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第九代 v-nand
第九代 v-nand 文章 進(jìn)入第九代 v-nand技術(shù)社區
中芯國際切入NAND閃存市場(chǎng)
- 在iPhone的帶動(dòng)下，NAND閃存市場(chǎng)近期一片大好，國內的晶元代工大廠(chǎng)中芯國際也抵制不住NAND閃存市場(chǎng)的誘惑，在近期宣布，下半年將開(kāi)始量產(chǎn)2Gb NAND閃存顆粒并已經(jīng)投入8Gb NAND閃存顆粒的研發(fā)，預計明年將成為全球重要的NAND閃存顆粒供應廠(chǎng)之一。 受到今年Q2內存價(jià)格崩盤(pán)以及0.13微米制程代工競爭激烈影響，國內晶元代工大廠(chǎng)中芯國籍Q2營(yíng)收出現約200萬(wàn)美元左右的稅后虧損。做為晶元代工
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微軟聯(lián)手英特爾戴爾開(kāi)發(fā)標準NAND閃存接口
- 5月31日消息，美國當地時(shí)間5月30日，微軟公司宣布將與英特爾、戴爾結成合作伙伴關(guān)系，開(kāi)發(fā)面向PC的標準NAND閃存接口。 據techspot網(wǎng)站報道稱(chēng)，名為“非揮發(fā)性?xún)却嬷鳈C控制器接口組織”的這一組織是由英特爾倡導成立的，旨在利用閃存加速現代操作系統中的功能，例如Windows Vista中的ReadyBoost和ReadyDrive。 該組織希望能夠加速其標準的普及，從而使其優(yōu)勢得到真正的體驗。英特爾或其它廠(chǎng)商是否會(huì )將這一接口提供給Windows之外的其它軟件還不得而知，但從該組
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NAND Flash和NOR Flash的比較
- NOR和NAND是現在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著(zhù)，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后，仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。 相“flash存儲器”經(jīng)?？梢耘c相“NOR存儲器”互換使用。許多業(yè)內人士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對于NOR技術(shù)的優(yōu)越之處，因
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臺模塊廠(chǎng)飽受NAND Flash缺貨之苦 三星陣營(yíng)臺廠(chǎng)壓力倍增
- 相較于DRAM價(jià)格萎靡不振，近期南韓內存大廠(chǎng)三星電子(Samsung Electronics)對于拉抬NAND型閃存( Flash)市場(chǎng)不遺余力，然最令客戶(hù)頭痛的問(wèn)題是，目前三星電子受限于產(chǎn)能問(wèn)題，釋出給臺廠(chǎng)NAND Flash貨源仍相當有限，各模塊廠(chǎng)都飽受缺貨之苦，而隸屬于東芝(Toshiba)陣營(yíng)的客戶(hù)，尤其是內存模塊大廠(chǎng)金士頓(Kingston)，由于東芝給予的成本較低，最近在大陸市場(chǎng)低價(jià)策略越來(lái)越積極，這讓與三星電子站在同一陣營(yíng)的臺廠(chǎng)壓力倍增。 近期三星電子不斷釋出N
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DRAM價(jià)格或將觸底，NAND供應商加快開(kāi)發(fā)內置產(chǎn)品
- 據Dramexchange消息，4月下半月的DRAM合約價(jià)格下跌到了20美元左右，這也影響到了現貨市場(chǎng)的價(jià)格走勢。面向2007年下半年P(guān)C銷(xiāo)售旺季，PC廠(chǎng)商將增加庫存，預計DRAM需求將隨之增長(cháng)。因此，DRAM價(jià)格可能在2007年下半年觸底。價(jià)格持續下滑，已使DRAM廠(chǎng)商瀕臨虧損。向更先進(jìn)的生產(chǎn)工藝轉移，以及提高1GB芯片的出貨量，將是決定2007年下半年DRAM廠(chǎng)商業(yè)績(jì)的兩大因素。由于需求仍然疲軟，現貨市場(chǎng)的價(jià)格環(huán)境保持低迷。DDR2 512MB 667MHz跌到了2.57美元附近，DDR2 eTT跌到
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東芝推出業(yè)界容量最大的嵌入式 NAND 閃存
- 東芝公司 (Toshiba Corp.) 與其美洲子公司東芝美國電子元件公司 (Toshiba America Electronic Components, Inc.) 聯(lián)合宣布，該公司已經(jīng)推廣了一種新型嵌入式 NAND 閃存系列產(chǎn)品，這一系列產(chǎn)品遵從了 eMMC 標準并且容量達到該行業(yè)之最。這種容量為 16GB 的新設備旨在應用于手機和攝像機等移動(dòng)消費產(chǎn)品。樣品將于今年第二季度推出市場(chǎng)，大批量的生產(chǎn)將于第四季度開(kāi)始。在這之前，東芝將在本月開(kāi)始推出 8GB 樣品，并將于第三季度開(kāi)始大規模生產(chǎn)。
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從NAND閃存中啟動(dòng)U-BOOT的設計
- 引言 隨著(zhù)嵌入式系統的日趨復雜,它對大容量數據存儲的需求越來(lái)越緊迫。而嵌入式設備低功耗、小體積以及低成本的要求,使硬盤(pán)無(wú)法得到廣泛的應用。NAND閃存設備就是為了滿(mǎn)足這種需求而迅速發(fā)展起來(lái)的。目前關(guān)于U-BOOT的移植解決方案主要面向的是微處理器中的NOR 閃存，如果能在微處理器上的NAND 閃存中實(shí)現U-BOOT的啟動(dòng)，則會(huì )給實(shí)際應用帶來(lái)極大的方便。 U-BOOT簡(jiǎn)介 U-BOOT 支持ARM、 PowerPC等多種架構的處理器，也支持Linux、NetBSD和VxWorks等多種操作系統，主要
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Micron35億美金押寶NAND閃存
- 美國半導體廠(chǎng)商Micron美光表示，他們將于2007年在NAND閃存業(yè)務(wù)上投入35億美金的巨資，以擴充生產(chǎn)NAND閃存的設備之用。 產(chǎn)業(yè)分析師認為，美光之所以35億美金巨資押寶NAND閃存，一方面在于看好NAND閃存在計算機產(chǎn)品、消費電子產(chǎn)品上的應用前景，另外，美光也希望借此在和三星電子、東芝等競爭對手的NAND大戰當中保持優(yōu)勢地位。 美光之前和Intel合資成立IM Flash公司，目前的主營(yíng)業(yè)務(wù)就是NAND閃存。
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SanDisk擬降NAND價(jià)格 將再引業(yè)界地震
- 據臺灣SanDisk公司內部人士透露，公司將在本周將其N(xiāo)AND閃存的價(jià)格降低10％到15％。 知情人士稱(chēng)，SanDisk公司此次對其N(xiāo)AND閃存制成品的價(jià)格調整將在全球范圍內同時(shí)展開(kāi)，而不是針對某一地區市場(chǎng)進(jìn)行。這將是SanDisk公司在今年進(jìn)行的第四次產(chǎn)品降價(jià)，業(yè)內觀(guān)察員指出，每次SanDisk公司對產(chǎn)品價(jià)格進(jìn)行調整都會(huì )對整個(gè)業(yè)界的價(jià)格體系造成一定影響。 業(yè)內人士預計，Sandisk公司即將進(jìn)行的產(chǎn)品價(jià)格調整可能會(huì )在業(yè)內
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ST NAND閃存數據吞吐量創(chuàng )造世界記錄
- 單片多級單元NAND閃存內嵌功能強大的5位糾錯機制降低下傳時(shí)間50% 意法半導體公布了數據吞吐量創(chuàng )世界記錄的4Gigabit NAND閃存的技術(shù)細節，ST新閃存芯片的數據吞吐量高達36MB/s, 比今天市場(chǎng)上的最好成績(jì)還高大約50%。 新芯片內嵌一個(gè)功能強大的糾錯處理器，每頁(yè)可以改正最多五個(gè)錯誤，為高度可靠性和高速數據傳輸提供了保證，同時(shí)還簡(jiǎn)化了存儲系統的設計，在舊金山國際固態(tài)電路大會(huì )(ISSCC) 上，意法半導體和韓國現代海力士（Hynix）的研究人員
- 關(guān)鍵字： NAND ST 嵌入式系統
第九代 v-nand介紹
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對第九代 v-nand的理解，并與今后在此搜索第九代 v-nand的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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