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三星 sdi
三星 sdi 文章 進(jìn)入三星 sdi技術(shù)社區
三星大規模人事調整，代工、存儲等部門(mén)負責人變更
- 11月27日，三星電子宣布了2025屆總裁級別人事變動(dòng)，以增強未來(lái)的競爭力，主要變動(dòng)包括制度、部門(mén)管理、人員職務(wù)等層面方面。制度和部門(mén)管理變化主要包括，存儲業(yè)務(wù)轉變?yōu)镃EO直接領(lǐng)導制度；更換代工業(yè)務(wù)負責人，重組業(yè)務(wù)線(xiàn)；在Foundry部門(mén)設立總裁級CTO職位；在DS部門(mén)設立總裁級管理戰略職位；任命DS業(yè)務(wù)負責人為CEO，建立各事業(yè)部CEO業(yè)務(wù)責任制；成立DX事業(yè)部負責人領(lǐng)導的質(zhì)量創(chuàng )新委員會(huì )，推動(dòng)質(zhì)量領(lǐng)域的根本性創(chuàng )新。具體的人員職務(wù)調整則如下：全永鉉（Young Hyun Jun），原三星電子副社長(cháng)兼半導體
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三星回應：“Exynos 2600 芯片被取消”是毫無(wú)根據的謠言
- 11 月 27 日消息，三星發(fā)言人昨日（11 月 26 日）通過(guò)科技媒體?Android?Headline 發(fā)布聲明：“所謂的 Exynos 2600 芯片取消量產(chǎn)傳聞并不屬實(shí)，是毫無(wú)根據的謠言”。IT之家曾于 11 月 25 日報道，消息源 @Jukanlosreve 在 X 平臺曝料后，包括 Gizmochina 在內的多家主流媒體也跟進(jìn)報道，消息稱(chēng)從韓國芯片設計行業(yè)渠道獲悉，三星正減少 2025 年的訂單，因此推測三星將徹底取消量產(chǎn) Exynos 2600 芯片計劃。此前消息稱(chēng)三
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三星大幅減少未來(lái)生產(chǎn)NAND所需光刻膠使用量
- 據韓媒報道，稱(chēng)三星電子在生產(chǎn) 3D NAND 閃存方面取得重大突破，在其中光刻工藝中大幅縮減光刻膠（PR）用量，降幅達到此前用量的一半。報道稱(chēng)，此前每層涂層需要7-8cc的光刻膠，而三星通過(guò)精確控制涂布機的轉速（rpm）以及優(yōu)化PR涂層后的蝕刻工藝，現在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻膠，通常情況下一次工藝形成1層涂層，而使用更厚的光刻膠，三星可以一次形成多個(gè)層，從而提高工藝效率，但同時(shí)也有均勻性問(wèn)題。東進(jìn)半導體一直是三星KrF光刻膠的獨家供應商，為三星第7代（11微米）和第
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三星 Exynos 2600芯片前景堪憂(yōu)：良率挑戰嚴峻，有被取消量產(chǎn)風(fēng)險
- 11 月 25 日消息，消息源 @Jukanlosreve 于 11 月 22 日在 X 平臺發(fā)布推文，曝料稱(chēng)從韓國芯片設計行業(yè)渠道獲悉，三星正減少 2025 年的訂單，因此推測三星將徹底取消量產(chǎn) Exynos 2600 芯片計劃。此前援引 DigiTimes 報道，稱(chēng) 3nm 工藝上遇到的困境，并沒(méi)有擊垮三星，反而讓三星“越挫越勇”，正積極布局 2nm 芯片，力圖在 2026 年實(shí)現強勢反彈。消息稱(chēng)三星正積極爭取來(lái)自高通和英偉達的大規模訂單，目標是 2026 年初量產(chǎn)。而在此之前，三星計劃在 2025
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中國手機廠(chǎng)商新一輪擴張浪潮，欲打破高端市場(chǎng)壟斷
- 市場(chǎng)調查機構Counterpoint Research發(fā)布了最新報告，指出在全球智能手機市場(chǎng)回暖、高端市場(chǎng)增長(cháng)強勁的大背景下，中國手機廠(chǎng)商正掀起第二波海外擴張浪潮，目標直指高端市場(chǎng) —— 力求打破蘋(píng)果和三星的壟斷，預示著(zhù)多元化競爭的到來(lái)。隨著(zhù)5G時(shí)代的到來(lái)，以及生成式人工智能技術(shù)的快速發(fā)展，高端智能手機市場(chǎng)需求持續增長(cháng)。根據Counterpoint的數據顯示，從2018年到2023年，售價(jià)超過(guò)600美元的高端智能手機的年復合增長(cháng)率達到6%，預計2024年銷(xiāo)量將超過(guò)3億部。在中國市場(chǎng)600美元以上價(jià)位，雖然
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三星擴大高帶寬存儲器封裝產(chǎn)能
- 據外媒報道，三星正在擴大韓國和其他國家芯片封裝工廠(chǎng)的產(chǎn)能，主要是蘇州工廠(chǎng)和韓國忠清南道天安基地。由于人工智能領(lǐng)域激增的需求，下一代高帶寬存儲器封裝（HBM）的重要性日益重要，三星希望通過(guò)提升封裝能力，確保他們未來(lái)的技術(shù)競爭力，并縮小與SK海力士在這一領(lǐng)域的差距?！?蘇州工廠(chǎng)是三星目前在韓國之外僅有的封裝工廠(chǎng)，業(yè)內人士透露他們在三季度已同相關(guān)廠(chǎng)商簽署了設備采購協(xié)議，合同接近200億韓元，目的是擴大工廠(chǎng)的產(chǎn)能?！?另外，三星近期已同忠清南道和天安市簽署了擴大芯片封裝產(chǎn)能的投資協(xié)議，計劃在韓國天安市新建一座專(zhuān)門(mén)
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三星“緊跟”臺積電：對中國大陸暫停提供7nm及以下制程的芯片
- 據外媒報道，美國商務(wù)部已向臺積電發(fā)函，對7nm及以下制程的芯片實(shí)施更為嚴格的出口管控措施，特別是針對人工智能（AI）和圖形處理器（GPU）領(lǐng)域。對此臺積電計劃提高與客戶(hù)洽談與投片的審核標準，擴大產(chǎn)品審查范圍 —— 同時(shí)，已通知中國大陸的部分芯片設計公司，從即日起暫停向它們提供7nm或以下制程的芯片。臺積電回應稱(chēng)，對于傳言不予置評。從最新的傳聞來(lái)看，雖然美國目前尚未正式出臺相關(guān)的限制細則，但三星似乎也受到了來(lái)自美國商務(wù)部的壓力，不得不采取與臺積電類(lèi)似的舉措。有消息稱(chēng)，三星與臺積電近日向他所投資的企業(yè)發(fā)送郵件
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全球智能手機平均售價(jià)創(chuàng )歷史新高
- 根據市場(chǎng)調查機構Counterpoint Research發(fā)布的最新顯示， 預計2024年全球智能手機平均售價(jià)（ASP）將達到365美元，同比增長(cháng)3%。價(jià)格上漲的關(guān)鍵因素是物料清單（BoM）成本增加，其中芯片（SoC）價(jià)格的上漲起到了重要作用。這一上漲趨勢的背后是全球智能手機市場(chǎng)高端化的加速，各大智能手機制造商紛紛加快集成生成式AI技術(shù)，并不斷拓寬AI的應用范圍。例如，以小米最新發(fā)布的15系列為例，搭載高通驍龍8至尊版芯片，售價(jià)較前代上漲了70美元。Counterpoint數據顯示：2024年第
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高通驍龍 8 至尊版 2 芯片曝料：?jiǎn)魏似?4000 分，多核提升超 20%
- 11 月 12 日消息，消息源 Jukanlosreve 昨日（11 月 11 日）在 X 平臺發(fā)布推文，曝料稱(chēng)高通第二代驍龍 8 至尊版芯片在 GeekBench 6 單核成績(jì)突破 4000 分，多核性能比初代驍龍 8 至尊版提升 20%。援引消息源信息，高通第二代驍龍 8 至尊版芯片（高通驍龍 8Gen 5）將混合使用三星的 SF2 代工和臺積電的 N3P 工藝。消息源還透露高通第二代驍龍 8 至尊版芯片和聯(lián)發(fā)科天璣 9500 芯片均支持可擴展矩陣擴展（Scalable Matrix Extensio
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三星陷入良率困境，晶圓代工生產(chǎn)線(xiàn)關(guān)閉超30%
- 根據韓國三星證券初步的預測數據顯示，三星3nm GAA制程的良率約為20%，比可達成大規模生產(chǎn)的建議值低了三倍。因訂單量不足關(guān)閉代工生產(chǎn)線(xiàn)進(jìn)入5nm制程時(shí)，三星晶圓代工業(yè)務(wù)就因為無(wú)法克服良率障礙而失去了高通驍龍 8 Gen 3的獨家代工訂單，高通的訂單全給了臺積電，同樣上個(gè)月最新推出的3nm芯片驍龍 8 Gen 4也是由臺積電代工。為了滿(mǎn)足客戶(hù)需求，三星并不堅持使用自家代工廠(chǎng)，即將發(fā)布的三星Galaxy 25系列手機全系醬搭載驍龍 8 至尊版芯片，放棄自研Exynos2500版本。目前在代工領(lǐng)域，臺積電拿
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Counterpoint 報告 2024Q3 印度手機出貨量
- 10 月 31 日消息，市場(chǎng)研究機構 Counterpoint Research 昨日（10 月 30 日）發(fā)布博文，報道稱(chēng) 2024 年第 3 季度（7~9 月）印度智能手機出貨量同比增長(cháng) 3%，出貨值同比增長(cháng) 12%，創(chuàng )下歷年第 3 季度歷史新高。IT之家援引該博文內容，按照出貨量和出貨值兩個(gè)緯度，簡(jiǎn)要梳理下各家品牌的表現：一、出貨量vivovivo 得益于其多樣化的產(chǎn)品組合和 T 系列的成功擴展，全年保持健康的庫存水平，在印度智能手機市場(chǎng)重新奪回了首位，市場(chǎng)占有率為 19.4%，出貨量同比增長(cháng) 26
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消息稱(chēng)三星下代 400+ 層 V-NAND 2026 年推出，0a DRAM 采用 VCT 結構
- 10 月 29 日消息，《韓國經(jīng)濟日報》當地時(shí)間昨日表示，根據其掌握的最新三星半導體存儲路線(xiàn)圖，三星電子將于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆疊層數超過(guò) 400，而預計于 2027 年推出的 0a nm DRAM 則將采用 VCT 結構。三星目前最先進(jìn)的 NAND 和 DRAM 工藝分別為第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 納米級）DRAM。報道表示三星第 10 代（即下代） V-NAND 將被命名為 BV（Bonding Vertical） NAND，這是因為這代產(chǎn)品將調
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三折疊？代號暗示三星 Galaxy Z Fold7 手機將推 2 種機型
- 10 月 25 日消息，科技媒體 Galaxy Club 昨日（10 月 24 日）發(fā)布博文，曝料稱(chēng)三星目前已研發(fā)新款折疊手機，并透露 Galaxy Z Fold7 會(huì )有兩種版本。援引該媒體報道，附上三星新款折疊手機代號如下：Galaxy Z Flip7：代號 B7Galaxy Z Fold7：代號 Q7新 Fold 衍生機型：代號 Q7M（具體含義尚不明確）目前尚不清楚 Q7M 代號的含義，不排除是三折疊手機的可能。IT之家曾報道，三星已完成開(kāi)發(fā)三折疊手機相關(guān)部件，有望在 2025 年發(fā)布，不過(guò)最新消息
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臺積電要當心？英特爾想找三星組大聯(lián)盟
- 臺積電大幅領(lǐng)先三星和英特爾，這讓兢爭對手很焦急，韓媒報導，英特爾已尋求和三星建立「代工聯(lián)盟」，一起合作對抗臺積電。根據《每日經(jīng)濟》報導，英特爾一位高層人士最近要求會(huì )見(jiàn)三星高階主管，傳達英特爾執行長(cháng)季辛格希望親自與三星會(huì )長(cháng)李在镕會(huì )面。報導提到，英特爾2021年成立代工服務(wù) (IFS) 后，始終未能吸引到訂單量較大的顧客，只與思科和AWS簽訂了合約；至于三星則深陷良率問(wèn)題，雖然其晶圓代工部門(mén)持續進(jìn)行投資，但在產(chǎn)品良率上始終達不到客戶(hù)要求，導致與臺積電的市占率落差持續擴大。根據Trend Force統計，第二季
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對三星 sdi的理解，并與今后在此搜索三星 sdi的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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