存儲芯片產(chǎn)業(yè)逐步向大陸轉移 這是彎道超車(chē)最佳時(shí)期？

　　大陸芯片產(chǎn)業(yè)規模從2001年199億元增長(cháng)到2014年3015億元，復合增速21%，遠高于同期全球產(chǎn)業(yè)7%增速，全球市場(chǎng)份額也從2001年的不到10%提升至2015年的45%左右，在全球半導體市場(chǎng)地位舉足輕重。

　　一批具有競爭力的企業(yè)開(kāi)始走上國際舞臺。設計方面，主流ASSP、ASIC芯片關(guān)鍵技術(shù)取得突破，海思和展訊躋身2015年全球10大IC設計公司;制造方面，12英寸28nm關(guān)鍵技術(shù)取得突破，2015年中芯國際和華虹宏力位列全球10大制造企業(yè)第5、8名;封測方面，主流廠(chǎng)商已掌握WLCSP、SIP、FanOut等先進(jìn)封裝技術(shù)，長(cháng)電科技并購星科金朋后躋身前三甲，華天科技、通富微電已進(jìn)入全球前十。

　　海思和展訊成為全球前十大IC設計企業(yè)(單位：百萬(wàn)美元)

　　芯片自給率不足30%，“缺芯之痛”依然存在。大陸電子制造產(chǎn)業(yè)鏈芯片整體缺位的狀況沒(méi)有明顯改善。

　　晶體管結構變化提升技術(shù)難度。28nm之下，晶體管基礎結構的顛覆性變化導致了設計、制造、封測和裝備材料整條產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)復雜的大幅提升。以制造為例，從28nm到20nm，代工廠(chǎng)的節點(diǎn)設計規則和設計規則檢查用面積分別上升了58%和95%，遠超之前和之后的制程。技術(shù)難度提升是制程演進(jìn)放緩的基礎因素。

　　資本開(kāi)支顯著(zhù)增大。投資一條28nm以下先進(jìn)的存儲芯片生產(chǎn)線(xiàn)需要的設備投資額高達120-150億美元，同時(shí)由于芯片設計技術(shù)難度隨制程演進(jìn)迅速增加，全球將少有廠(chǎng)商能承受如此大的資本開(kāi)支。

　　摩爾定律已近極限，3D技術(shù)漸成主流，大陸絕佳追趕時(shí)點(diǎn)。在物理極限和經(jīng)濟效益上遇到瓶頸之后，向三維空間堆疊的3D技術(shù)成為延續摩爾定律、提高芯片性能的主要手段。在平面微縮時(shí)代，制程演進(jìn)按照每1.5-2年的速度持續進(jìn)行，作為后進(jìn)者的大陸企業(yè)難以跟上產(chǎn)業(yè)步伐，加速追趕更無(wú)從談起;3D時(shí)代，一是單層芯片的制程演進(jìn)放緩;二是3D技術(shù)發(fā)展時(shí)間尚短，當下通過(guò)合資或者引進(jìn)獲取的技術(shù)本身就與海外巨頭差距不大。消化吸收后再創(chuàng )新，有望實(shí)現彎道追趕。

　　存量市場(chǎng)加速轉移，增量市場(chǎng)就在大陸

　　移動(dòng)終端最大生產(chǎn)國和消費國，產(chǎn)業(yè)轉移持續進(jìn)行。2015年大陸生產(chǎn)了全球84%的手機，64%的平板電腦，63%的電視和83%的PC/NB，成為全球最大消費電子生產(chǎn)國;以中華酷聯(lián)米為代表的自主品牌繼續在全球市場(chǎng)高歌猛進(jìn)。

　　全球存儲芯片產(chǎn)業(yè)向大陸轉移。存儲芯片是IC產(chǎn)業(yè)的基礎和大宗產(chǎn)品，在過(guò)去幾十年獲得極大的發(fā)展，存儲芯片產(chǎn)業(yè)逐步從美國、日本向臺灣、韓國轉移。中國大陸憑借其巨大的消費電子市場(chǎng)、龐大的電子制造業(yè)、相對低廉的勞動(dòng)力成本和工程師紅利、以及政府對于集成電路產(chǎn)業(yè)的政策扶持等優(yōu)勢，吸引了全球各大存儲芯片廠(chǎng)商來(lái)華投資設廠(chǎng)，當前產(chǎn)業(yè)開(kāi)始從臺韓向大陸轉移。

　　存儲芯片產(chǎn)業(yè)逐步向大陸轉移

　　云計算、物聯(lián)網(wǎng)，兩大增量市場(chǎng)在大陸。2014年DRAM下游應用，移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)終端占比接近70%;服務(wù)器、物聯(lián)網(wǎng)設備等占比約30%。2014年NANDFlash下游需求移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)終端占比近80%。市場(chǎng)可能擔心智能手機滲透率已經(jīng)很高，行業(yè)增速放緩，存儲芯片下游需求增長(cháng)堪憂(yōu)。我們認為：短期內，移動(dòng)終端出貨量增速放緩確實(shí)影響存儲芯片需求增速，但流量爆發(fā)下的云存儲設備、物聯(lián)網(wǎng)新終端和區塊鏈正加速爆發(fā)，有望形成新的需求增長(cháng)點(diǎn)。

　　大視頻時(shí)代來(lái)臨，流量爆發(fā)拉升服務(wù)器存儲芯片需求。從文字到圖片再到視頻，當前全球每年產(chǎn)生的數據正在以ZB的數級增長(cháng)，預計到2020年全球數據將超過(guò)40ZB，其中大約70%-80%的數據將存儲在云端。大型數據中心將拉動(dòng)服務(wù)器內存市場(chǎng)需求。2015年服務(wù)器內存增速達到48%，增速超過(guò)移動(dòng)內存，2016年依然將有40%的增速。

　　中國擁有全球最大的數據消費生產(chǎn)和消費群體，近年來(lái)IDC已成為我國戰略性基礎設施，各地紛紛搶建，形成烽火遍地之勢。中國IDC圈發(fā)布的報告顯示，2013年，我國數據中心產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規模已達262.5億元人民幣，同比增長(cháng)24.7%，預計2016年市場(chǎng)規模將達到548.3億元，增速提高到30%以上。IDC建設將會(huì )帶動(dòng)存儲芯片需求的增長(cháng)。

　　存儲芯片是最大短板。存儲芯片產(chǎn)業(yè)規模占IC產(chǎn)業(yè)的四分之一，具有高技術(shù)壁壘、重資產(chǎn)的雙重特性。與邏輯芯片大多采用垂直分工不同，存儲芯片行業(yè)多為IDM模式，海外巨頭憑借極強的先發(fā)優(yōu)勢牢牢把握市場(chǎng)。以DRAM和NANDFlash兩種主要存儲芯片為例，1Q16DRAM市場(chǎng)93%份額由三星、海力士、美光三家占據，NANDFlash市場(chǎng)幾乎100%份額被三星、海力士、東芝、閃迪、美光和英特爾六家瓜分，存儲器已成為大陸IC產(chǎn)業(yè)鏈的最大短板。

　　DRAM和NANDFlash是兩種最重要的存儲芯片

 3D技術(shù)興起有望成為大陸存儲芯片彎道追趕最佳時(shí)點(diǎn)

　　設計難度、資本開(kāi)支、經(jīng)濟效益三大因素制約摩爾定律繼續演進(jìn)。半導體制程已按摩爾定律發(fā)展近50年，制程進(jìn)步帶來(lái)的收益是成本下降和性能提升，付出的代價(jià)是技術(shù)復雜度提升和資本開(kāi)支越來(lái)越大。在28nm之上，收益遠遠大于代價(jià)，制程嚴格按摩爾定律演進(jìn)，基礎本來(lái)落后的大陸芯片產(chǎn)業(yè)難以跟上國際巨頭步伐，差距逐漸拉大。28nm之下，收益開(kāi)始小于代價(jià)，經(jīng)濟效益制約愈發(fā)明顯，制程演進(jìn)放緩。

　　物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代到來(lái)，長(cháng)尾市場(chǎng)孕育巨大需求

　　物聯(lián)網(wǎng)高速發(fā)展的時(shí)代已經(jīng)到來(lái)，Gartner預計2020年將有超過(guò)260億個(gè)各類(lèi)設備接入物聯(lián)網(wǎng)，涉及工農業(yè)、金融保險、交通運輸、汽車(chē)、家居、醫療健康等各個(gè)領(lǐng)域，從應用到芯片都醞釀巨大市場(chǎng)。其中智能硬件、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)和智能汽車(chē)有望接力傳統移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)終端，成為拉動(dòng)存儲芯片需求新的增長(cháng)點(diǎn)。大陸擁有全球最優(yōu)秀的互聯(lián)網(wǎng)公司，頂級的消費電子品牌和完整的電子制造供應鏈，有望引領(lǐng)此輪物聯(lián)網(wǎng)創(chuàng )新，大陸存儲芯片行業(yè)近水樓臺，有望深度受益。

　物聯(lián)網(wǎng)孕育巨大芯片市場(chǎng)

　　存儲芯片市場(chǎng)規模將保持穩定增長(cháng)態(tài)勢。

 一方面，傳統移動(dòng)終端雖然增速放緩，但對存儲空間的要求越來(lái)越大;

 另一方面，云計算、物聯(lián)網(wǎng)等新領(lǐng)域將創(chuàng )造新的需求空間，大陸存儲芯片市場(chǎng)規模有望保持穩定增長(cháng)態(tài)勢。

　　中國存儲芯片市場(chǎng)規模將保持穩定增長(cháng)態(tài)勢(單位：億美元)