年終旺季需求支撐，NAND FLASH合約價(jià)短期平穩

　　11月上旬NAND Flash合約價(jià)格大致跌幅約為0-5%，比前兩個(gè)月跌幅明顯縮小，主要是因為下游客戶(hù)在10月已陸續進(jìn)行降低庫存的動(dòng)作，加上市場(chǎng)預期11月中旬要開(kāi)始準備年底旺季的備貨需求，根據集邦科技(DRAMeXchange)觀(guān)察，NAND Flash價(jià)格走勢在11月初已經(jīng)出現止跌回穩的現象。

　　隨著(zhù)NAND Flash供貨商5X納米制程產(chǎn)品供應量提高后，下游客戶(hù)采購顆粒開(kāi)始轉向以8Gb和16Gb MLC為主流，導致TSOP 4G MLC顆粒跌幅約為11%，相較于其它規格來(lái)得顯著(zhù)。有鑒于9月以來(lái)NAND Flash價(jià)格的連續下跌幅度已大，集邦科技預期NAND Flash合約價(jià)在年終假期銷(xiāo)售旺季前的需求支持下，短期內可望呈現平穩的走勢。

　　而過(guò)去數月，下游閃存卡業(yè)者生產(chǎn)1GB microSD時(shí)，一直面臨原料不足的窘境，主要是因為上游供貨商的5X納米8Gb晶圓產(chǎn)出有限;隨著(zhù)供貨商制程良率的不斷改善，集邦科技預估今年底前缺貨問(wèn)題將可逐漸獲得緩解。

　　原本下游閃存卡業(yè)者生產(chǎn)1GB microSD是用兩顆6X納米的4Gb芯片堆棧封裝，但隨著(zhù)上游供貨商的制程能力提升，業(yè)者可以只用一顆5X納米的8Gb芯片進(jìn)行封裝，對于生產(chǎn)1GB microSD上有相對的成本優(yōu)勢存在;隨著(zhù)供貨商5X納米8Gb良率問(wèn)題已逐漸解決，閃存卡業(yè)者將較能滿(mǎn)足手機用戶(hù)在旺季對1GB microSD的強勁需求，使其在旺季的業(yè)績(jì)也將因此而受惠提升。