功率MOSFET雪崩擊穿問(wèn)題分析

摘要：分析了功率MOSFET雪崩擊穿的原因，以及MOSFET故障時(shí)能量耗散與器件溫升的關(guān)系。和傳統的雙極性晶體管相比，反向偏置時(shí)MOSFET雪崩擊穿過(guò)程不存在“熱點(diǎn)”的作用，而電氣量變化卻十分復雜。寄生器件在MOSFET的雪崩擊穿中起著(zhù)決定性的作用，寄生晶體管的激活導通是其雪崩擊穿的主要原因。在MOSFET發(fā)生雪崩擊穿時(shí)，器件內部能量的耗散會(huì )使器件溫度急劇升高。

關(guān)鍵詞：雙極性晶體管；功率MOSFET；雪崩擊穿；寄生晶體管；能量耗散

1 引言

功率MOSFET在電力電子設備中應用十分廣泛，因其故障而引起的電子設備損壞也比較常見(jiàn)。分析研究功率MOSFET故障的原因、后果，對于MOSFET的進(jìn)一步推廣應用具有重要意義。

在正向偏置工作時(shí)，由于功率MOSFET是多數載流子導電，通常被看成是不存在二次擊穿的器件。但事實(shí)上，當功率MOSFET反向偏置時(shí)，受電氣量變化（如漏源極電壓、電流變化）的作用，功率MOSFET內部載流子容易發(fā)生雪崩式倍增，因而發(fā)生雪崩擊穿現象。與雙極性晶體管的二次擊穿不同，MOSFET的雪崩擊穿常在高壓、大電流時(shí)發(fā)生，不存在局部熱點(diǎn)的作用；其安全工作范圍也不受脈沖寬度的影響。

目前，功率器件的故障研究已經(jīng)從單純的物理結構分析過(guò)渡到了器件建模理論仿真模擬層面。因此，本文將從理論上推導MOSFET故障時(shí)漏極電流的構成，并從微觀(guān)電子角度對MOSFET雪崩擊穿現象作詳細分析。同時(shí)，還將對故障時(shí)器件的能量、溫度變化關(guān)系作一定的分析。

2 功率MOSFET雪崩擊穿理論分析

圖1(a)為MOSFET的體內等效電路，其中含有一個(gè)寄生的雙極性晶體管V₂，它的集電極、發(fā)射極同時(shí)也是MOSFET的漏極和源極。當MOSFET漏極存在大電流I_d，高電壓V_d時(shí)，器件內電離作用加劇，出現大量的空穴電流，經(jīng)R_b流入源極，導致寄生三極管基極電勢V_b升高，出現所謂的“快回(Snap-back)”現象，即在V_b升高到一定程度時(shí)，寄生三極管V₂導通，集電極（即漏極）電壓快速返回達到晶體管基極開(kāi)路時(shí)的擊穿電壓（增益很高的晶體管中該值相對較低），從而發(fā)生雪崩擊穿，如圖2所示。

(a) 體內等效電路

(b) 外部分析電路

圖1 MOSFET等效電路

圖2 雪崩擊穿時(shí)I－V曲線(xiàn)

下面利用圖1的等效電路來(lái)分析MOSFET的雪崩擊穿。

假設三極管V_b≈0.6V，V_b=I_bR_b，則可得MOSFET源極電流

I_s=I_do＋γV_b=I_do＋γR_bI_b（1）

式中：I_do為漏極電壓較低時(shí)的飽和漏極電流；

γ為大信號體偏置系數（Large Signal Body-bias Coefficient），定義為

γ=ΔI_d/ΔV_b（2）

當V_b很高時(shí)，漏極的強電場(chǎng)引起電子溝道電流的雪崩式倍增，產(chǎn)生的空穴向基極流動(dòng)。

如果增益為M，則基極電流為

I_b=I_d－I_s=MI_s－I_s=(M－1)(I_do＋γR_bI_b)(3)

可得

I_b=(4a)

I_s=(4b)

I_d=(4c)

當發(fā)生擊穿時(shí)，有

I_bR_b≈0.6V(5)

由式(4)及式(5)可得擊穿時(shí)的關(guān)系式（下標SB為雪崩擊穿標志）為

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