東芝推出30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設備以及電池組保護

中國上海，2023年11月7日——東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設備以及電池組保護。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。

截至目前，東芝的N溝道共漏極MOSFET產(chǎn)品線(xiàn)重點(diǎn)聚焦于12V產(chǎn)品，主要用于智能手機鋰離子電池組的保護。30V產(chǎn)品的發(fā)布為電壓高于12V的應用提供了更廣泛的選擇，如USB充電設備電源線(xiàn)路的負載開(kāi)關(guān)以及筆記本電腦與平板電腦的鋰離子電池組保護。

實(shí)現具有低漏極-源極導通電阻（RDS(ON)）的雙向開(kāi)關(guān)需要兩個(gè)具有低RDS(ON)的MOSFET，尺寸為3.3mmí3.3mm或2mmí2mm。東芝的新產(chǎn)品采用小巧纖薄的新型封裝TCSPAG-341501（3.37mmí1.47mm（典型值），厚度＝0.11mm（典型值）），同時(shí)在單封裝共漏極結構中搭載電阻值為9.9mΩ（典型值）的源極-源極導通電阻（RSS(ON)）。

USB PD（USB Power Delivery）專(zhuān)門(mén)針對需要高功率供電的設備而開(kāi)發(fā)，可以提供從15W（5V/3A）直至最大240W（48V/5A）的功率。USB PD具有角色交換功能，支持電源側和接收側的互換，要求USB充電設備能夠雙向供電，以便能夠同時(shí)支持電力傳輸和電力接收。此次新產(chǎn)品就是一款支持雙向供電，表貼面積較小的N溝道共漏極MOSFET。

將該產(chǎn)品與東芝TCK42xG系列中的驅動(dòng)IC相結合可構成具有防回流功能的負載開(kāi)關(guān)電路或可以在先合后斷（MBB）和先斷后合（BBM）之間切換操作的電源多路復用器電路?；谶@種產(chǎn)品組合，東芝于今日發(fā)布了適用于電源多路復用器電路的參考設計（使用共漏極MOSFET）。使用該參考設計有助于縮短產(chǎn)品設計與開(kāi)發(fā)時(shí)間。

未來(lái)東芝將繼續擴大其產(chǎn)品線(xiàn)并改進(jìn)相關(guān)特性，以提高設計靈活性。

適用于電源多路復用器電路的參考設計（使用共漏極MOSFET）

電源多路復用器電路簡(jiǎn)易方框圖

新型封裝TCSPAG-341501

? 應用：

- 智能手機

- 筆記本電腦

- 平板電腦等

? 特性：

- 高源極-源極額定電壓：VSSS＝30V

- 低導通電阻：RSS(ON)＝9.9mΩ（典型值）（VGS＝10V）

- 雙向導通的共漏極連接結構

- 小巧纖薄的TCSPAG-341501封裝：3.37mmí1.47mm（典型值），厚度＝0.11mm（典型值）

? 主要規格：

（除非另有說(shuō)明，Ta＝25℃）

注：

[1] 器件安裝在一塊FR4環(huán)氧樹(shù)脂玻璃板（25mmí27.5mm、厚度＝1.6mm，銅焊盤(pán)：18μm、407mm²）上

[2] 器件安裝在一塊FR4環(huán)氧樹(shù)脂玻璃板（25mmí27.5mm、厚度＝1.6mm，銅焊盤(pán)：70μm、687.5mm²）上