用創(chuàng )新封裝簡(jiǎn)化電源設計
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工程師應對這種挑戰的一個(gè)辦法是利用在MOSFET硅技術(shù)和封裝上的進(jìn)步，這些進(jìn)步能在更小尺寸的封裝內實(shí)現更高的性能。通過(guò)這個(gè)趨勢，我們可以發(fā)現，現在的封裝已經(jīng)從象SO-8這樣的標準引線(xiàn)封裝向采用底側引出焊盤(pán)的功率封裝轉換。對于高電流應用，以前通常采用PowerPAK SO-8這樣6mmx5mm的封裝。但對于更低電流的應用，現在的趨勢是采用3mmx3mm的功率封裝，比如PowerPAK 1212-8。由于這種封裝中的RDS(on) 已經(jīng)足夠低，在筆記本電腦的10A DC-DC應用中，這種封裝已經(jīng)廣為使用。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/117017.htm雖然3mmx3mm的功率封裝有助于大幅減少DC-DC電路所占的空間，還是有可能進(jìn)一步減小空間需求，同時(shí)提高功率密度。實(shí)現這一點(diǎn)的辦法之一是用組合了兩個(gè)器件的封裝替代分立式單溝道MOSFET。Dual SO-8功率MOSFET已經(jīng)出現了很長(cháng)時(shí)間，但是它們一般只能處理小于5A的負載電流，這對筆記本電腦和上網(wǎng)本中的5V和3.3V電壓軌是足夠了，但很顯然，對于負載為10A和更高的系統來(lái)說(shuō)，這個(gè)數值就太低了。
這就是為什么制造商正努力制造用于MOSFET的雙片功率封裝，因為這種封裝能夠實(shí)現比傳統表面貼裝更高的可能最大電流和更好的熱性能。通過(guò)使用功率封裝的基本形式，將兩個(gè)單獨的芯片組裝在一個(gè)封裝內，這種器件能夠減小電源電路所需的占位空間。
一種稱(chēng)為PowerPAIR的封裝形式的外形尺寸小于單芯片的6x5封裝(PowerPAK SO-8)，最大電流等級為15A。在筆記本電腦中，這樣的負載電流一般要使用兩片功率6x5封裝，算上印制線(xiàn)和標識面積，以及放置兩個(gè)器件后，所占面積至少是60mm2以上。這種功率雙片封裝的尺寸是6.0mmx3.7mm，所占用的電路板空間為22mm2。所占的電路板空間減少了63%，這對電源工程師來(lái)說(shuō)是益處多多，因為留給他們設計電源電路的空間是越來(lái)越少。這種優(yōu)點(diǎn)是傳統SO-8雙片封裝類(lèi)型所不具備的。
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