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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 半導體材料

半導體材料掀革命 10nm制程改用鍺/III-V元素

  •   半導體材料即將改朝換代。晶圓磊晶層(EpitaxyLayer)普遍采用的矽材料,在邁入10nm技術(shù)節點(diǎn)后,將面臨物理極限,使制程微縮效益降低,因此半導體大廠(chǎng)已相繼投入研發(fā)更穩定、高效率的替代材料。其中,鍺(Ge)和三五族(III-V)元素可有效改善電晶體通道的電子遷移率,提升晶片效能與省電效益,已被視為產(chǎn)業(yè)明日之星。   應用材料半導體事業(yè)群EpitaxyKPU全球產(chǎn)品經(jīng)理SaurabhChopra提到,除了制程演進(jìn)以外,材料技術(shù)更迭也是影響半導體科技持續突破的關(guān)鍵。   應用材料(Applied
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日本電力供應短缺致半導體材料漲價(jià)聲起

  •   日本政府要求關(guān)閉濱岡核電廠(chǎng),這將讓復工中的日本半導體材料供應商雪上加霜。分析人士指出,由濱岡核電廠(chǎng)關(guān)閉而引起的日本東北部夏日電力供應不足,將導致包括硅晶圓、銀膠、環(huán)氧樹(shù)脂等半導體材料必然漲價(jià),第二、三季的漲幅恐將達20~30%。   
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美研制出新式超導場(chǎng)效應晶體管

  •   美國科學(xué)家使用自主設計的、精確的原子逐層排列技術(shù),構造出了一個(gè)超薄的超導場(chǎng)效應晶體管,以洞悉絕緣材料變成高溫超導體的環(huán)境細節。發(fā)表于當日出版的《自然》雜志上的該突破將使科學(xué)家能更好地理解高溫超導性,加速無(wú)電阻電子設備的研發(fā)進(jìn)程。   
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2010年全球半導體材料市場(chǎng)同比增長(cháng)25%

  •   國際半導體制造裝置材料協(xié)會(huì )(SEMI)宣布,2010年全球半導體材料市場(chǎng)比上年增長(cháng)25%,達到435億5000萬(wàn)美元。其中晶圓處理工序(前工序)用材料為比上年增長(cháng)29%的179億美元,封裝組裝工序(后工序)用材料為比上年增長(cháng)21%的206億3000萬(wàn)美元。SEMI就材料市場(chǎng)擴大的理由,列出了前工序中的硅晶圓和后工序中的尖端封裝材料市場(chǎng)均大幅擴大。   
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2010年全球半導體材料銷(xiāo)售額創(chuàng )下新高

  •   由于半導體產(chǎn)業(yè)出貨量創(chuàng )新高,2010年全球半導體材料市場(chǎng)較2009年增長(cháng)25%,超過(guò)了2007年426.7億美元的高位。   2010年全球半導體材料市場(chǎng)收入總共為435.5億美元。晶圓制造材料和封裝材料分別為229.3億美元和206.3億美元,2009年分別為177.5億美元和170.9億美元。硅材料和封裝襯底收入的巨大漲幅為市場(chǎng)整體增長(cháng)做出了貢獻?!?/li>
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2010年全球半導體材料銷(xiāo)售額創(chuàng )下新高

  •   由于半導體產(chǎn)業(yè)出貨量創(chuàng )新高,2010年全球半導體材料市場(chǎng)較2009年增長(cháng)25%,超過(guò)了2007年426.7億美元的高位。   2010年全球半導體材料市場(chǎng)收入總共為435.5億美元。晶圓制造材料和封裝材料分別為229.3億美元和206.3億美元,2009年分別為177.5億美元和170.9億美元。硅材料和封裝襯底收入的巨大漲幅為市場(chǎng)整體增長(cháng)做出了貢獻。   
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半導體材料與設備業(yè)創(chuàng )新需政策助力

  •   從2010年開(kāi)始,中國集成電路市場(chǎng)步入新一輪成長(cháng)期,但市場(chǎng)的發(fā)展速度將不會(huì )再現前幾年的高速增長(cháng)態(tài)勢,平穩增長(cháng)將成為未來(lái)中國集成電路市場(chǎng)發(fā)展的主旋律。未來(lái)3年中國集成電路市場(chǎng)發(fā)展速度將保持在10%以上。因此,國內集成電路材料和設備企業(yè),應該抓住機遇,努力創(chuàng )新,在重點(diǎn)材料和設備方面有所突破,滿(mǎn)足國內市場(chǎng)需求。
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輝鉬材料異軍突起 或成為新一代半導體材料

  •   近日,瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院(EPFL)納米電子學(xué)與結構(LANES)實(shí)驗室稱(chēng),用一種名為輝鉬(MoS2)的單分子層材料制造半導體,或用來(lái)制造更小、能效更高的電子芯片,在下一代納米電子設備領(lǐng)域,將比傳統的硅材料或富勒烯更有優(yōu)勢。研究論文發(fā)表在1月30日的《自然?納米技術(shù)》雜志上。   輝鉬在自然界中含量豐富,通常用于合金鋼或潤滑油添加劑中的成分,在電子學(xué)領(lǐng)域尚未得到廣泛研究。“它是一種二維材料,非常薄,很容易用在納米技術(shù)上,在制造微型晶體管、發(fā)光二極管(LEDs)、太陽(yáng)能電池等方面有很大潛
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Dow Corning加入imec GaN研發(fā)項目

  •   Dow Corning正式簽署協(xié)議,加入imec的關(guān)于GaN半導體材料和器件技術(shù)的多方研發(fā)項目。該項目關(guān)注于下一代GaN功率器件和LED的發(fā)展。Dow Corning和imec的合作將致力于將硅晶圓上外延GaN技術(shù)帶入制造階段。
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NEULAND開(kāi)辟可再生能源電力高效利用新途徑

  •   隨著(zhù)全球能源需求的不斷攀升,提高能源效率成為降低二氧化碳排放,確保能源可靠供應的重要手段。   為此,德國半導體和太陽(yáng)能行業(yè)的6家合作伙伴攜手開(kāi)展了NEULAND項目。該項目由德國聯(lián)邦教育與研究部(BMBF)資助,旨在開(kāi)辟可再生能源電力高效利用的新途徑。NEULAND代表具備高能效和成本效益、基于寬帶隙化合物半導體的創(chuàng )新功率器件。該項目旨在系統成本不大幅提高的前提下,將可再生能源電力并網(wǎng)損耗降低50%,例如光伏逆變器。
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全球電子化學(xué)品市場(chǎng)前景看好

  •   經(jīng)歷了2008年底和2009年初的大幅下挫后,當前全球電子化學(xué)品需求已經(jīng)恢復至下挫前的水平。與此同時(shí),生產(chǎn)商面臨的成本壓力以及市場(chǎng)熱捧新型材料兩大因素正在促使電子化學(xué)品行業(yè)進(jìn)行革新和產(chǎn)業(yè)鏈的整合。這是從國際半導體設備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )(SEMI)于7月中旬在美國舊金山舉辦的2010年SEMICON West國際半導體展上傳出的信息。   微電子公司ATMI公司執行副總裁陶得·海因波特曼表示,與2009年相比,當前電子化學(xué)品工業(yè)表現景氣,客戶(hù)消費信心更加充足。在這樣的市場(chǎng)環(huán)境下,全球半導體生產(chǎn)
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斯坦福研究新太陽(yáng)能技術(shù) 效率提高一倍

  •   斯坦福大學(xué)的工程師們正在致力于研發(fā)新技術(shù),旨在讓目前的太陽(yáng)能能源系統的效率提升一倍。   這種新的方法被描述為“光子增強熱離子發(fā)射”,克服了傳統的光伏發(fā)電技術(shù)隨著(zhù)氣溫上升而效率下降的缺點(diǎn),實(shí)現了較高溫度下的能量轉換。   研究人員利用一種半導體材料上的銫涂層完成了200攝氏度以上的高溫下正常工作,如果該技術(shù)附加到現有系統中,可以降低部署拋物面天線(xiàn)和熱轉換裝置的成本,提高實(shí)際效率到50-60%,是目前最高水平的一倍以上。
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SEMI:半導體材料市場(chǎng)反彈至創(chuàng )新的記錄

  •   根據SEMI于SEMICON West上最新的數據報道,由于IC出貨量的持續增加,導致半導體材料用量己經(jīng)回到近08年水平,但是預期2011年的增速減緩。   2010年總的半導體前道材料(fab Materials)將由09年的178.5億美元(與08年相比下降26,2%)提高到217.1億美元,但仍未超過(guò)2008年241.9億美元水平 。這是由SEMI分析師Dan Tracy在7月12日下午的年會(huì )上公布的數據。   在2010年中增長(cháng)最快是硅片(32%up,達94.1億美元),緊接著(zhù)是光刻膠(2
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東京大學(xué)推出氧化物半導體驅動(dòng)液晶面板

  •   日本東北大學(xué)研究生院工學(xué)研究科智能元件材料學(xué)專(zhuān)業(yè)教授小池淳一的研究小組開(kāi)發(fā)出了用于氧化物半導體TFT驅動(dòng)的液晶面板、基于Cu-Mn合金的布線(xiàn)工藝,并在有源矩陣型顯示器國際學(xué)會(huì ) “AM-FPD 10”(2010年7月5~7日,在東京工業(yè)大學(xué)舉行)上發(fā)表了演講。與目前液晶面板中使用的Al布線(xiàn)相比,Cu布線(xiàn)的電阻要低1/2左右,因而可縮小面板布線(xiàn)的RC延遲。該工藝主要面向大尺寸液晶面板“4K×2K”(4000×2000像素級)以上的高精
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業(yè)界看法分歧 2010晶圓設備業(yè)前景難測

  •   從日前由國際半導體設備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )(SEMI)主辦的‘產(chǎn)業(yè)策略研討會(huì )’(ISS)中所發(fā)表的演講來(lái)看,隨著(zhù)IC與彰圓設備產(chǎn)業(yè)準備迎接繁榮的一年,業(yè)界的大好日子似乎不遠了!但在ISS大會(huì )的走廊上也聽(tīng)到了各種耳語(yǔ)表達出不同的觀(guān)點(diǎn)──2010年將會(huì )如何發(fā)展似乎誰(shuí)也說(shuō)不準。   部份業(yè)界分析師與設備制造商們預測,IC產(chǎn)業(yè)可能在2010年初期出現另一波需求衰退,甚至包括LCD與太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)也面臨著(zhù)相同的命運,導致出現令人憂(yōu)心的雙重衰退市況。而沖擊這整體市場(chǎng)的衰退潮將可能使得晶圓設備訂單陷入
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半導體材料介紹

半導體材料(semiconductor material) 導電能力介于導體與絕緣體之間的物質(zhì)稱(chēng)為半導體。半導體材料是一類(lèi)具有半導體性能、可用來(lái)制作半導體器件和集成電的電子材料,其電導率在10(U-3)~10(U-9)歐姆/厘米范圍內。半導體材料的電學(xué)性質(zhì)對光、熱、電、磁等外界因素的變化十分敏感,在半導體材料中摻入少量雜質(zhì)可以控制這類(lèi)材料的電導率。正是利用半導體材料的這些性質(zhì),才制造出功能多樣 [ 查看詳細 ]

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