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半導體材料
半導體材料 文章 進(jìn)入半導體材料技術(shù)社區
守望綠色
- 編者按：節能就是金錢(qián)，對于絕大多數消費品來(lái)說(shuō)節能已經(jīng)成為重要的市場(chǎng)競爭力之一。實(shí)現電子產(chǎn)品的節能降耗有多種手段，提高制程工藝是一種方法，但這種方法需要緊緊依靠技術(shù)的發(fā)展趨勢并且將提升產(chǎn)品的成本，因此一個(gè)切實(shí)可行的重要手段就是提升電源管理的水平。 另一個(gè)與綠色有關(guān)的話(huà)題是電子污染。電子垃圾已經(jīng)成為威脅人類(lèi)生存的重要敵人。近年來(lái)，人們已經(jīng)開(kāi)始從源頭對電子污染加以嚴格控制，歐盟的RoHS和中國更為嚴格的電子產(chǎn)品安全管理條例，都盡可能阻止重金屬離子對環(huán)境的進(jìn)一步污染，據悉，歐盟已經(jīng)計劃在2008年推行更
- 關(guān)鍵字： 0712_A 雜志_專(zhuān)題 美國國家半導體 凌力爾特 安森美 半導體材料
2008中日韓前瞻計劃項目磁性材料是重點(diǎn)
- 日前，國家自然科學(xué)基金委員會(huì )在其官方網(wǎng)站發(fā)布了《關(guān)于征集2008年中日韓A3前瞻計劃項目的通知》，全文如下： 根據2004年12月在上海舉行的第二屆亞洲研究理事會(huì )主席會(huì )議所達成的共識，國家自然科學(xué)基金委員會(huì )(NSFC)、日本學(xué)術(shù)振興會(huì )(JSPS)和韓國科學(xué)與工程基金會(huì )(KOSEF)共同設立了A3前瞻計劃項目(Asia3ForesightProgram)，聯(lián)合資助中、日、韓三國科學(xué)家在選定的戰略領(lǐng)域共同開(kāi)展世界一流水平的合作研究，目的是使亞洲在該領(lǐng)域成為世界有影響的研究中心之一。另外通過(guò)這個(gè)計劃的
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華飛微電子：國產(chǎn)高檔光刻膠的先行者
- 光刻膠是集成電路中實(shí)現芯片圖形轉移的關(guān)鍵基礎化學(xué)材料，在光刻膠的高端領(lǐng)域，技術(shù)一直為美國、日本廠(chǎng)商等所壟斷;近年來(lái)，本土光刻膠供應商開(kāi)始涉足高檔光刻膠的研發(fā)與生產(chǎn)，蘇州華飛微電子材料有限公司就是其中一家。 據華飛微電子總工程師兼代總經(jīng)理冉瑞成介紹，目前華飛主要產(chǎn)品系列為248nm成膜樹(shù)脂及光刻膠，同時(shí)重點(diǎn)研發(fā)193nm成膜樹(shù)脂及光刻膠和高檔專(zhuān)用UV成膜樹(shù)脂及光刻膠。 冉瑞成表示，248nm深紫外(DUV)光刻膠用于8-12英寸超大規模集成電路制造的關(guān)鍵功能材料，目前的供應商基本來(lái)自美國、日
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FSI突破硅化物形成步驟中的金屬剝離技術(shù)
- FSI 國際有限公司宣布已成功地采用FSI ViPR™技術(shù)在自對準多晶硅化物形成后去除了未反應的金屬薄膜。通過(guò)實(shí)現這一新的工藝，IC制造商可以在鈷、鎳和鎳鉑硅化物集成過(guò)程中，大幅度減少化學(xué)品的使用和降低對資金的要求。新訂購的FSI ZETA® Spray Cleaning System噴霧式清洗系統中已經(jīng)采用了FSI ViPR™技術(shù)，并將用于升級最近已經(jīng)在生產(chǎn)現場(chǎng)安裝的系統。 鎳鉑硅化物最早應用于65nm邏輯器件，因為它的阻抗更低，從而可實(shí)現器件性能的大幅改善。但
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奧地利微電子推出微功耗10位150ksps A/D轉換器 AS1528/29
- 奧地利微電子發(fā)布 2 款高性?xún)r(jià)比的 A/D 轉換器以擴展其微功耗 A/D 轉換器系列，一款是10位超低功耗單通道全差分A/D 轉換器AS1528，另一款是雙通道單端超低功耗 A/D 轉換器 AS1529。AS1528/29 系列對于有苛刻空間要求的小型電池驅動(dòng)設備和便攜式數據采集系統，如遙感器或筆式數字化儀而言，是理想的解決方案。這些器件采用小型 3x3mm TDFN 8 引腳封裝，可在高達 150 ksps 的采樣速度下以超低功耗運行，實(shí)現卓越的動(dòng)態(tài)性能。 與同系列的 12 位AS1524/2
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iSuppli調低08年半導體預期
- 市場(chǎng)研究機構iSuppli以全球經(jīng)濟不景氣為由，調低了2008年全球半導體市場(chǎng)銷(xiāo)售收入預期，不過(guò)對于整個(gè)市場(chǎng)形勢仍持樂(lè )觀(guān)態(tài)度。 據國外媒體報道，iSuppli的最新預期顯示，2008年全球半導體銷(xiāo)售收入將增至2914億美元，較2007年2709億美元(評估數據)增長(cháng)7.5%，而iSuppli今年9月份預測的增幅為9.3%，預期增幅減少了1.8個(gè)百分點(diǎn)。 iSuppli表示，2008年半導體市場(chǎng)將受到了能源成本上升的不利影響，美國經(jīng)濟2008年的預期并不樂(lè )觀(guān)，而美國經(jīng)濟的影響力自然會(huì )波及全球
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中國將出臺政策法規鼓勵半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展
- 國家近期將逐步完善半導體產(chǎn)業(yè)政策，出臺一系列政策法規，將產(chǎn)業(yè)發(fā)展逐步納入法制化軌道。 據電子信息產(chǎn)業(yè)部電子信息管理司丁文武副司長(cháng)介紹，目前，國家有關(guān)部門(mén)正在制定進(jìn)一步鼓勵I(lǐng)C制造業(yè)發(fā)展的政策，新政策有望在今年底之前出臺。此外，國家有關(guān)部門(mén)還制定了軟件與集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展條例，將軟件與集成電路發(fā)展納入法制軌道，此條例已經(jīng)納入今年國務(wù)院的立法規劃。 據了解，國家“十一五”規劃和相關(guān)的科技規劃都把發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)作為重點(diǎn)，國家“十一五”科技規劃確定的16個(gè)重大專(zhuān)項課題中，有2個(gè)與集成電路有關(guān)?！笆?/li>
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展望未來(lái)10年 預言半導體產(chǎn)業(yè)四大趨勢
- 1947年12月23日第一塊晶體管在貝爾實(shí)驗室誕生，從此人類(lèi)步入了飛速發(fā)展的電子時(shí)代。在晶體管技術(shù)日新月異的60年里，有太多的技術(shù)發(fā)明與突破，也有太多為之作出重要貢獻的偉人們，更有半導體產(chǎn)業(yè)分分合合、聚聚散散的恩怨情仇，曾經(jīng)呼風(fēng)喚雨的公司不再是永遠的霸主。本文筆者大膽預言半導體產(chǎn)業(yè)四大趨勢。 第一大趨勢：30年河“西”，30年河“東”。 回望晶體管誕生這60年，我們可以明顯看到半導體產(chǎn)業(yè)明顯向東方遷移的趨勢，特別是從80年代末開(kāi)始。1987年臺積電這個(gè)純晶圓代工廠(chǎng)的成立，宣告著(zhù)半導體制造業(yè)
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傳輸型耦合介質(zhì)振蕩器的計算機輔助設計
- 1 引 言 隨著(zhù)微波半導體技術(shù)和微波集成電路的發(fā)展，微波設備和系統也趨向于小型化、輕量化、固態(tài)化和集成化。微波系統中的微波源也對其諧振器的小型化、高Q值提出了迫切的要求。微波介質(zhì)諧振器振蕩器(DRO)由于使用高Q值(5 000～10 000)的微波介質(zhì)諧振器作為穩頻元件，故具有頻率穩定度高、體積小、重量輕、價(jià)格低、結構簡(jiǎn)單等突出優(yōu)點(diǎn)，已廣泛應用于現代衛星通信和其他微波系統中，成為新一代的微波固態(tài)源。 根據DR對振蕩電路的不同耦合方式和所起的作用，DRO通?？刹捎脙煞N類(lèi)型的電路來(lái)實(shí)現：
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專(zhuān)家分析:我國電子元件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現狀
- ——電子科技大學(xué)教授、元協(xié)科技委委員楊邦朝 一、歷經(jīng)50年的發(fā)展，我國電子元件的完整產(chǎn)業(yè)體系已全面形成。電子元件產(chǎn)業(yè)得到全面、快速的發(fā)展，無(wú)論產(chǎn)品種類(lèi)、規格、產(chǎn)能和產(chǎn)量、技術(shù)水平都得到很大提高。 二、我國電子元件產(chǎn)業(yè)規模，近20多年來(lái)的年增速達20%，2006年我國電子元件規模以上生產(chǎn)企業(yè)近3700家，銷(xiāo)售收入超過(guò)6000多億元。我國電子元件的生產(chǎn)已進(jìn)一步走向現代化和規?；?，從而確立了我國電子元件世界生產(chǎn)大國的地位。主要表現在：我國電子元件的產(chǎn)量已占全球的近39%以上。產(chǎn)量居世界第一的產(chǎn)品
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今年全球半導體收入達到2703億美元
- 據國外媒體報道，市場(chǎng)調研機構Gartner公布初步調查結果稱(chēng)，今年全球半導體市場(chǎng)的銷(xiāo)售收入比2006年增長(cháng)了2.9%達到2703億美元。 在全球最高十家半導體制造商中，有二家公司實(shí)現了二位數增長(cháng)，但有些廠(chǎng)商的收入低于去年。調查數據顯示，今年英特爾的銷(xiāo)售收入從去年的304億美元增長(cháng)了8.2%達到329億美元，它的市場(chǎng)份額從去年的11.6%上升為12.2%在全球排名第一。 韓國三星電子位居第二，它的銷(xiāo)售收入從去年的201億美元增長(cháng)了3.5%為208.5億美元，市場(chǎng)份額與去年持平為7.7%;日本
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恩智浦半導體發(fā)布大中華地區市場(chǎng)策略及發(fā)展目標
- 恩智浦半導體(NXP Semiconductors)發(fā)布2008年大中華地區市場(chǎng)策略及業(yè)務(wù)發(fā)展目標。恩智浦半導體為大中華地區排名前三位的半導體廠(chǎng)商, 在這一市場(chǎng)的營(yíng)收呈穩定成長(cháng)趨勢并將近占其全球業(yè)務(wù)的30%。展望未來(lái)， 恩智浦半導體將繼續加大創(chuàng )新研發(fā)力度，強化資產(chǎn)輕量化制造戰略,，建立更為高效的團隊來(lái)實(shí)現其于大中華地區的中期目標。 在創(chuàng )新技術(shù)方面, 恩智浦持續領(lǐng)先業(yè)界, 與大中華地區的合作伙伴在過(guò)去一年中保持緊密的合作, 包括與三星及北京天碁科技 (T3G)聯(lián)合推出首款TD-SCDMA/HSDP
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中國光伏產(chǎn)業(yè)受硅漲價(jià)打擊風(fēng)光不再
- 編者按：德國最大太陽(yáng)能企業(yè)Conergy公司今年將出現1.5億～2億歐元稅前虧損，對于中國光伏產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)，到底傳遞了怎樣的信息?中國光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展除了需要企業(yè)自身向上游挺進(jìn)，還需要哪些政策的支持? “中國的太陽(yáng)能公司境況也好不了太多，行業(yè)新一輪洗牌為時(shí)不遠?！贬槍Φ聡畲筇?yáng)能企業(yè)Conergy公司今年將出現1.5億～2億歐元稅前虧損的消息，寧波太陽(yáng)能公司一位高層昨日在接受《第一財經(jīng)日報》采訪(fǎng)時(shí)表示。 行業(yè)利潤急劇降低 隨著(zhù)太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，作為太陽(yáng)能電池板主要原料的多晶硅價(jià)格，從2
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可關(guān)斷晶閘管(GTO)
- 門(mén)極可斷晶閘管(gate turn-off thyristor,GTO)是一種具有自斷能力的晶閘管。處于斷態(tài)時(shí)，如果有陽(yáng)極正向電壓，在其門(mén)極加上正向觸發(fā)脈沖電流后，GTO可由斷態(tài)轉入通態(tài)，已處于通態(tài)時(shí)，門(mén)極加上足夠大的反向脈沖電流，GTO由通態(tài)轉入斷態(tài)。由于不需用外部電路強迫陽(yáng)極電流為0而使之關(guān)斷，僅由門(mén)極加脈沖電流去關(guān)斷它；所以在直流電源供電的DC—DC，DC—AC變換電路中應用時(shí)不必設置強迫關(guān)斷電路。這就簡(jiǎn)化了電力變換主電路，提高了工作的可靠性，減少了關(guān)斷損耗，與SCR相比還可以提高電力電子變換的
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晶閘管(SCR)原理
- 晶閘管(thyristor)是硅晶體閘流管的簡(jiǎn)稱(chēng)，俗稱(chēng)可控硅（SCR），其正式名稱(chēng)應是反向阻斷三端晶閘管。除此之外，在普通晶閘管的基礎上還派生出許多新型器件，它們是工作頻率較高的快速晶閘管(fast switching thyristor，FST)、反向導通的逆導晶閘管(reverse conducting thyristor，RCT)、兩個(gè)方向都具有開(kāi)關(guān)特性的雙向晶閘管(TRIAC)、門(mén)極可以自行關(guān)斷的門(mén)極可關(guān)斷晶閘管（gate turn off thyristor，GTO）、門(mén)極輔助關(guān)斷晶閘管(g
- 關(guān)鍵字： 晶閘管 半導體材料
半導體材料介紹
半導體材料（semiconductor material）
導電能力介于導體與絕緣體之間的物質(zhì)稱(chēng)為半導體。半導體材料是一類(lèi)具有半導體性能、可用來(lái)制作半導體器件和集成電的電子材料，其電導率在10（U-3）～10（U-9）歐姆/厘米范圍內。半導體材料的電學(xué)性質(zhì)對光、熱、電、磁等外界因素的變化十分敏感，在半導體材料中摻入少量雜質(zhì)可以控制這類(lèi)材料的電導率。正是利用半導體材料的這些性質(zhì)，才制造出功能多樣 [ 查看詳細 ]
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