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半導體材料
半導體材料 文章 進(jìn)入半導體材料技術(shù)社區
IGBT的保護
- 將IGBT用于變換器時(shí)，應采取保護措施以防損壞器件，常用的保護措施有： ?。?） 通過(guò)檢出的過(guò)電流信號切斷門(mén)極控制信號，實(shí)現過(guò)電流保護； ?。?） 利用緩沖電路抑制過(guò)電壓并限制du/dt； ?。?） 利用溫度傳感器檢測IGBT的殼溫，當超過(guò)允許溫度時(shí)主電路跳閘，實(shí)現過(guò)熱保護。 下面著(zhù)重討論因短路而產(chǎn)生的過(guò)電流及其保護措施。 前已述及，IGBT由于寄生晶閘管的影響，當流過(guò)IGBT的電流過(guò)大時(shí)，會(huì )產(chǎn)生不可控的擎住效應。實(shí)際應用中應使IGBT的漏極電流不超過(guò)額定電流，以避免出現擎住現
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西安半導體業(yè)：抓住市場(chǎng)熱點(diǎn) 完善產(chǎn)業(yè)體系
- 西安是我國重要的半導體產(chǎn)業(yè)基地之一。雖然遠離沿海，但西安仍快速抓住了市場(chǎng)熱點(diǎn)，在“十一五”期間，西安在集成電路產(chǎn)業(yè)方面進(jìn)行錯位發(fā)展，將重點(diǎn)集中在設計、設備、材料及導航業(yè)上。 多款自主創(chuàng )新芯片量產(chǎn) 西安的第一個(gè)錯位發(fā)展領(lǐng)域是集成電路設計業(yè)?！耙驗樵O計是一個(gè)智力型產(chǎn)業(yè)，西安在這方面的資源非常有優(yōu)勢?！标兾骷呻娐沸袠I(yè)協(xié)會(huì )秘書(shū)長(cháng)藺建文介紹了其中的原因，“在這方面，我們要發(fā)展一些高端的、具有自主知識產(chǎn)權的創(chuàng )新產(chǎn)品，這是我們這幾年花精力比較多的方面?！苯?jīng)過(guò)幾年的發(fā)展，目前，設計業(yè)已初具規模。
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iSuppli:07年中國半導體市場(chǎng)收入將增15%
- 據外電報道，市場(chǎng)研究公司iSuppli稱(chēng)，由于第三季度強勁增長(cháng)，中國半導體市場(chǎng)2007年的銷(xiāo)售收入將達到iSuppli預測的15%的增長(cháng)率。 iSuppli稱(chēng)，中國半導體市場(chǎng)2007年的銷(xiāo)售收入預計將從2006年的450億美元增長(cháng)到520億美元。這標志著(zhù)中國半導體市場(chǎng)的年收入首次突破500億美元。 iSuppli中國研究機構的高級分析師Horse Liu稱(chēng)，第三季度中間市場(chǎng)的強勁需求幫助半導體廠(chǎng)商實(shí)現了銷(xiāo)售收入目標。同時(shí)，盡管人民幣升值和石油價(jià)格上漲，中國電子產(chǎn)品出口仍然顯著(zhù)增長(cháng)。
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功率場(chǎng)效應晶體管(MOSFET)原理
- 功率場(chǎng)效應管(Power MOSFET)也叫電力場(chǎng)效應晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關(guān)斷能力,而且有驅動(dòng)功率小,開(kāi)關(guān)速度高、無(wú)二次擊穿、安全工作區寬等特點(diǎn)。由于其易于驅動(dòng)和開(kāi)關(guān)頻率可高達500kHz，特別適于高頻化電力電子裝置，如應用于DC/DC變換、開(kāi)關(guān)電源、便攜式電子設備、航空航天以及汽車(chē)等電子電器設備中。但因為其電流、熱容量小，耐壓低，一般只適用于小功率電力電子裝置。 一、電力場(chǎng)效應管的結構和工作原理 電力場(chǎng)效應晶體管種類(lèi)和結構有許多種，按導電溝道可分為P溝道和N溝道，同時(shí)
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全球太陽(yáng)能行業(yè)：硅料供需知多少
- 對太陽(yáng)能電池行業(yè)供需形勢的判斷需要了解供給和需求兩個(gè)方面，尤其是多晶硅的供給量。未來(lái)多晶硅供應增量包括三部分：傳統大廠(chǎng)的擴產(chǎn)、新進(jìn)入廠(chǎng)商的產(chǎn)量、物理法等新技術(shù)增加的產(chǎn)量。傳統大廠(chǎng)太陽(yáng)能級硅料產(chǎn)能在2008年翻番，2010年達到40350噸;物理法、FBR等新技術(shù)的計劃年產(chǎn)能也已經(jīng)超過(guò)1萬(wàn)噸;包括中國、俄羅斯、西班牙等國的新廠(chǎng)計劃產(chǎn)能也超過(guò)20000噸，可靠產(chǎn)能超過(guò)6000噸。 硅料供應緊張有望緩解 由硅料供應可以判斷太陽(yáng)能行業(yè)供給狀況。太陽(yáng)能電池根據原料來(lái)源可以分為三類(lèi)：太陽(yáng)能級多晶硅制造
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多晶硅技術(shù)有瓶頸 太陽(yáng)能發(fā)電短期難大用
- 太陽(yáng)能是最大的無(wú)污染可再生能源，它取之不盡，用之不竭，是今后人類(lèi)能源利用的重點(diǎn)。但目前太陽(yáng)能發(fā)電只占可再生能源5‰，居四大可再生能源的末位。這主要在于生產(chǎn)太陽(yáng)能電池多晶硅的改良西門(mén)子法耗電量太大，而正在探索中的冶金物理法技術(shù)尚不成熟。這需要我國科技工作者加快研發(fā)步伐，以期在研制太陽(yáng)能電池方面取得突破性進(jìn)展。 太陽(yáng)能基地電能輸送是難題 太陽(yáng)能是無(wú)污染的巨大能源。太陽(yáng)每秒照射到地球上的能量相當于500億噸煤，比目前全人類(lèi)的能耗量還大3.5萬(wàn)倍。太陽(yáng)內部的核聚變可以維持幾百億年，相對于人類(lèi)的有限
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分析：今明兩年半導體產(chǎn)業(yè)前景不容樂(lè )觀(guān)
- 市場(chǎng)調研公司Gartner日前降低了對今明兩年半導體產(chǎn)業(yè)的增長(cháng)預測。它警告稱(chēng)，隨著(zhù)該產(chǎn)業(yè)走向32納米工藝技術(shù)，處境只會(huì )變得越發(fā)困難。分析師在日前召開(kāi)的年度吹風(fēng)會(huì )上表示，該產(chǎn)業(yè)明年仍可能陷入衰退，取決于宏觀(guān)經(jīng)濟方面的一些因素。另外，Gartner發(fā)布了2007年的初步市場(chǎng)份額數據，顯示東芝、高通和海力士半導體是最大的贏(yíng)家，而AMD、飛思卡爾和IBM則是最大的輸家。 “該市場(chǎng)趨于成熟，到了該進(jìn)一步整合的時(shí)候，”Gartner的半導體研究副總裁BryanLewis表示，“如果你不具備一定的規?；蛘咴黾?/li>
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晶閘管的保護措施
- 1、 過(guò)電壓保護 晶閘管對過(guò)電壓很敏感，當正向電壓超過(guò)其斷態(tài)重復峰值電壓UDRM一定值時(shí)晶閘管就會(huì )誤導通，引發(fā)電路故障；當外加反向電壓超過(guò)其反向重復峰值電壓URRM一定值時(shí)，晶閘管就會(huì )立即損壞。因此，必須研究過(guò)電壓的產(chǎn)生原因及抑制過(guò)電壓的方法。 過(guò)電壓產(chǎn)生的原因主要是供給的電功率或系統的儲能發(fā)生了激烈的變化，使得系統來(lái)不及轉換，或者系統中原來(lái)積聚的電磁能量來(lái)不及消散而造成的。主要發(fā)現為雷擊等外來(lái)沖擊引起的過(guò)電壓和開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉引起的沖擊電壓兩種類(lèi)型。由雷擊或高壓斷路器動(dòng)作等產(chǎn)生的過(guò)電壓是幾微秒至幾
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絕緣柵雙極晶體管（IGBT）
- 一、IGBT的工作原理 電力MOSFET器件是單極型（N溝道MOSFET中僅電子導電、P溝道MOSFET中僅空穴導電）、電壓控制型開(kāi)關(guān)器件；因此其通、斷驅動(dòng)控制功率很小，開(kāi)關(guān)速度快；但通態(tài)降壓大，難于制成高壓大電流開(kāi)關(guān)器件。電力三極晶體管是雙極型（其中，電子、空穴兩種多數載流子都參與導電）、電流控制型開(kāi)關(guān)器件；因此其通-斷控制驅動(dòng)功率大，開(kāi)關(guān)速度不夠快；但通態(tài)壓降低，可制成較高電壓和較大電流的開(kāi)關(guān)器件。為了兼有這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，棄其缺點(diǎn)，20世紀80年代中期出現了將它們的通、斷機制相結合的新一代半導
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安森美半導體高效電源管理技術(shù)助力節能環(huán)保
- 當今社會(huì )，能源危機和環(huán)境污染已經(jīng)成為世界各國共同面臨的兩大難題。隨著(zhù)人們環(huán)保和節能意識的增加，低功耗設計越來(lái)越受到廠(chǎng)商、消費者和各國政府的關(guān)注，高能效的電源設計將成為市場(chǎng)的主導。并且，電源設計周期加快、低待機能耗、高能效以及減少占位面積的要求正在改變傳統的電源設計方法，推動(dòng)電源管理設計的創(chuàng )新。無(wú)論是客觀(guān)環(huán)境，還是人們的主觀(guān)意識上，“環(huán)保節能型”設計已是電源管理市場(chǎng)發(fā)展的大趨勢。 “環(huán)保節能型”設計的需求在給半導體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)巨大機遇的同時(shí)，也帶來(lái)了重大挑戰。在滿(mǎn)足政府及相關(guān)組織提出的節能環(huán)保標準和規
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2006-2011年亞洲半導體生產(chǎn)每年遞增10.8%
- 據市場(chǎng)研究公司In-Stat最新發(fā)表的研究報告稱(chēng)，亞洲半導體制造行業(yè)一直在快速提高生產(chǎn)能力，這種趨勢在未來(lái)幾年還將繼續下去。這篇研究報告預測稱(chēng)，亞洲半導體生產(chǎn)能力從2006年至2011年的復合年增長(cháng)率為10.8%。 分析師稱(chēng)，隨著(zhù)集成設備廠(chǎng)商外包的增長(cháng)，純代工廠(chǎng)商將越來(lái)越重要。純代工廠(chǎng)商在開(kāi)發(fā)領(lǐng)先的工藝技術(shù)方面將保持領(lǐng)先的地位。亞洲地區DRAM內存和閃存生產(chǎn)能力也將強勁增長(cháng)。這篇報告的要點(diǎn)包括：
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電力雙極型晶體管
- 電力雙極型晶體管(GTR)是一種耐高壓、能承受大電流的雙極晶體管，也稱(chēng)為BJT，簡(jiǎn)稱(chēng)為電力晶體管。它與晶閘管不同，具有線(xiàn)性放大特性，但在電力電子應用中卻工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，從而減小功耗。GTR可通過(guò)基極控制其開(kāi)通和關(guān)斷，是典型的自關(guān)斷器件。 一、電力晶體管的結構和工作原理 電力晶體管有與一般雙極型晶體管相似的結構、工作原理和特性。它們都是3層半導體，2個(gè)PN結的三端器件，有PNP和NPN這2種類(lèi)型，但GTR多采用NPN型。GTR的結構、電氣符號和基本工作原理，如圖1所示。 在應用中，GT
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功率二極管原理與應用
- 1、 功率二極管的基本特性 圖1（a）和圖1(b)所示為功率二極管的電路符號和靜態(tài)伏安特性。我們已經(jīng)知道，當二極管處在正向電壓作用下，管子兩端正偏壓很小(約1V左右)時(shí)便開(kāi)始導通；若二極管兩端加以反向電壓時(shí)，在被擊穿前僅有極小的可忽略不計的泄漏電流流過(guò)器件；正常工作時(shí)，加在二極管上的反向電壓應小于擊穿限定電壓值。 根據二極管在阻斷狀態(tài)（反向電壓下）時(shí)僅有極小的漏電流和在導通狀態(tài)時(shí)管壓降很低的特點(diǎn)，比較其工作過(guò)程中的電壓和電流的變化，我們可以得到它的理想伏安特性，如圖1（c）所示。該理想特性可用
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中國光伏產(chǎn)業(yè)多晶硅短缺仍在持續
- 多晶硅是電子工業(yè)和太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)的基礎材料。近年來(lái)，由于世界半導體集成電路產(chǎn)業(yè)和太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，尤其是受太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)發(fā)展的驅動(dòng)，多晶硅市場(chǎng)得以迅速增長(cháng)。而多晶硅市場(chǎng)供需不平衡問(wèn)題的日益突出，也引起了全世界的廣泛關(guān)注。 在當今能源日趨緊張、環(huán)境壓力日趨增大的情況下，可再生能源受到各國政府的日益重視，太陽(yáng)能作為一種重要的可再生能源，其開(kāi)發(fā)和利用已成為各國可持續發(fā)展戰略的重要組成部分。目前，我國可再生能源規模只有8%，未來(lái)的發(fā)展空間十分廣闊。而作為21世紀最有潛力的能源，太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)在研發(fā)、
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半導體材料介紹
半導體材料（semiconductor material）
導電能力介于導體與絕緣體之間的物質(zhì)稱(chēng)為半導體。半導體材料是一類(lèi)具有半導體性能、可用來(lái)制作半導體器件和集成電的電子材料，其電導率在10（U-3）～10（U-9）歐姆/厘米范圍內。半導體材料的電學(xué)性質(zhì)對光、熱、電、磁等外界因素的變化十分敏感，在半導體材料中摻入少量雜質(zhì)可以控制這類(lèi)材料的電導率。正是利用半導體材料的這些性質(zhì)，才制造出功能多樣 [ 查看詳細 ]
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