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碳化硅(sic)mosfet
碳化硅(sic)mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區
Panasonic電工PhotoMOS MOSFET的控制電路
- 前言 Panansonic電工的PhotoMOS在輸出中采用了光電元件和功率MOSFET，是作為微小模擬信號用而開(kāi)發(fā)出的SSD，以高功能型的HF型為首，正逐步擴展系列，如通用型的GU型、高頻型的RF型。 上次介紹了PhotoMOS的概要，此次將介紹內置在PhotoMOS中構成控制電路的獨特的光電元件的特點(diǎn)、構造、布線(xiàn)等。 FET型MOSFET輸出光電耦合器的基本電路 圖1是PhotoMOS中具有代表性的、即所謂的FET型MOSFET輸出光電耦合器的最基本電路。在該電路中由于輸出
- 關(guān)鍵字： Panansonic PhotoMOS MOSFET
瑞薩電子推出3款新型功率MOSFET產(chǎn)品
- 高級半導體解決方案領(lǐng)導廠(chǎng)商瑞薩電子株式會(huì )社(以下簡(jiǎn)稱(chēng)瑞薩電子)已于近日宣布開(kāi)始供應第12代新型功率MOSFET(金屬氧化物半導體晶體管)產(chǎn)品—— RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA。新產(chǎn)品作為面向DC/DC轉換器的功率半導體器件，主要面向計算機服務(wù)器和筆記本電腦等的應用。 本次推出的3款功率MOSFET可用于控制CPU和存儲器的電壓轉換電路。例如，可作為降壓電路，用于將電池提供的12V電壓轉換為1.05V，以便為CPU所用。隨著(zhù)公司進(jìn)一步推進(jìn)
- 關(guān)鍵字： 瑞薩電子 MOSFET
Panasonic電工PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的概要2
- b觸點(diǎn)型“PhotoMOS”的開(kāi)發(fā) 隨著(zhù)PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的優(yōu)勢被廣泛了解，人們將其用于信息通信設備、OA設備、FA設備及其他廣泛的領(lǐng)域。為了滿(mǎn)足大眾進(jìn)一步的需求，本公司開(kāi)發(fā)出了“可通過(guò)機械實(shí)現、并擁有所有觸點(diǎn)構成(b觸點(diǎn)、c觸點(diǎn))”的PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器。 為實(shí)現該產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)，我們在功率MOSFET制造工藝中采用了融有DSD法(Double-Diffused and Selective Do
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IR 推出為 D 類(lèi)應用優(yōu)化的汽車(chē)用 DirectFET2 功率 MOSFET
- 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 今天宣布推出汽車(chē)用 DirectFET®2 功率 MOSFET 系列，適合D 類(lèi)音頻系統輸出級等高頻開(kāi)關(guān)應用。 新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件，拓展了 IR 適用于汽車(chē) D 類(lèi)音頻系統的 DirectFET®2 功率 MOSFET 陣營(yíng)，并利用低柵極電荷 (Qg) 作出優(yōu)化，來(lái)改善總諧波失真
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET
Diodes 推出小型SOT963封裝器件
- Diodes 公司推出采用超小型 SOT963封裝的雙極晶體管 (BJT)、MOSFET和瞬態(tài)抑制二極管 (TVS) 器件，性能可媲美甚至超過(guò)采用更大封裝的器件。 Diodes SOT963的占板面積僅有0.7 mm2，比SOT723封裝少30%，比SOT563封裝少60%，適合低功耗應用。占板面積節省加上0.5 mm的離板高度，讓Diodes 的 SOT963 封裝器件能夠滿(mǎn)足各種超便攜式電子產(chǎn)品的要求。 現階段推出的SOT963封裝產(chǎn)品線(xiàn)包括6款通用雙極雙晶體管組合、3款小信號雙MOS
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET BJT TVS
英飛凌推出30V車(chē)用 MOSFET
- 英飛凌科技股份公司近日面向大電流應用的汽車(chē)推出一款具備全球最低通態(tài)電阻的30V功率MOSFET(金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管)。全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件，在10V柵源電壓條件下，漏極電流為180A，而通態(tài)電阻僅為0.9毫歐。采用D2PAK-7封裝的IPB180N03S4L-H0，可滿(mǎn)足客戶(hù)對標準封裝功率 MOSFET的需求：以最低成本獲得高額定電流和最低通態(tài)電阻。 基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強大的第二代溝槽技術(shù)，OptiMOS-T
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET
英飛凌推出一款30V功率MOSFET
- 英飛凌科技股份公司近日面向大電流應用的汽車(chē)推出一款具備全球最低通態(tài)電阻的30V功率MOSFET(金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管)。全新的OptiMOS?-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件，在10V柵源電壓條件下，漏極電流為180A，而通態(tài)電阻僅為0.9毫歐。采用D2PAK-7封裝的IPB180N03S4L-H0，可滿(mǎn)足客戶(hù)對標準封裝功率 MOSFET的需求：以最低成本獲得高額定電流和最低通態(tài)電阻。 基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強大的第二代溝槽技術(shù)，OptiMOS-T2器件成為大
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET
IR 拓展具有低導通電阻的汽車(chē)用 MOSFET 系列
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 今天宣布拓展了針對低導通電阻(RDS(on))應用的汽車(chē)用功率 MOSFET 專(zhuān)用系列，包括車(chē)載電源及內燃機 (ICE) 、微型混合動(dòng)力和全混合動(dòng)力平臺上的重載應用。 新的 MOSFET 系列器件系列在 55V 的電壓下可提供低達 2.6 mΩ 的導通電阻，可以承受 40V 至100V 的電壓，并涵蓋了此前推出的 75V 產(chǎn)品。當中一些具有更高電壓的器件非常適用于 24V 卡車(chē)系統，采用 D2Pak-7P
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET
IR 推出全新 HEXFET 功率MOSFET系列
- 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出全新HEXFET®功率MOSFET系列。該器件采用業(yè)界標準SOT-23封裝，具有超低導通電阻 (RDS(on)) ，適用于電池充電及放電開(kāi)關(guān)、系統和負載開(kāi)關(guān)、輕載電機驅動(dòng)，以及電信設備等應用。 新款SOT-23 MOSFET 器件采用IR最新的中壓硅技術(shù)，通過(guò)大幅降低90% RDS(on)顯著(zhù)改善了電流處理能力，為客戶(hù)的特定應用優(yōu)化了性能及價(jià)格。 IR
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET HEXFET
碳化硅(sic)mosfet介紹
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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