第九代 v-nand 文章進(jìn)入第九代 v-nand技術(shù)社區

TDK推出兼容U.DMA6的GBDriver RA8系列NAND閃存控制器LSI　

　　TDK 公司日前宣布開(kāi)發(fā)出GBDriver RA8系列NAND閃存控制器LSI，該產(chǎn)品計劃于九月份開(kāi)始銷(xiāo)售。　　GBDriver RA8系列是用于U.DMA6的高速NAND控制器IC，與2K字節/頁(yè)和4K字節/頁(yè)的NAND閃存兼容。該控制器支持單級單元（SLC）和多級單元（MLC） NAND 閃存，實(shí)現了從128M字節到1 G字節（SLC）和256M字節到32G字節（MLC）的高速閃存存儲容量，因而該控制器適用的應用領(lǐng)域非常廣泛。此外，該控制器具有128 針TQPF 封裝方式和121 針VF
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Hynix與Numonyx簽5年協(xié)議共同開(kāi)發(fā)NAND技術(shù)

　　據國外媒體報道，近日，全球第二大電腦記憶體晶片制造商Hynix表示，已與意法半導體(STMicroelectronics NV)和英特爾的合資公司Numonyx BV簽署了一項為期五年的協(xié)議，拓展其在快速增長(cháng)的NAND閃存領(lǐng)域的共同開(kāi)發(fā)項目。　　據國外媒體報道，根據協(xié)議內容，兩家公司將合作擴大NAND產(chǎn)品線(xiàn)，推出新產(chǎn)品和實(shí)現技術(shù)創(chuàng )新，從而應對未來(lái)五年NAND技術(shù)所面臨的挑戰。　　根據協(xié)議內容，Hynix和Numonyx將共同開(kāi)發(fā)技術(shù)項目，聯(lián)合提供領(lǐng)先的NAND存儲技術(shù)和產(chǎn)品，并進(jìn)行資源整合以促
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恒憶與海力士擴大合作共同推廣創(chuàng )新的NAND閃存技術(shù)與產(chǎn)品

　　恒憶（Numonyx）今天宣布與海力士半導體公司達成為期五年的協(xié)議，在飛速增長(cháng)的NAND閃存領(lǐng)域擴展聯(lián)合開(kāi)發(fā)計劃。針對NAND技術(shù)在未來(lái)五年面臨的挑戰，兩家公司將擴大NAND產(chǎn)品線(xiàn)并共同研發(fā)未來(lái)產(chǎn)品，進(jìn)行技術(shù)創(chuàng )新。　　根據新協(xié)議，恒憶和海力士將擴大聯(lián)合開(kāi)發(fā)的范圍，共同提供領(lǐng)先的NAND存儲器技術(shù)和產(chǎn)品，并且整合資源以加快未來(lái)NAND技術(shù)及解決方案的開(kāi)發(fā)。在應用于手機多芯片封裝的移動(dòng)DRAM領(lǐng)域，雙方也將進(jìn)行合作。　　恒憶總裁兼首席執行官Brian Harrison表示："未來(lái)五年，在
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微控制器的市場(chǎng)前景及發(fā)展趨勢

　　微控制器廣泛應用于各種小型電器，隨著(zhù)技術(shù)的發(fā)展，其不但價(jià)格低廉，而且功能越來(lái)越強大。由于家用電器、手持式消費電子產(chǎn)品、手持式通信裝置和車(chē)用電子等領(lǐng)域的市場(chǎng)推動(dòng)，微控制器的使用量越來(lái)越大而且表現出了更新?lián)Q代的趨勢。預計在未來(lái)的市場(chǎng)中，低階應用將會(huì )以8位微控制器為主，而高階應用將會(huì )由32位微控制器稱(chēng)霸。當然，也有可能沖出一個(gè)比32位微控制器更強大的產(chǎn)品，如果能夠控制成本，則32位微控制器將面臨很快被淘汰的命運。不過(guò)就目前的情形來(lái)看，32位微控制器將在市場(chǎng)中活躍一陣子。其市場(chǎng)占有率將會(huì )逐漸上升，到2010年
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蘋(píng)果大量訂購NAND芯片：三星預警缺貨

　　據我國臺灣省的一家媒體報道稱(chēng)，三星對其客戶(hù)發(fā)出預警，因蘋(píng)果大量訂購NAND閃存芯片，預計這類(lèi)芯片將在一段時(shí)間內缺貨。　　當地時(shí)間本周三，《電子時(shí)報》報道稱(chēng)，三星在對其客戶(hù)發(fā)出的預警中表示，蘋(píng)果最近向三星訂購了5000萬(wàn)顆8Gb的NAND閃存芯片，計劃用于3G版iPhone上；想必大家都聽(tīng)說(shuō)此事了。因此三星的其它客戶(hù)需要等上一段時(shí)間后才能收到三星的發(fā)貨。三星是蘋(píng)果的固定供應商之一，兩家公司在2005年簽署了NAND閃存供貨合同。　　蘋(píng)果這次訂購的NAND閃存芯片總容量相當于5000萬(wàn)GB(8Gb
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五月份全球半導體銷(xiāo)售增長(cháng)7.5%達到218億美元

　　【eNet硅谷動(dòng)力消息】半導體工業(yè)協(xié)會(huì )公布月度報告顯示，今年五月份全球半導體的銷(xiāo)售收入從去年同期的203億美元增長(cháng)了7.5%達到218億美元。受到全球消費電子產(chǎn)品銷(xiāo)售強勁和美國消費性支出好轉的推動(dòng)，五月份半導體銷(xiāo)售收入比四月份增長(cháng)了2.8%，四月份全球半導體銷(xiāo)售收入為212億美元。　　數據顯示，在半導體銷(xiāo)售中，計算機是最大的終端市場(chǎng)。今年前五個(gè)月，全球半導體銷(xiāo)售收入達到1034億美元，比去年同期增長(cháng)了5.3%。　　半導體工業(yè)協(xié)會(huì )總裁George Scalise在一份聲明中表示，盡管有媒體報告了
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全球閃存市場(chǎng)達254億美元廠(chǎng)商Q4投身30nm制程

　　據外電報道，NAND Flash(閃存)制造廠(chǎng)制程技術(shù)持續不斷推進(jìn)，集邦科技表示，各Flash制造廠(chǎng)自今年第四季起將陸續轉進(jìn)30納米制程技術(shù)。　　根據美光預估，今年全球NAND Flash市場(chǎng)可望增長(cháng)至254億美元規模，除了目前一般數字影音播放器、UFD(通用串行總線(xiàn)閃存儲存驅動(dòng)器)、記憶卡等應用外，也相當看好移動(dòng)儲存市場(chǎng)的發(fā)展潛力。　　為降低生產(chǎn)成本，強化競爭力，NAND Flash制造廠(chǎng)持續不斷進(jìn)行制程技術(shù)微縮，其中IM Flash陣營(yíng)已宣示，34納米制程技術(shù)將于今年第四季投產(chǎn)。韓國三星電
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旺盛需求助HDD業(yè)渡過(guò)低迷時(shí)期

　　據iSuppli公司，市場(chǎng)對于容量高達1TB而且價(jià)格適中的存儲裝置的旺盛需求，正在經(jīng)濟困難時(shí)期維持硬盤(pán)(HDD)產(chǎn)業(yè)的生存。　　與NAND閃存芯片產(chǎn)業(yè)不同，HDD廠(chǎng)商一直能夠通過(guò)學(xué)習控制成本來(lái)抵抗經(jīng)濟放緩和需求下滑的嚴重沖擊。另外，由于新應用程序占用的硬盤(pán)空間越來(lái)越大，PC也需要更大的存儲容量，這有利于硬盤(pán)產(chǎn)業(yè)。只要對存儲容量的需求保持增長(cháng)，硬盤(pán)產(chǎn)業(yè)就能設法滿(mǎn)足需求。　　出貨量保持兩位數增長(cháng)率　　2008年第一季度，硬盤(pán)廠(chǎng)商出貨量為1.37億個(gè)，比去年同期增長(cháng)21%，大部分流向五個(gè)主要領(lǐng)域
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iSuppli維持對NAND閃存市場(chǎng)狀況的“負面”評級

　　由于NAND閃存市場(chǎng)仍然充滿(mǎn)挑戰，iSuppli公司維持對供應商近期形勢的“負面”評級，并重申了對于2008年全球市場(chǎng)銷(xiāo)售額增長(cháng)9%的預測。　　美國經(jīng)濟低迷導致消費需求減弱，NAND需求也出現下滑跡象，促使iSuppli公司去年11月首次對該市場(chǎng)作出負面評估。NAND閃存大量用于個(gè)人媒體播放器(PMP)、數碼相機和手機等消費電子產(chǎn)品之中，因此與其它存儲芯片相比受經(jīng)濟形勢的影響更大。　　這種評估得到了媒體報道與NAND供應商英特爾的業(yè)績(jì)預警的證實(shí)。英特爾在3月份警告稱(chēng)，由
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東芝停制200毫米NAND閃存主攻300毫米芯片

　　6月24日消息，由于NAND閃存產(chǎn)業(yè)處于低迷時(shí)期，東芝計劃減少其N(xiāo)AND閃存芯片產(chǎn)量。　　據國外媒體報道稱(chēng)，東芝計劃停止在FlashVision制造NAND閃存。FlashVision是東芝與SanDisk的合資企業(yè)，該公司采用200毫米晶圓片生產(chǎn)閃存芯片。東芝將主要采用300毫米晶圓片生產(chǎn)NAND閃存芯片。　　東芝將收購FlashVision的部分生產(chǎn)設備，并將它們用于該公司位于四日市或其它地方的工廠(chǎng)。FlashVision將把剩余的設備出售給第三方廠(chǎng)商。　　東芝半導體公司首席執行官兼東
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半導體產(chǎn)業(yè)是否進(jìn)入“無(wú)利潤繁榮”時(shí)代？

　　半導體產(chǎn)業(yè)是否進(jìn)入了“無(wú)利潤繁榮”時(shí)代？半導體產(chǎn)業(yè)是否無(wú)法再獲得足夠的投資回報率來(lái)滿(mǎn)足空前高漲的產(chǎn)能需求？在美國加州HalfMoonBay舉行的“SEMI產(chǎn)業(yè)戰略座談會(huì )”（SEMIIndustryStrategySymposium）上，LamResearch總裁兼CEOStephenNewberry針對產(chǎn)業(yè)的狀態(tài)發(fā)表了觀(guān)點(diǎn)，并指出目前復雜的財務(wù)狀況用“無(wú)利潤繁榮”來(lái)描述是再合適不過(guò)的了。Newberry的講話(huà)被與會(huì )者評價(jià)為此次座談
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F／V轉換器在船模試驗水池拖車(chē)控制系統中的應用

　　在船池拖車(chē)控制系統中，拖車(chē)速度給定信號由控制臺撥碼盤(pán)給出，經(jīng)F／V變換成與速度成正比的給定電壓信號U1。拖車(chē)測速反饋裝置將拖車(chē)的實(shí)際運行速度轉變成脈沖信號，也經(jīng)F／V變換成與速度成正比的反饋電壓信號U2。由控制器對給定電壓信號U1和反饋電壓信號U2進(jìn)行處理，控制拖車(chē)電機電樞供電電壓即可獲得不同的運行速度。　　1 LM331概述　　LM331是專(zhuān)用的F／V轉換集成電路，內含能隙基準電源，具有很高的轉換精度及溫度穩定性。而且頻率適應范圍寬、線(xiàn)性好、外圍電路簡(jiǎn)單。LM331內部結構框圖及相關(guān)外圍元件
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2008年全球半導體市場(chǎng)將出現從緊態(tài)勢

　　市場(chǎng)調研機構Gartner公司最近發(fā)布報告，稱(chēng)由于受到美國經(jīng)濟低迷和DRAM芯片市場(chǎng)拖累，預計2008年全球半導體廠(chǎng)商支出將下降19.8%，達475億美元。　　Gartner公司負責半導體制造業(yè)務(wù)調查的副總裁Klaus Rinnen表示，“原來(lái)所預測的DRAM芯片的投資泡沫終于破裂了，大多數廠(chǎng)商選擇了從緊的投資策略。就當前的市場(chǎng)行情，預計今年DRAM市場(chǎng)支出將減少47%，而整個(gè)存儲芯片市場(chǎng)費用支出將減少29%”。　　Gartner還稱(chēng)，預計今年全球用于芯片設
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08年全球MP3/PMP將托起閃存芯片銷(xiāo)量

　　MP3/PMP市場(chǎng)在經(jīng)過(guò)4Q07傳統旺季的促銷(xiāo)熱賣(mài)，達到單季6,300萬(wàn)臺以上的銷(xiāo)售紀錄后，1Q08在淡季因素的效應影響下，出貨量銳減至4,258萬(wàn)臺。以目前全球MP3/PMP市場(chǎng)來(lái)看，Apple仍是MP3/PMP市場(chǎng)的領(lǐng)導品牌，今年第一季Apple在北美MP3/PMP市場(chǎng)的市占率達73%，全球市場(chǎng)其它的一線(xiàn)品牌尚包含Samsung、SanDisk、Sony、Creative與Philips等。　　單以Apple目前的iPod系列產(chǎn)品來(lái)看，最引人關(guān)注的是高階機種iPod Touch在2008年2月
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英特爾美光推指甲芯片工藝最先進(jìn)容量翻番

　　【賽迪網(wǎng)訊】5月30日消息，當地時(shí)間本周四，英特爾和美光科技公布了它們聯(lián)合開(kāi)發(fā)的將催生大容量廉價(jià)固態(tài)硬盤(pán)的34納米工藝、32Gb容量的NAND閃存芯片。　　據國外媒體報道稱(chēng)，新款閃存芯片的尺寸大小不及指甲蓋大小、利用300毫米晶圓片制造。英特爾官員稱(chēng)，這款閃存芯片是當前工藝最先進(jìn)的NAND閃存芯片，將為在小型設備上提供廉價(jià)、大容量的固態(tài)硬盤(pán)奠定基礎。　　兩家公司計劃6月份交付樣品芯片，批量生產(chǎn)會(huì )在今年下半年開(kāi)始。　　據英特爾講，基于其新NAND閃存設計的一個(gè)32Gb芯片可以存儲2000張高
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