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第九代 v-nand
第九代 v-nand 文章 進(jìn)入第九代 v-nand技術(shù)社區
商刊：英特爾NAND閃存面臨多重問(wèn)題
- 北京時(shí)間3月5日《商業(yè)周刊》文章指出，由于美國經(jīng)濟衰退導致電腦和消費電子產(chǎn)品銷(xiāo)售增長(cháng)減速，對英特爾的NAND閃存芯片業(yè)務(wù)的利潤造成很大壓力。 英特爾在2005年下半年宣布與美光科技組成合資公司，共同研發(fā)和生產(chǎn)一種名為NAND閃存的內存芯片，這種芯片被廣泛應用于各種消費電子產(chǎn)品。兩年多來(lái)，英特爾巧妙地避過(guò)了那些芯片的價(jià)格波動(dòng)。 全球最大電腦芯片廠(chǎng)商英特爾在3月3日晚間宣布，它預計其第一季度毛利率將在54%左右，低于之前作出的56%的預期目標。主要原因在于：NAND閃存的價(jià)格低于預期水平。在第
- 關(guān)鍵字： 英特爾 NAND
NAND和NOR flash詳解
- NOR和NAND是現在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著(zhù)，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后，仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。
- 關(guān)鍵字： NAND NOR flash
分析師稱(chēng)NAND閃存市場(chǎng)可能再次面臨崩潰
- 在最近發(fā)生了產(chǎn)品種類(lèi)短缺和平均銷(xiāo)售價(jià)格走平之后，NAND閃存市場(chǎng)可能會(huì )再一次崩潰。 據Needham&Co.LLC公司位分析師EdwinMok稱(chēng)，全球最大的NAND閃存買(mǎi)主蘋(píng)果計算機公司在12月和1月期間減少了三種類(lèi)型NAND閃存芯片的采購?，F在NAND閃存還沒(méi)有殺手應用。這些因素都會(huì )對NAND閃存市場(chǎng)產(chǎn)生影響。 Mok稱(chēng)，蘋(píng)果在2006年就曾采取過(guò)同樣的減少采購的行動(dòng)，導致了2006年1至9月NAND閃存芯片的供應量超過(guò)了需求的70%和價(jià)格的下降。 這位分析師稱(chēng)，雖然自從2
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存 芯片
內存產(chǎn)業(yè)2008年再纏斗 戰線(xiàn)不斷擴大
- 快閃內存產(chǎn)業(yè)的發(fā)展在2007年有點(diǎn)出乎各界意料，整個(gè)產(chǎn)業(yè)的高點(diǎn)反而是落在第一季底，第二、三季深受NAND Flash缺貨所苦，大家的發(fā)展反而綁手綁腳，一路往下滑;2007下半年不但沒(méi)有傳統的消費性電子產(chǎn)品旺季出現，反而NAND Flash價(jià)格劇烈的忽上忽下，可說(shuō)是一團混亂，終于2007年第四季面臨了NAND Flash崩跌走勢，雖然大家對于「寒流」來(lái)襲，都已有心理準備，但仍是不敢大意。 TRI觀(guān)點(diǎn)： 2007年內存產(chǎn)業(yè)的變化多端，出乎大家的意料，然而其中影響甚巨的一個(gè)事件，就是Samsun
- 關(guān)鍵字： 內存 NAND Flash MCU和嵌入式微處理器
Gartner:08全球半導體設備開(kāi)支將降9.9%
- 據市場(chǎng)研究公司Gartner最新發(fā)表的研究報告稱(chēng)，2008年全球半導體設備開(kāi)支預計將達到403億美元，比2007年的448億美元減少9.9%。 Gartner半導體生產(chǎn)事業(yè)部副總裁KlausRinnen稱(chēng)，2007年的特點(diǎn)是DRAM內存不顧供過(guò)于求的現實(shí)繼續加大投資、NAND閃存開(kāi)支增速減緩和代工廠(chǎng)商恢復開(kāi)支的狀況令人失望。在2008年，我們預計隨著(zhù)DRAM內存市場(chǎng)將糾正資本開(kāi)支的長(cháng)期錯誤，半導體主要設備市場(chǎng)的開(kāi)支將減少。代工廠(chǎng)商開(kāi)支增長(cháng)速度減緩和由于擔心美國經(jīng)濟衰退而采取的謹慎態(tài)度都是造成20
- 關(guān)鍵字： 半導體 NAND 閃存 IC自動(dòng)測試設備 ATE
供大于求 明年NAND閃存市場(chǎng)難以復蘇
- 比特網(wǎng)(ChinaByte) 12月27日消息(羽人 編譯) 據國外媒體報道，內存模塊制造商消息人士稱(chēng)，NAND閃存市場(chǎng)仍將處于供大于求的局面，這不僅對現貨市場(chǎng)造成了影響，而且還影響了12月份中下旬的產(chǎn)品合同價(jià)格。 12月份中下旬的8Gb MLC芯片的合同價(jià)格下降了13-25%，平均為3.48美元，而16Gb MLC芯片的價(jià)格下跌了21-25%，至6.52美元，而SLC芯片由于限制了的產(chǎn)量，價(jià)格沒(méi)有出現大幅滑落。 NAND閃存合同價(jià)格的下降，主要是由于蘋(píng)果每年戰略性削減其12月份的NAND
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存市場(chǎng) 存儲器
NAND Flash進(jìn)軍NB/PC應用領(lǐng)域 借以擴大市占率
- 拓墣產(chǎn)業(yè)研究所(Topology Research Institute)針對NAND Flash應用市場(chǎng)發(fā)表研究報告指出，2008年起，除了由原手持式消費電子產(chǎn)品將繼續大量采用NAND Flash作為儲存裝置外，NAND Flash將通過(guò)NB與PC的采用，以混合式硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán)(SSD)的產(chǎn)品型態(tài)，逐步擴大市場(chǎng)占有率，市場(chǎng)需求將從2007年的6.7%增長(cháng)至15.3%。 拓墣表示，NAND Flash在過(guò)去幾年快速擴充產(chǎn)品應用領(lǐng)域，從2004年產(chǎn)品應用比例最高的數碼相機，到2006年MP3 Pla
- 關(guān)鍵字： NAND Flash SSD MCU和嵌入式微處理器
iSuppli調低08年半導體預期
- 市場(chǎng)研究機構iSuppli以全球經(jīng)濟不景氣為由，調低了2008年全球半導體市場(chǎng)銷(xiāo)售收入預期，不過(guò)對于整個(gè)市場(chǎng)形勢仍持樂(lè )觀(guān)態(tài)度。 據國外媒體報道，iSuppli的最新預期顯示，2008年全球半導體銷(xiāo)售收入將增至2914億美元，較2007年2709億美元(評估數據)增長(cháng)7.5%，而iSuppli今年9月份預測的增幅為9.3%，預期增幅減少了1.8個(gè)百分點(diǎn)。 iSuppli表示，2008年半導體市場(chǎng)將受到了能源成本上升的不利影響，美國經(jīng)濟2008年的預期并不樂(lè )觀(guān)，而美國經(jīng)濟的影響力自然會(huì )波及全球
- 關(guān)鍵字： 半導體 芯片 NAND 半導體材料
東芝推出首個(gè)對應多值技術(shù)的大容量NAND閃存
- 東芝今天宣布即將推出搭載世界上首個(gè)對應多值技術(shù)的大容量NAND閃存(多值NAND)的行業(yè)內最大級別128Gb的SSD(Solid State Drive：固態(tài)硬盤(pán))產(chǎn)品，主要用于計算機。計劃2008年第一季度出貨，并同時(shí)開(kāi)始量產(chǎn)。在此之前，東芝將于明年1月7日-10日在美國拉斯維加斯召開(kāi)的世界最大規模的家電展中亮相該新產(chǎn)品。 目前的SSD，采用高速雙值NAND閃存，和HDD相比，高速、體積輕，但也存在容量小、成本高的問(wèn)題，目前還沒(méi)有真正普及。因此，搭載可以提高每個(gè)器件容量的普及型多值NAND的S
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統 單片機 東芝 NAND 閃存
DRAM市場(chǎng)基礎繼續惡化 預計08年資本開(kāi)支下滑超過(guò)30%
- Friedman Billings Ramsey & Co. Inc.(FBR)分析師Mehdi Hosseini日前表示，“根據三星日前的報告，我們分析2008年上半年DRAM內存市場(chǎng)基礎繼續惡化，大多數DRAM供應商，尤其韓國之外的廠(chǎng)商2008年資本開(kāi)支出現大幅削減?！? 預計2008年，DRAM領(lǐng)域的資本開(kāi)支將下滑超過(guò)30%，原來(lái)預計下降20%。這將導致總體內存資本開(kāi)支減少10-12%。 在DRAM市場(chǎng)經(jīng)歷了漫長(cháng)的低迷之后，該市場(chǎng)仍然存在嚴重的供過(guò)于求情況?！斑@主要由于按容量計
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統 單片機 DRAM 三星 NAND EDA IC設計
各類(lèi)器件增長(cháng)強勁 出貨量增長(cháng)率預測調高
- 據市場(chǎng)調研公司ICInsights，2007年IC單位出貨量有望增長(cháng)10%。該公司先前的預測是增長(cháng)8%。 ICInsights將調高增長(cháng)率預測歸因于以下器件的出貨量強勁增長(cháng)：DRAM(上升49%)、NAND閃存(上升38%)、接口IC(增長(cháng)60%)、數據轉換IC(上升58%)和汽車(chē)相關(guān)的模擬IC(上升32%)。 ICInsights表示，如果2007年IC單位出貨量增長(cháng)率達到10%或者更高水平，將是連續第六年以?xún)晌粩档乃俣仍鲩L(cháng)，創(chuàng )下前所未有的強勁增長(cháng)紀錄。 ICInsights認為，
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存 IC 元件 制造
內存芯片廠(chǎng)商提出新設計欲破摩爾定律
- 很多廠(chǎng)商都設計出了未來(lái)的閃存技術(shù)，但誰(shuí)能夠首先推出產(chǎn)品呢? Spansion表示，其MirrorBit和Ornand閃存芯片的基礎是電荷捕獲技術(shù)，這一技術(shù)為閃存產(chǎn)業(yè)繼續縮小芯片尺寸、提高閃存芯片性能提供了一條途徑。 Spansion CEO伯特蘭向CNET News.com表示，Spansion已經(jīng)生產(chǎn)出了采用電荷捕獲技術(shù)的閃存芯片。Spansion已經(jīng)啟動(dòng)了一項營(yíng)銷(xiāo)活動(dòng)，希望向其它制造商許可一些技術(shù)。 伯特蘭說(shuō)，三星、東芝、Hynix公開(kāi)表示對電荷捕獲技術(shù)有很大的興趣。我們擁有這一
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第三季度NAND閃存銷(xiāo)售額增長(cháng)37%，達42億美元
- 市場(chǎng)調研公司iSuppli日前在聲明中表示，第三季度NAND閃存半導體全球銷(xiāo)售額增長(cháng)37%，達到42億美元。但iSuppli指出，在包括蘋(píng)果iPod在內的消費電子產(chǎn)品需求刺激下的連續增長(cháng)勢頭，本季度可能結束。由于產(chǎn)量增長(cháng)速度快于需求，本季度NAND的平均銷(xiāo)售價(jià)格將下降18%。 韓國海力士半導體第三季度增長(cháng)最快，其N(xiāo)AND銷(xiāo)售額比第二季度大增79%，達到8.06億美元。它的市場(chǎng)份額是19%，在當季全球排名第三。最大的NAND閃存供應商三星電子，市場(chǎng)份額從第二季度的45%降至40%，它出貨的閃存數量
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存 DRAM 存儲器
閃存成本下滑固態(tài)硬盤(pán)價(jià)格將下降 筆記本很有優(yōu)勢
- 固態(tài)硬盤(pán)明年仍然少見(jiàn)且價(jià)格昂貴，但隨著(zhù)其量產(chǎn)，閃存成本的下滑，固態(tài)硬盤(pán)價(jià)格從2009年，2010年開(kāi)始將開(kāi)始下降。 DRAM與閃存產(chǎn)品制造商Micron Technology本周公布了固態(tài)硬盤(pán)發(fā)展計劃。這種硬盤(pán)功能與常規硬盤(pán)無(wú)異，但與一般硬盤(pán)將數據存儲在磁碟上不同，固態(tài)硬盤(pán)將數據保存在NAND內存芯片上，就像MP3播放器保存文件的方式一樣。 Micron將從明年第一季度開(kāi)始大規模生產(chǎn)固態(tài)硬盤(pán)。第一批產(chǎn)品為32GB或64GB型號。雖然容量是現在筆記本電腦硬盤(pán)平均容量的一半，但Micron內存
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第九代 v-nand介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條第九代 v-nand!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對第九代 v-nand的理解，并與今后在此搜索第九代 v-nand的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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