Vishay Siliconix推出新款ThunderFET 功率MOSFET
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時(shí)間：2010-07-09
來(lái)源：電子產(chǎn)品世界
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用針對更高電壓器件優(yōu)化的新型低導通電阻技術(shù)的首款TrenchFET®功率MOSFET --- ThunderFET™ SiR880DP。新器件是業(yè)界首款在4.5V柵極驅動(dòng)下就能導通的80V功率MOSFET。新的80V SiR880DP采用熱增強型PowerPAK® SO-8封裝，在4.5V、7.5V和10V下具有8.5m?、6.7m?和5.9m?的超低導通電阻。在4.5V柵極驅動(dòng)下，該器件的典型導通電阻與柵極電荷的乘積為161，該數值是DC-DC轉換器應用中MOSFET的優(yōu)值系數(FOM，單位是nC-mΩ)。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/110765.htm
SiR880DP針對通信負載點(diǎn)應用的隔離式DC-DC轉換器中初級側開(kāi)關(guān)進(jìn)行了優(yōu)化。非常低的導通電阻意味著(zhù)可減少功率損耗和實(shí)現更綠色的解決方案，尤其是在待機模式這樣的輕負載條件下。
器件的4.5V電壓等級有助于實(shí)現更高頻率的設計，在POL應用中大幅降低柵極驅動(dòng)損耗，并且可以使用電壓更低、成本更低的5V PWM IC。截止目前，其他80V功率MOSFET還只能在6V或更高的柵極驅動(dòng)下才能導通。
SiR880DP經(jīng)過(guò)了完備的Rg和UIS測試。這款采用PowerPAK SO-8封裝的MOSFET符合IEC 61249-2-21的無(wú)鹵素規定，符合RoHS指令2002/95/EC。
SiR880DP現可提供樣品，并已實(shí)現量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十六周。
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