國內8英寸碳化硅加速布局！

近期，三安半導體發(fā)布消息稱(chēng)，公司攜碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品亮相SEMICON Taiwan 2023。除了推出650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET外，三安半導體還首發(fā)了8英寸碳化硅襯底。三安半導體表示，展會(huì )上有多家重要客戶(hù)在詳細詢(xún)問(wèn)三安半導體產(chǎn)品參數后，表示已經(jīng)確認采購意向。

圖：三安半導體

湖南三安半導體屬于三安光電下屬子公司，主要業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅、氮化鎵化合物半導體功率芯片的研發(fā)、設計、制造及服務(wù)，目前建立具有自主知識產(chǎn)權的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。湖南三安半導體是三安光電在SiC領(lǐng)域布局的重點(diǎn)項目。

從產(chǎn)能來(lái)看，湖南三安現有SiC產(chǎn)能15,000片/月，較2022年底新增3,000片/月，提升25%；GaN-on-Si（硅基氮化鎵）產(chǎn)能2,000片/月。其6英寸碳化硅襯底已通過(guò)數家國際大客戶(hù)驗證，并實(shí)現批量出貨，且2023年、2024年供應已基本鎖定。此外，三安已簽署的碳化硅MOSFET長(cháng)期采購協(xié)議總金額超70億元，另有幾家新能源汽車(chē)客戶(hù)的合作意向在跟進(jìn)。

值得注意的是，湖南三安與理想合資成立的規劃年產(chǎn)240萬(wàn)只碳化硅半橋功率模塊蘇州斯科半導體，已完成動(dòng)力設備安裝、調試，待產(chǎn)線(xiàn)通線(xiàn)后進(jìn)入試生產(chǎn)。

今年6月，三安光電宣布與意法半導體在重慶成立合資公司，雙方將攜手新建一座8英寸碳化硅器件制造廠(chǎng)。據悉，該工廠(chǎng)全部建設總額預計約達32億美元，計劃于2025年第四季度開(kāi)始生產(chǎn)，2028年全面建廠(chǎng)，將采用ST的碳化硅專(zhuān)利制造工藝技術(shù)生產(chǎn)碳化硅器件，湖南三安持股比例為51%，意法半導體持股比例為49%。

加速8英寸布局

化合物半導體市場(chǎng)對國內主流SiC企業(yè)的8英寸襯底進(jìn)度進(jìn)行了統計，除了三安光電之外，目前國內在研發(fā)8英寸襯底的企業(yè)及機構還有爍科晶體、晶盛機電、天岳先進(jìn)、南砂晶圓、同光股份、中科院物理所、山東大學(xué)、天科合達、科友半導體、乾晶半導體等。其中爍科晶體、天科合達以及晶盛機電相對來(lái)說(shuō)進(jìn)度比較快。

襯底之外，外延企業(yè)也在加速建設8英寸產(chǎn)能，東莞天域計劃購置94.7 畝地用于建設SiC外延材料研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，用于SiC外延關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)及全球首條8英寸SiC外延晶片生產(chǎn)線(xiàn)的建設。此外，瀚天天成位于同翔高新城的SiC產(chǎn)業(yè)園的三期項目也極有可能是定位8英寸SiC外延，這兩家企業(yè)目前都在IPO階段。

總體而言，隨著(zhù)三安光電8英寸襯底的發(fā)布，SiC市場(chǎng)會(huì )越來(lái)越熱鬧，競爭也會(huì )越來(lái)越激烈，從長(cháng)期來(lái)看，這有助于產(chǎn)業(yè)整體的發(fā)展，至于最后哪些企業(yè)能夠突圍而出，這個(gè)只能騎驢看唱本。