FSI突破硅化物形成步驟中的金屬剝離技術(shù)

　　FSI 國際有限公司宣布已成功地采用FSI ViPR™技術(shù)在自對準多晶硅化物形成后去除了未反應的金屬薄膜。通過(guò)實(shí)現這一新的工藝，IC制造商可以在鈷、鎳和鎳鉑硅化物集成過(guò)程中，大幅度減少化學(xué)品的使用和降低對資金的要求。新訂購的FSI ZETA® Spray Cleaning System噴霧式清洗系統中已經(jīng)采用了FSI ViPR™技術(shù)，并將用于升級最近已經(jīng)在生產(chǎn)現場(chǎng)安裝的系統。

　　鎳鉑硅化物最早應用于65nm邏輯器件，因為它的阻抗更低，從而可實(shí)現器件性能的大幅改善。但在早期應用中，業(yè)界發(fā)現在不損害鎳鉑硅化物區域的情況下，去除未反應的鎳和鉑是非常有挑戰性的。在2005年，FSI憑借其新開(kāi)發(fā)的鎳鉑剝離工藝解決了這一問(wèn)題。

　　隨著(zhù)業(yè)界使用鎳鉑硅化物的經(jīng)驗增加，IC制造商觀(guān)察到更低的硅化物形成溫度可降低結泄漏電流。不過(guò)，這一溫度更低的工藝在金屬去除步驟中帶來(lái)了其它的復雜性，并使得高良率的集成方案無(wú)法實(shí)現。新的基于FSI ViPR™的工藝沒(méi)有這一限制，從而使得這樣一個(gè)低成本、高良率低溫退火鎳鉑硅化物工藝得以實(shí)現。