銀河微電：功率MOSFET器件已實(shí)現Clip Bond技術(shù)量產(chǎn)

銀河微電12月20日在互動(dòng)平臺表示，功率MOSFET器件已實(shí)現Clip Bond技術(shù)的量產(chǎn)；IPM模塊已完成一款封裝的量產(chǎn)，未來(lái)將根據市場(chǎng)情況逐步系列化；DFN0603無(wú)框架封裝已完成工藝驗證，性能指標符合開(kāi)發(fā)目標要求；CSP0603封裝已完成技術(shù)開(kāi)發(fā)，未來(lái)芯片線(xiàn)改擴建時(shí)將進(jìn)行成果轉化。