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碳化硅(sic)mosfet
碳化硅(sic)mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區
恩智浦發(fā)布業(yè)界最低RDSon的30V MOSFET
- 恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V.今天發(fā)布了NextPower系列首款30V Power-SO8 MOSFET，擁有業(yè)界最低RDSon，4.5V時(shí)僅為1.4mΩ。全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC，專(zhuān)門(mén)針對4.5V開(kāi)關(guān)應用優(yōu)化，采用LFPAK封裝技術(shù)，是目前業(yè)界最牢固的Power-SO8封裝。NextPower技術(shù)已專(zhuān)門(mén)針對高性能DC-DC轉換應用進(jìn)行了優(yōu)化，例如隔離電源和電源OR-ing中的同步降壓調節器、同步整流器。 技術(shù)要點(diǎn)： &mi
- 關(guān)鍵字： 恩智浦 MOSFET
如何為具體應用恰當的選擇MOSFET
- 雖然工程師都熟諳MOSFET數據手冊上的品質(zhì)因數，但為了選擇出合適的MOSFET，工程師必需利用自己的專(zhuān)業(yè)知識對各個(gè)具體應用的不同規格進(jìn)行全面仔細的考慮。例如，對于服務(wù)器電源中的負載開(kāi)關(guān)這類(lèi)應用，由于MOSFET基本上
- 關(guān)鍵字： MOSFET
瑞薩電子高壓MOS在進(jìn)行產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)的注意要點(diǎn)
- 本文主要介紹瑞薩電子(又稱(chēng)：Renesas)高壓MOS在客戶(hù)電源等產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)的選型以及特性的說(shuō)明，為客戶(hù)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)提供參考性的設計意見(jiàn)。 MOSFET以其電壓控制、開(kāi)關(guān)頻率高、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應用于電源等產(chǎn)品中。Renesas高壓MOS涵蓋漏源電壓(VDSS)等級600V、800V、900V、1400V，具有極低的RDS(ON)和豐富的封裝系列，應用十分廣泛。 MOSFET最重要的兩個(gè)參數是漏源電壓(VDSS)和導通電阻RDS(ON)。電流值和最大耗散功率值必須仔細觀(guān)察，因為它們只有
- 關(guān)鍵字： Renesas MOSFET
PI推出帶集成控制器/MOSFET的高效率功率因數校正IC產(chǎn)品系列
- 用于高能效電源轉換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS產(chǎn)品，一款集成高壓MOSFET并可實(shí)現功率因數校正(PFC)的控制器芯片。HiperPFS器件采用創(chuàng )新的控制方案，可提高輕載條件下的效率。此外，與使用分立式MOSFET和控制器的設計相比，HiperPFS器件能大幅減少元件數和縮小電路板占用面積，同時(shí)簡(jiǎn)化系統設計并增強可靠性。HiperPFS器件采用極為緊湊的薄型eSIPä封裝，適合75 W至1 kW的PFC應用。 歐洲
- 關(guān)鍵字： PI HiperPFS MOSFET 控制器芯片
Vishay Siliconix推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅動(dòng)下具有0.07Ω的超低最大導通電阻，柵極電荷減小到216nC，采用TO-247封裝。
- 關(guān)鍵字： Vishay Siliconix MOSFET
Diodes 推出強固型MOSFET
- Diodes 公司推出專(zhuān)為IP電話(huà)(VoIP)通信開(kāi)發(fā)的新型60V N溝道器件，擴展了其MOSFET產(chǎn)品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列專(zhuān)為處理產(chǎn)生正極線(xiàn)和負極線(xiàn)換行線(xiàn)路饋電 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脈沖電流，以及抵擋電源開(kāi)關(guān)時(shí)引起的雪崩能量而設計。該器件能夠滿(mǎn)足基于變壓器的用戶(hù)線(xiàn)路接口電路 (SLIC) 直流/直流轉換器對基本切換功能的嚴格要求。 Diodes 這次推出的四款產(chǎn)品提供四種不同的行業(yè)標準封裝選擇，包括：SOT223封裝的DMN606
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET
IR 拓展堅固可靠、系統可擴展的車(chē)用 DirectFET?2 功率 MOSFET 系列
- 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 宣布拓展了車(chē)用DirectFET®2功率MOSFET系列。該系列具有非常出色的功率密度、雙面冷卻功能以及最小寄生電感和電阻，適用于重負載應用，包括電動(dòng)助力轉向系統、電源、混合動(dòng)力汽車(chē)的電池開(kāi)關(guān)、微型混合動(dòng)力汽車(chē)的集成起動(dòng)發(fā)電機系統等。 與傳統的標準塑料封裝器件相比，IR 的車(chē)用 DirectFET®2 器件可以實(shí)現整個(gè)系統級尺寸和更低的成本，以及超高的性
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET
Diodes 推出強固型MOSFET 輕松應對IP電話(huà)通信設備的嚴峻考驗
- Diodes 公司推出專(zhuān)為IP電話(huà)(VoIP)通信開(kāi)發(fā)的新型60V N溝道器件，擴展了其MOSFET產(chǎn)品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列專(zhuān)為處理產(chǎn)生正極線(xiàn)和負極線(xiàn)換行線(xiàn)路饋電 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脈沖電流，以及抵擋電源開(kāi)關(guān)時(shí)引起的雪崩能量而設計。該器件能夠滿(mǎn)足基于變壓器的用戶(hù)線(xiàn)路接口電路 (SLIC) 直流/直流轉換器對基本切換功能的嚴格要求。 Diodes 這次推出的四款產(chǎn)品提供四種不同的行業(yè)標準封裝選擇，包括：SOT223封裝的DMN606
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET
碳化硅(sic)mosfet介紹
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