第三；包括三星等前三大廠(chǎng)合計市占率達85.5%，市場(chǎng)集中度高。集邦科技表示，第二季由于制造商暫緩產(chǎn)能擴充計劃，加上大廠(chǎng)們新制程技術(shù)轉換仍處調整期，因此整體NAND Flash位產(chǎn)出量?jì)H維持與第一季相當水平，不過(guò)受惠于產(chǎn)品價(jià)格止跌大幅彈升1成以上水平，帶動(dòng)NANDFlash制造廠(chǎng)銷(xiāo)售
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 閃存
第九代 v-nand介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條第九代 v-nand!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對第九代 v-nand的理解，并與今后在此搜索第九代 v-nand的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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