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【E問(wèn)E答】半導體新制程節點(diǎn)定位命名誰(shuí)說(shuō)的算數？
- 半導體制程節點(diǎn)名稱(chēng)出現前所未有的“增生”情況，產(chǎn)業(yè)界需要一種優(yōu)良的公用性能基準，才能對不同業(yè)者的半導體制程技術(shù)進(jìn)行比較。 這段時(shí)間以來(lái)，晶圓代工業(yè)者紛紛將他們自己的最新制程節點(diǎn)以自己想要的市場(chǎng)定位來(lái)命名，并非依據任何透明化的性能基準，而現在該是時(shí)候阻止這種“欺騙”行為。 英特爾(Intel)最近提出了一種簡(jiǎn)單、但在某種程度上有點(diǎn)“自私自利”的電晶體密度量測標準，其他晶圓代工競爭對手則以“震耳欲聾的沉默&rd
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魯大師Q3季度芯片排行榜：看制程高歌猛進(jìn)
- 手機芯片好比一部手機的大腦。一款智能手機的程序運行速度、流暢度、拍照、續航、網(wǎng)絡(luò )制式等大量的基礎性能的優(yōu)劣，其決定權均來(lái)自于手機處理器。因此，手機芯片對整個(gè)手機的性能有著(zhù)決定性的作用。 近日，魯大師數據中心發(fā)布了2016年Q3季度的芯片排行榜。通過(guò)該排行榜，我們可以大致了解本季度手機芯片市場(chǎng)發(fā)展。 芯片市場(chǎng)變化 事實(shí)上，2016年的手機芯片幾乎已在上半年就大批量投入使用了，從魯大師發(fā)布的2016年Q3季度報告中的CPU純邏輯運算性能測試TOP20可以了解到，本季
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為什么說(shuō)7nm是物理極限？如何看待晶體管制程從14nm縮減到了1nm？
- 適用了20余年的摩爾定律近年逐漸有了失靈的跡象。從芯片的制造來(lái)看，7nm就是硅材料芯片的物理極限。不過(guò)據外媒報道，勞倫斯伯克利國家實(shí)驗室的一個(gè)團隊打破了物理極限，采用碳納米管復合材料將現有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。那么，為何說(shuō)7nm就是硅材料芯片的物理極限，碳納米管復合材料又是怎么一回事呢?面對美國的技術(shù)突破，中國應該怎么做呢? XX nm制造工藝是什么概念? 芯片的制造工藝常常用90nm、65nm、40nm、28nm、22nm、14nm來(lái)表示，比如Intel最新的六代酷
- 關(guān)鍵字： 制程 1nm
先進(jìn)制程發(fā)展潛力佳 設備/材料商競相出擊
- 半導體先進(jìn)制程發(fā)展持續升溫，相關(guān)封裝、材料及設備需求也跟著(zhù)水漲船高。為因應先進(jìn)制程技術(shù)發(fā)展趨勢，半導體業(yè)者紛紛祭出新型機臺、設備或化學(xué)材料解決方案，藉以強化自身競爭優(yōu)勢，并搶占龐大的先進(jìn)制程需求大餅。 2016 年Semicon Taiwan展的攤位數量達一千六百個(gè)攤位，預估參觀(guān)人數則上看4.3萬(wàn)人，展會(huì )規模將創(chuàng )歷年之最。從本次Semicon Taiwan展會(huì )盛況可看出，整體而言，半導體產(chǎn)業(yè)未來(lái)仍具有相當大的發(fā)展潛力，特別是10奈米以下先進(jìn)制程，更是推動(dòng)半導體材料、設備需求的關(guān)鍵因素。 為滿(mǎn)足先
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半導體制程技術(shù)競爭升溫
- 要判定FinFET、FD-SOI與平面半導體制程各自的市場(chǎng)版圖還為時(shí)過(guò)早… 盡管產(chǎn)量仍然非常少，全空乏絕緣上覆矽(fully depleted silicon-on-insulator，FD-SOI)制程有可能繼Globalfoundries宣布12奈米計畫(huà)(參考閱讀)之后快速成長(cháng);而市 場(chǎng)研究機構International Business Strategies (IBS)資深分析師Handel Jones表示，三星(Samsung)或將在中國上海成立的一座新晶圓廠(chǎng)是否會(huì )采用FD
- 關(guān)鍵字： 制程 FinFET
Xilinx新小封裝FPGA降低50%成本
- 2008年1月15日，中國北京-全球領(lǐng)先的可編程邏輯器件(PLD)供應商賽靈思公司(Xilinx,?Inc.?(NASDAQ:?XLNX))宣布推出其最新的90nm低成本Spartan?-3A?FPGA器件。針對數字顯示、機頂盒以及無(wú)線(xiàn)路由器等應用而優(yōu)化的這些小封裝器件滿(mǎn)足了業(yè)界對更小器件封裝尺寸的需求，為成本極為敏感的消費電子設計提供將更好的支持?！ partan-3系列平臺:低成本消費應用的首選 賽靈思在大批量消費應用領(lǐng)域所取得的成功很大程度上依賴(lài)于其S
- 關(guān)鍵字： Xilinx FPGA IC 制程
先進(jìn)制程競賽Xilinx首重整合價(jià)值
- 由于A(yíng)SIC的研發(fā)成本居高不下，加上近來(lái)FPGA不斷整合更多的功能，同時(shí)也突破了過(guò)往功耗過(guò)高的問(wèn)題，尤其當進(jìn)入28奈米制程之后，其性?xún)r(jià)比開(kāi)始逼近ASSP與ASIC，促使FPGA開(kāi)始取代部分ASIC市場(chǎng)，應用范圍也逐步擴張。 掌握這樣的趨勢，讓FPGA大廠(chǎng)Xilinx在28奈米的產(chǎn)品營(yíng)收持續成長(cháng)。Xilinx企業(yè)策略與行銷(xiāo)資深副總裁SteveGlaser指出，預估今年在28奈米產(chǎn)品線(xiàn)將會(huì )有1億美元的營(yíng)收，市占率高達61%，而2014年更將大幅成長(cháng)，目標將成長(cháng)至2億5千萬(wàn)營(yíng)收表現，市占率也將成長(cháng)
- 關(guān)鍵字： Xilinx 制程
c制程漸成熟 有助3C產(chǎn)品微縮設計
- 行動(dòng)運算產(chǎn)品市場(chǎng)持續朝產(chǎn)品薄化方向設計，目前相關(guān)設計多使用整合晶片減少元件用量，對于異質(zhì)核心的封裝整合，若仍使用舊有的封裝技術(shù)將會(huì )造成成品元件仍具一定程度占位面積，必須利用堆疊與更復雜的3DIC技術(shù)進(jìn)行元件整合的積極微縮設計… 矽晶片的制程技術(shù)，一直是推進(jìn)行動(dòng)終端產(chǎn)品躍進(jìn)式升級、改善的關(guān)鍵驅動(dòng)力，以往透過(guò)SoC(systemonachip)將不同用途的異質(zhì)核心進(jìn)行整合，目前已經(jīng)產(chǎn)生簡(jiǎn)化料件、縮減關(guān)鍵元件占位面積的目的，但隨著(zhù)使用者對于行動(dòng)裝置或可攜式裝置的薄化、小型化要求越來(lái)越高，
- 關(guān)鍵字： 3D 制程 矽穿孔
臺積電新制程 攻行動(dòng)穿戴
- 就在市場(chǎng)普遍關(guān)注晶圓代工廠(chǎng)的28納米制程競爭之際，晶圓代工龍頭臺積電(2330)仍積極將現有技術(shù)升級為特殊技術(shù)制程產(chǎn)能，原因就是持續看好行動(dòng)裝置及智能穿戴裝置的強勁成長(cháng)動(dòng)能，包括嵌入式快閃存儲器(eFlash)、CMOS影像傳感器、指紋辨識元件、微機電及光感測元件等，都是臺積電未來(lái)2～3年的布局重點(diǎn)。 臺積電董事長(cháng)張忠謀在上周法說(shuō)會(huì )中，特別提及特殊技術(shù)重要性，因為行動(dòng)裝置及智能穿戴裝置的ARM架構核心處理器芯片，會(huì )大量用到28納米以下先進(jìn)制程，但其它的類(lèi)比或感測芯片同樣重要，而這些芯片雖不需應用
- 關(guān)鍵字： 臺積電 制程 NFC
ARM：14nm FinFET之路仍有顛簸
- 自從ARM決定從行動(dòng)裝置跨足到伺服器市場(chǎng)后，無(wú)不加快自己在制程技術(shù)上的腳步，好能跟Intel一決高下，不過(guò)當然還是必須協(xié)同主要合作夥伴(臺積電與三星)的技術(shù)進(jìn)度。對ARM來(lái)說(shuō)，去年年底宣布成功試產(chǎn)(Tape Out)14nm FinFET制程技術(shù)的三星，將是有助于提高自家處理器效能的關(guān)鍵，但目前仍有技術(shù)上的問(wèn)題必須克服。 日前ARM已正式對外公布2013年Q1財報，營(yíng)收同樣繼續維持成長(cháng)，主要營(yíng)收的大多比重皆是來(lái)自于IP技術(shù)授權(ARMv8、Mali、big.LITTLE技術(shù))。而低功耗一直以來(lái)都
- 關(guān)鍵字： ARM 制程 14nm
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