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超薄雙管MOSFET
- 封裝的創(chuàng )新非常重要，尤其是在設計適用于支持更大電流的新一代便攜式設計所需的超薄的MOSFET時(shí)更顯得不可或缺。 計算機、工業(yè)及電信領(lǐng)域的電源應用設計人員通常使用分立式 MOSFET 支持更高的軌道電路，以提升電源效率，但其難點(diǎn)是如何設計出盡可能小的外形尺寸?，F在，設計人員可通過(guò)與德州儀器(TI)最新電源模塊 II 系列的同步 NexFET™ 電源雙管 MOSFET結合，同時(shí)實(shí)現高效率、低導通電阻以及業(yè)界最小尺寸的效果。 最新超薄電源塊 II 器件不僅可使產(chǎn)品變得更密集，同時(shí)還可
- 關(guān)鍵字： MOSFET 封裝 NexFET
空間受限型應用中的PMBus熱插拔電路介紹
- 摘要本文詳細介紹了熱插拔電路基礎，以及要求使用系統保護與管理 (SPM) 和印刷電路板 (PCB) 基板面極其珍貴的情況下系統設計人員所面臨的諸多挑戰。以模塊化實(shí)現利用集成數字熱插拔控制器時(shí)，我們?yōu)槟榻B了一種框架
- 關(guān)鍵字： PMBus、熱插拔電路、SPM、電信電源架構、MOSFET、NexFET、電源管理、半導體、德州儀器、TI
TI推出可在25A電流下實(shí)現超過(guò)90%高效率的同步MOSFET半橋
- 德州儀器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 電流下實(shí)現超過(guò) 90% 高效率的同步 MOSFET 半橋，其占位面積僅為同類(lèi)競爭功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模塊通過(guò)高級封裝將 2 個(gè)非對稱(chēng) NexFET 功率 MOSFET 進(jìn)行完美整合，可為服務(wù)器、臺式機與筆記本電腦、基站、交換機、路由器以及高電流負載點(diǎn) (POL) 轉換器等低電壓同步降壓半橋應用實(shí)現高性能。更多詳情，敬請訪(fǎng)問(wèn)：www.ti.com.cn/powerblock-prcn。 NexF
- 關(guān)鍵字： TI MOSFET NexFET CSD86350Q5D
TI 推出面向高電流 DC/DC 應用的功率MOSFET
- 日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應用推出業(yè)界第一個(gè)通過(guò)封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對其它標準尺寸封裝的產(chǎn)品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于縮小終端設備的尺寸，同時(shí)還可將MOSFET允許的電流提高 50%，并改進(jìn)散熱管理。 該系列包含的 5 款 NexFET 器件支持計算機與電信系統設計人員使用具有擴充內存及更高電流的處理器，同時(shí)顯著(zhù)節省板級空間。這些采用高級封裝的 MOSFET 可廣泛用于
- 關(guān)鍵字： TI MOSFET DualCool NexFET
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