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矽穿孔
矽穿孔 文章 進(jìn)入矽穿孔技術(shù)社區
矽穿孔技術(shù)襄助 3D IC提高成本效益
- 應用直通矽晶穿孔(TSV)技術(shù)的三維積體電路(3DIC)為半導體業(yè)界提供全新境界的效率、功耗、效能及體積優(yōu)勢。然而，若要讓3DIC成為主流，還必須執行許多基礎的工作。電子設計自動(dòng)化(EDA)業(yè)者提供周延的解決方案支援3DIC革命，包括類(lèi)比與數位設計實(shí)現、封裝與印刷電路板(PCB)設計工具。半導體廠(chǎng)可以運用這個(gè)解決方案，滿(mǎn)足高效率設計應用TSV技術(shù)的3DIC的所有需求。 隨著(zhù)更高密度、更大頻寬與更低功耗的需求日益增加，許多IC團隊都在期待應用TSV技術(shù)的3DIC。3DIC以更小的體積容納豐富的
- 關(guān)鍵字： 矽穿孔 3D
國研院開(kāi)發(fā)新芯片 大幅提升訊號傳輸速度
- 國研院今發(fā)表「積層型3D-IC」技術(shù)，可將訊號傳輸速度提升數百倍、耗能降低至少一半。預計今年便可運用在顯示器上，未來(lái)將陸續與國內記憶體、面板及晶圓代工產(chǎn)業(yè)合作，估計技轉金約需上億元，是國研院截至目前為止的最高技轉金額。 新世代要求多功能、可攜式智慧行動(dòng)裝置，需要傳輸速度更快、更低耗能的晶片來(lái)處理，因此近年來(lái)積體電路(IC)制作漸由平面2DIC衍伸出立體結構的3DIC，藉由IC堆疊來(lái)縮短訊號傳輸距離。目前半導體廠(chǎng)制作3DIC主要是以「矽穿孔3D-IC技術(shù)」，將兩塊分別制作完成的IC晶片以垂直導線(xiàn)連
- 關(guān)鍵字： 矽穿孔 芯片
c制程漸成熟 有助3C產(chǎn)品微縮設計
- 行動(dòng)運算產(chǎn)品市場(chǎng)持續朝產(chǎn)品薄化方向設計，目前相關(guān)設計多使用整合晶片減少元件用量，對于異質(zhì)核心的封裝整合，若仍使用舊有的封裝技術(shù)將會(huì )造成成品元件仍具一定程度占位面積，必須利用堆疊與更復雜的3DIC技術(shù)進(jìn)行元件整合的積極微縮設計… 矽晶片的制程技術(shù)，一直是推進(jìn)行動(dòng)終端產(chǎn)品躍進(jìn)式升級、改善的關(guān)鍵驅動(dòng)力，以往透過(guò)SoC(systemonachip)將不同用途的異質(zhì)核心進(jìn)行整合，目前已經(jīng)產(chǎn)生簡(jiǎn)化料件、縮減關(guān)鍵元件占位面積的目的，但隨著(zhù)使用者對于行動(dòng)裝置或可攜式裝置的薄化、小型化要求越來(lái)越高，
- 關(guān)鍵字： 3D 制程 矽穿孔
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矽穿孔介紹
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