Vishay新款N溝道功率MOSFET刷新最低導通電阻記錄
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賓夕法尼亞、MALVERN—2011年3月31日—日前，Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代號：VSH)宣布，發(fā)布新款40V和60VN溝道Trench FET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK®SO-8封裝，具有業(yè)內最低的導通電阻，以及最低的導通電阻與柵極電荷乘積，即優(yōu)值系數。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/118267.htm40V SiR640DP在10V和4.5V下的導通電阻為1.7m?和2.2m?，在10V和4.5V下的FOM分別為128m?-nC和76m?-nC。器件在4.5V下的導通電阻比最接近的競爭MOSFET低4%，而4.5V下的FOM則低15.5%。
60V SiR662DP在10V和4.5V下的導通電阻分別為2.7m?和3.5m?，在10V和4.5V下的FOM分別為172.8m?-nC和105m?-nC。器件在10V和4.5V下的導通電阻分別比最接近的同檔次MOSFET分別低3.5%和27%，在10V和4.5V下的FOM分別低23%和57%。在器件的整個(gè)工作范圍內，低導通電阻和低FOM將能夠減少開(kāi)關(guān)損耗。
兩款器件在制造過(guò)程中采用了一種新的硅技術(shù)，該技術(shù)使用了優(yōu)化的溝槽密度和特殊的柵極結構。對于設計者來(lái)說(shuō)，更低的導通電阻意味著(zhù)更低的傳導損耗，從而降低功耗，尤其是在重載的情況下。器件的低FOM能夠降低高頻和開(kāi)關(guān)應用中的開(kāi)關(guān)損耗，特別是在輕負載和待機模式下。器件的高頻率使設計者能夠增加其系統的功率密度，或是同時(shí)實(shí)現更低的功率損耗和更綠色的應用方案。
SiR662DP和SiR640DP適用于DC/DC和AC/DC轉換器中的次級側同步整流、DC/DC轉換器中的初級側開(kāi)關(guān)、負載點(diǎn)模塊、電機驅動(dòng)、橋式逆變器和替代機械式繼電器的應用。典型終端產(chǎn)品包括通信電源、工業(yè)自動(dòng)化和專(zhuān)業(yè)游戲機、不間斷電源(UPS)和消費類(lèi)應用。
MOSFET的電壓等級為4.5V，使許多設計者能夠在其系統中使用現有的給數字邏輯電路供電的5V電源軌，無(wú)需再為10V電源軌騰出和尋找合適的空間。4.5V電壓等級還能夠大幅降低柵極驅動(dòng)的損耗，同時(shí)還能夠使用電壓更低、成本更低的5VPWMIC。
兩款芯片均經(jīng)過(guò)了100%的Rg和UIS測試，符合IEC61249-2-21的無(wú)鹵素規定，符合RoHS指令2002/95/EC。
SiR662DP和SiR640DP現可提供樣品，并已實(shí)現量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十六周。
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