Vishay推出新的100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出兩款新的100V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型ThunderFET®技術(shù)，在具有4.5V電壓等級的100V MOSFET中具有業(yè)內最低的導通電阻。此外，該器件的導通電阻與柵極電荷乘積也是同類(lèi)產(chǎn)品中最佳的，該數值是衡量DC/DC轉換器應用中MOSFET性能的優(yōu)值系數(FOM)。

　　SiR870DP在4.5V電壓下的7.8m?導通電阻是業(yè)內最低的。這款MOSFET在10V電壓下的導通電阻也非常低，僅有6m?。對于設計者來(lái)說(shuō)，更低的器件導通電阻意味著(zhù)更低的傳導損耗，同時(shí)也使節能的綠色產(chǎn)品減少功耗。

　　SiR870DP在4.5V電壓下具有低至208 mΩ-nC的FOM，從而能在更高頻率和開(kāi)關(guān)應用中降低傳導和開(kāi)關(guān)損耗。對于采用SO-8封裝器件的設計者，Si4190DY在10V和4.5V電壓下的導通電阻為8.8m?和12m?，在10V和4.5V下的FOM分別為340 mΩ-nC和220 mΩ-nC，均達到業(yè)內最佳水準。

　　今天發(fā)布的器件針對用于電信的磚式電源和總線(xiàn)轉換器應用的隔離式DC/DC電源中初級側開(kāi)關(guān)和次級側同步整流進(jìn)行了優(yōu)化。這些MOSFET能在4.5V電壓下導通，因此各種PWM和柵極驅動(dòng)IC都能進(jìn)入到設計者的備選之列。而使用5V額定電壓的IC，不但能夠降低柵極驅動(dòng)損耗，而且由于無(wú)需使用單獨的12V電源軌，能夠簡(jiǎn)化電源的整體設計。

　　SiR870DP和Si4190DY經(jīng)過(guò)了100%的Rg和UIS測試。MOSFET符合IEC 61249-2-21的無(wú)鹵素規定，并符合RoHS指令2002/95/EC。