消息稱(chēng)三星下代 400+ 層 V-NAND 2026 年推出，0a DRAM 采用 VCT 結構

 10 月 29 日消息，《韓國經(jīng)濟日報》當地時(shí)間昨日表示，根據其掌握的最新三星半導體存儲路線(xiàn)圖，三星電子將于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆疊層數超過(guò) 400，而預計于 2027 年推出的 0a nm DRAM 則將采用 VCT 結構。

三星目前最先進(jìn)的 NAND 和 DRAM 工藝分別為第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 納米級）DRAM。

報道表示三星第 10 代（即下代） V-NAND 將被命名為 BV（Bonding Vertical） NAND，這是因為這代產(chǎn)品將調整 NAND 結構，從目前的 CoP 外圍上單元改為分別制造存儲單元和外圍電路后垂直鍵合，整體思路與長(cháng)江存儲 Xtacking、鎧俠-西部數據 CBA 相似。

韓媒表示，這一改動(dòng)可防止 NAND 堆疊過(guò)程中對外圍電路結構的破壞，還能實(shí)現較 CoP 方案高出 60% 的位密度；2027 年的 V11 NAND 層數進(jìn)一步增長(cháng)，I/O 速率可提升 50%；未來(lái)有望實(shí)現千層堆疊。

而在 DRAM 內存領(lǐng)域，韓媒表示三星電子將于 2025 年上半年推出 1c nm DRAM，2026 年推出 1d nm DRAM，而到 2027 年則將推出第一代 10nm 以下級 0a nm DRAM 內存，整體同三星存儲器業(yè)務(wù)負責人李禎培此前展示的內容相近。

報道認為三星電子將在 0a nm 節點(diǎn)引入 VCT（IT之家注：垂直通道晶體管）技術(shù)，構建三維結構的 DRAM 內存，進(jìn)一步提升容量的同時(shí)減少臨近單元干擾。此前消息指，三星將于明年完成 4F2 VCT DRAM 原型開(kāi)發(fā)。