<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>
首頁(yè)  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì )展  EETV  百科   問(wèn)答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

Vishay發(fā)布40V和60V N溝道TrenchFET功率MOSFET

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝,具有業(yè)內最低的導通電阻,以及最低的導通電阻與柵極電荷乘積,即優(yōu)值系數。   40 V SiR640DP在10V和4.5V下的導通電阻為1.7m?和2.2m?,在10V和4.5V下的FOM分別為128m?-nC和76m?-nC。器件在4.5V下的導通電阻比最
  • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  

saber下MOSFET驅動(dòng)仿真實(shí)例

  • saber下MOSFET驅動(dòng)仿真實(shí)例,設計中,根據IXYS公司IXFN50N80Q2芯片手冊中提供的ID-VDS,ID-VGS和Cap-VDS等特性曲線(xiàn)及相關(guān)參數,利用saber提供的Model Architect菜單下Power MOSFET Tool建立IXFN50N80Q2仿真模型,圖5-1所示MOSFET DC Characteris
  • 關(guān)鍵字: 實(shí)例  仿真  驅動(dòng)  MOSFET  saber  

Vishay新款N溝道功率MOSFET刷新最低導通電阻記錄

  •   賓夕法尼亞、MALVERN—2011年3月31日—日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代號:VSH)宣布,發(fā)布新款40V和60VN溝道Trench FET?功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK?SO-8封裝,具有業(yè)內最低的導通電阻,以及最低的導通電阻與柵極電荷乘積,即優(yōu)值系數。
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  最低導通電阻  

設計高效高可靠LED燈具的五個(gè)忠告

  •   進(jìn)入2011年,澳大利亞已經(jīng)率先禁止使用白熾燈,這為L(cháng)ED燈具的大規模普及揭開(kāi)了序幕,另外,隨著(zhù)歐盟各國、日本、加拿大等國家將在2012年禁止使用白熾燈,LED燈具的照明普及率會(huì )進(jìn)一步提升,這讓掘金綠色照明革命的中國數千家LED燈具廠(chǎng)商歡欣鼓舞――因為一個(gè)巨大的市場(chǎng)就要開(kāi)啟,而這次唱主角的是中國廠(chǎng)商。不過(guò),應當看到,LED燈具要普及,不但需要大幅度降低成本,更需要解決能效和可靠性的難題,如何解決這些難題,Power Integrations市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)副總裁Doug Bailey分享了高效高可靠LED燈具
  • 關(guān)鍵字: PI  MOSFET  LED  

利用屏蔽柵極功率 MOSFET 技術(shù)降低傳導和開(kāi)關(guān)損耗

大電流便攜式DC/DC變換中MOSFET功耗的計算

  • 0 引言 眾所周知,今天的便攜式電源設計者所面臨的最嚴峻挑戰就是為當今的高性能CPU提供電源。近年來(lái),內核CPU所需的電源電流每?jì)赡昃头环?,即便攜式內核CPU電源電流需求會(huì )高達40A之大,而電壓在0.9V和1.75
  • 關(guān)鍵字: 功耗  計算  MOSFET  變換  便攜式  DC/DC  電流  

功率MOSFET雪崩擊穿問(wèn)題分析

  • 摘要:分析了功率MOSFET雪崩擊穿的原因,以及MOSFET故障時(shí)能量耗散與器件溫升的關(guān)系。和傳統的雙極性晶體管相比,反向偏置時(shí)MOSFET雪崩擊穿過(guò)程不存在“熱點(diǎn)”的作用,而電氣量變化卻十分復雜。寄生器件在
  • 關(guān)鍵字: 問(wèn)題  分析  擊穿  雪崩  MOSFET  功率  

Vishay推出第三代TrenchFET?功率MOSFET

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK? SC-70封裝,具有8V柵源電壓和迄今為止雙芯片P溝道器件所能達到的最低導通電阻。   
  • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  SiA923EDJ  

MOSFET基礎:理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數特性

  • 通常,許多資料和教材都認為,MOSFET的導通電阻具有正的溫度系數,因此可以并聯(lián)工作。當其中一個(gè)并聯(lián)的MOSFET的溫...
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  RDS  

Vishay推出新的100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出兩款新的100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型ThunderFET?技術(shù),在具有4.5V電壓等級的100V MOSFET中具有業(yè)內最低的導通電阻。
  • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  

DC/DC 控制器驅動(dòng)5V 邏輯電平 MOSFET 以實(shí)現高效率

  • 近日(2010年11月2日)凌力爾特公司(LinearTechnologyCorporation)推出窄/寬輸入電壓范圍(2.7V至5...
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  

IR新款高性能PQFN功率MOSFET系列

  • 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商–國際整流器公司(InternationalRectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR)推出一系列25V及3...
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  

Linear 推出 LTC4444/-5 的 H 級版本

  •   凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4444/-5 的 H 級版本,該器件是一款高速、高輸入電源電壓 (100V)、同步 MOSFET 柵極驅動(dòng)器,為在同步整流轉換器拓撲中驅動(dòng)高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設計。該驅動(dòng)器與功率 MOSFET 以及凌力爾特公司很多 DC/DC 控制器之一相結合,可構成完整的高效率同步穩壓器。LTC4444H/-5 在 -40°C 至 150°C 的節溫范圍內工作,而 I 級版本的工作溫度范
  • 關(guān)鍵字: Linear  MOSFET   

利用低門(mén)限電壓延長(cháng)電池壽命

  •         降低能量消耗、延長(cháng)電池壽命,這是每個(gè)工程師在設計便攜式電子產(chǎn)品時(shí)努力的目標。電池技術(shù)的進(jìn)步非常緩慢,所以便攜式產(chǎn)品的設計者把延長(cháng)電池壽命的重點(diǎn)放在電源管理上。多年以來(lái),從事電源管理業(yè)務(wù)的半導體制造商盡力跟上終端系統用戶(hù)的需求。越來(lái)越多的便攜式電子產(chǎn)品在功能上花樣翻新,這些產(chǎn)品需要峰值性能,要求設計者在設備的物理尺度內實(shí)現盡可能高的效率。雖然電池行業(yè)努力開(kāi)發(fā)具有比傳統鎳鎘(NiCd)電池電量更高的替代電池技術(shù),但還遠不能滿(mǎn)
  • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  

用創(chuàng )新封裝簡(jiǎn)化電源設計

  •          今天,電源工程師面臨的一個(gè)主要挑戰是如何減小商用電子產(chǎn)品中電源電路的電路板空間。在任何電子產(chǎn)品零售商店里轉上一圈,你就會(huì )發(fā)現個(gè)人電腦已經(jīng)變得更小,甚至小型化已經(jīng)成為許多電子設備的發(fā)展趨勢。隨著(zhù)這些產(chǎn)品的尺寸不斷減小,它們的功能正在增加。在更小的空間內實(shí)現更多功能,意味著(zhù)要縮小留給電源電路的面積,這會(huì )導致一系列熱、功率損耗和布局方面的嚴峻挑戰。   工程師應對這種挑戰的一個(gè)辦法是利用在MOSFET硅技術(shù)和封裝
  • 關(guān)鍵字: 電源設計  MOSFET  PowerPAIR  
共1874條 104/125 |‹ « 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 » ›|

碳化硅(sic)mosfet介紹

您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解,并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。    創(chuàng )建詞條

熱門(mén)主題

樹(shù)莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì )員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473
国产精品自在自线亚洲|国产精品无圣光一区二区|国产日产欧洲无码视频|久久久一本精品99久久K精品66|欧美人与动牲交片免费播放
<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>