柵極環(huán)路電感對SiC和IGBT功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響分析

IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開(kāi)關(guān)特性受到許多外部參數的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點(diǎn)討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響，本文為第二部分，將主要討論柵極環(huán)路電感影響分析。（點(diǎn)擊查看直流鏈路環(huán)路電感分析）

測試設置

雙脈沖測試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設置來(lái)分析SiC和IGBT模塊的開(kāi)關(guān)特性。如表1所示，對于直流鏈路環(huán)路電感影響分析，可在直流鏈路電容和模塊之間添加母線(xiàn)來(lái)進(jìn)行。對于柵極環(huán)路電感影響分析，如表10所示，在柵極驅動(dòng)板和模塊之間添加外部插座或電線(xiàn)。為了研究模塊的開(kāi)關(guān)特性，本次測試使用 900V、1.7mQ EliteSiC Power功率模塊 (NVXR17S90M2SPC)和 750V Field Stop 4 VE－Trac Direct模塊 (NVH950S75L4SPB) 作為待測器件(DUT)。

圖 1. 雙脈沖測試設置

IGBT的開(kāi)關(guān)特性與柵極環(huán)路電感(L_G)的關(guān)系

柵極環(huán)路電感會(huì )對開(kāi)關(guān)特性造成影響。針對NVH950S75L4SPB模塊，在滿(mǎn)足以下條件的情況下進(jìn)行了雙脈沖測試。

● DUT: 低邊FS4 750V 950A IGBT 模塊 (NVH950S75L4SPB)

● V_DC = 400 V

● I_C = 600 A

● V_GE = +15/?8 V

● R_G(on) = 4.0 Q

● R_G(off) = 12.0 Q

● T_vj= 25℃

表10顯示了三種不同的柵極環(huán)路電感與開(kāi)關(guān)特性之間的測試配置。在柵極驅動(dòng)器和模塊之間添加了外部插座或延長(cháng)線(xiàn)，以模擬在柵極環(huán)路上增加的電感。

表 10. 柵極環(huán)路電感測試設置

圖10顯示了在IGBT導通階段，不同柵極環(huán)路測試配置下的波形對比，總結的特性如表11中所述。較長(cháng)的柵極環(huán)路測試設置顯示出較低的E_on值以及更快的di/dt。柵極環(huán)路電感主要由柵極環(huán)路長(cháng)度引起。在開(kāi)始導通時(shí)，柵極環(huán)路電感能夠減緩升流（rising current）速度。當柵極電壓達到米勒平臺時(shí)，環(huán)路電感充當電流源（current source），該電流源通過(guò)向柵極提供更多電流來(lái)加快di/dt的變化。相較于直流鏈路環(huán)路，柵極環(huán)路長(cháng)度對導通特性的影響較小。同時(shí)，更高的柵極環(huán)路電感會(huì )增加柵極電壓的過(guò)沖，這可能會(huì )因 R_G 而失去可控性。

圖11展示了在IGBT關(guān)斷期間，不同柵極環(huán)路電感設置下的波形對比?？偨Y出的特性如表12所述。關(guān)斷特性相比于導通特性受到的影響較小。在關(guān)斷初期，由柵極回路電感引起的下沖電壓略有不同，但并不會(huì )對關(guān)斷特性造成實(shí)質(zhì)性影響。當柵極電壓達到米勒平臺階段時(shí)，dV/dt和di/dt會(huì )因下沖電壓而略有變化，但在短時(shí)間內會(huì )被柵極灌電流迅速恢復。

圖 10. IGBT導通波形與柵極環(huán)路電感(L_G)的關(guān)系

表 11. 總結：IGBT導通特性與柵極環(huán)路電感

圖11展示了在IGBT關(guān)斷期間，不同柵極環(huán)路電感設置下的波形對比?？偨Y出的特性如表12所述。關(guān)斷特性相比于導通特性受到的影響較小。在關(guān)斷初期，由柵極回路電感引起的下沖電壓略有不同，但并不會(huì )對關(guān)斷特性造成實(shí)質(zhì)性影響。當柵極電壓達到米勒平臺階段時(shí)，dV/dt和di/dt會(huì )因下沖電壓而略有變化，但在短時(shí)間內會(huì )被柵極灌電流迅速恢復。

圖 11. IGBT關(guān)斷波形與柵極環(huán)路電感(L_G)的關(guān)系

表 12. 總結：IGBT關(guān)斷特性與柵極環(huán)路電感(L_G)

SiC MOSFET開(kāi)關(guān)特性與柵極環(huán)路電感(L_G)的關(guān)系

本小節分析了不同柵極環(huán)路電感(L_G)對SiC MOSFET 開(kāi)關(guān)特性的影響。在與表 10 相同的測試條件下，對 NVXR17S90M2SPC 模塊進(jìn)行了雙脈沖測試，測試條件如下。

● DUT: 低邊NVXR17S90M2SPC

● V_DC = 400 V

● I_C = 600 A

● V_GE = +18/?5 V

● R_G(on) = 3.9 Q

● R_G(off) = 1.8 Q

● T_vj= 25℃

圖 12 顯示了 SiC MOSFET 導通期間，柵極環(huán)路測試不同設置下的波形比較，表 13 對其特性進(jìn)行了總結。與 IGBT 的情況一樣，較長(cháng)的柵極環(huán)路測試條件下，較快的 di/dt 導致較低的 Eon 和較高的 V_{SD_peak}峰值電壓。

圖 12. SiC MOSFET導通波形與柵極環(huán)路電感(L_G)的關(guān)系

表 13. 總結：SiC MOSFET 導通特性與柵極環(huán)路電感

圖13展示了在SiC MOSFET關(guān)斷期間，不同柵極環(huán)路電感設置下的波形對比?？偨Y出的特性如表14中所述。在測試時(shí)，若使用較高的柵極環(huán)路電感，即使V_DS過(guò)沖電壓增大，也會(huì )反應出較快的di/dt及較低的E_off。關(guān)斷后，可作為電磁干擾(EMI)噪聲源的ID振蕩幅度取決于柵極環(huán)路的長(cháng)度。

圖 13. SiC MOSFET關(guān)斷波形與柵極環(huán)路電感(L_G)的關(guān)系

表 14. 總結：SiC MOSFET關(guān)斷特性與柵極環(huán)路電感

總結

在本應用筆記中分析了電感對IGBT和SiC MOSFET模塊開(kāi)關(guān)特性的影響。較高的直流鏈路環(huán)路電感設置會(huì )在E_off和E_rr較高時(shí)導致較低的E_on。此外，結果顯示，在23nH和37nH測試設置之間的總開(kāi)關(guān)損耗差距小于2mJ。這可能會(huì )讓人誤認為雜散電感對開(kāi)關(guān)損耗影響不大。然而，為了符合RBSOA和EMC的要求，調整外部柵極電阻（R_G）或其他系統參數很有必要，盡管這樣做會(huì )犧牲 di/dt 的可控性并且增加開(kāi)關(guān)損耗。圖14和圖15展示了在優(yōu)化外部R_G前后，直流鏈路環(huán)路電感條件下IGBT和SiC的開(kāi)關(guān)損耗情況。在優(yōu)化外部R_G之前，采用較高的直流鏈路環(huán)路電感設置，總開(kāi)關(guān)損耗相似，但在針對系統性能優(yōu)化外部R_G之后，當直流鏈路環(huán)路電感從23nH變?yōu)?7nH時(shí)，IGBT和SiC案例中的總損耗分別增加了20%和92%。

圖 14. IGBT 總損耗比較

圖 15. SiC MOSFET 總開(kāi)關(guān)損耗比較

較高的柵極環(huán)路電感設置在米勒平臺效應后，通過(guò)電感效應帶來(lái)稍快的導通瞬態(tài)。從開(kāi)關(guān)損耗的角度來(lái)看，其影響比直流鏈路環(huán)路電感要小一些。由于不希望出現柵極過(guò)沖現象，較高的柵極環(huán)路電感會(huì )導致柵極控制能力降低。從短路情況來(lái)看，這種電感會(huì )拉高柵極電壓，因此，通過(guò)增加柵極電壓可以縮短短路耐受時(shí)間。此外，較長(cháng)的柵極環(huán)路可以充當天線(xiàn)，電磁噪聲抗干擾能力差，并且可能對其他電路產(chǎn)生干擾。

IGBT 開(kāi)關(guān)損耗與柵極環(huán)路電感的關(guān)系

總之，最小化直流鏈路和柵極環(huán)路電感對于IGBT/SiC的開(kāi)關(guān)應用是必要的，在滿(mǎn)足可控性和電磁兼容性的同時(shí)獲得更低的開(kāi)關(guān)損耗。