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碳化硅(sic)mosfet
碳化硅(sic)mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區
Vishay發(fā)布2011年“Super 12”特色產(chǎn)品
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,Vishay發(fā)布2011年的“Super 12”特色產(chǎn)品。這些元器件具有業(yè)界領(lǐng)先的規格標準,如導通電阻、導通電阻與柵極電荷乘積(FOM)、溫度范圍和電流等級。這些創(chuàng )新產(chǎn)品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/ver3/ 進(jìn)行展示,是許多關(guān)鍵應用的上佳之選,也充分反映出Vishay產(chǎn)品線(xiàn)之豐富?!?/li>
- 關(guān)鍵字: Vishay MOSFET
利用DAC、運算放大器和 MOSFET 晶體管 構建多功能高精度可編程電流源
- 電路功能與優(yōu)勢 數字控制電流源在許多應用中至關(guān)重要,如電源管理、電磁閥控制、電機控制、阻抗測量、傳 ...
- 關(guān)鍵字: 實(shí)驗室電路 MOSFET 運算放大器
Linear 推出 LTC4441 新的高可靠性 (MP 級) 版本

- 凌力爾特公司(Linear Technology Corporation) 推出LTC4441新的高可靠性(MP 級) 版本,該器件是一款6A N 溝道MOSFET 柵極驅動(dòng)器,在-55°C 至125°C的工作節溫范圍內工作。該高功率驅動(dòng)器設計用于增加DC/DC 控制器的輸出功率及效率,從而使其能夠驅動(dòng)高功率N 溝道MOSFET 或多個(gè)并聯(lián)的MOSFET。其柵極驅動(dòng)電壓從5V 至8V 是可調的,從而允許設計師選擇標準門(mén)限或邏輯電平MOSFET。LTC4441 在5V 至25V 的寬輸入
- 關(guān)鍵字: Linear MOSFET 柵極驅動(dòng)器
Microchip擴展MOSFET驅動(dòng)器系列產(chǎn)品

- Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布擴展了其MOSFET驅動(dòng)器系列產(chǎn)品。在已獲得業(yè)界推崇的Microchip下橋臂MCP14E3/4/54.5A MOSFET驅動(dòng)器上,Microchip推出全新下橋臂MCP14E6/7/82A和MCP14E9/10/113A驅動(dòng)器。經(jīng)擴展后,這一低成本系列器件的額定峰值輸出電流為2A至4.5A,工作電壓范圍寬達4.5V至18V。全新器件具備使能輸入引腳,可實(shí)現關(guān)斷功能以節省能耗,并采用8引腳SOIC和8引腳6mm×5m
- 關(guān)鍵字: Microchip MOSFET
Fairchild開(kāi)發(fā)出用于MOSFET器件的Dual Cool封裝
- 為了滿(mǎn)足高電流能力、高效率和更小外形尺寸的需求,飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開(kāi)發(fā)出用于MOSFET器件的Dual Cool封裝,Dual Cool封裝是采用嶄新封裝技術(shù)的頂部冷卻PQFN器件,可以通過(guò)封裝的頂部實(shí)現額外的功率耗散。 Dual Cool封裝具有外露的散熱塊,能夠顯著(zhù)減小從結點(diǎn)到外殼頂部的熱阻。與標準PQFN封裝相比,Dual Cool封裝在配合散熱片使用時(shí),可將功率耗散能力提高60%以上。此外,采用Dual Cool封裝的MOSFET通過(guò)使用飛兆
- 關(guān)鍵字: Fairchild MOSFET Dual Cool
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