全球半導體支出縮減　三星、SK海力士反其道而行

　　南韓存儲器芯片業(yè)界將主導設備投資(CAPEX)競爭。在其他地區競爭業(yè)者擔憂(yōu)IT產(chǎn)品需求趨緩，而縮減設備投資規模時(shí)，三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)等南韓企業(yè)將反其道而行，擴大投資并推動(dòng)微細制程尖端化等，致力于研發(fā)新技術(shù)，未來(lái)在競爭中將更具優(yōu)勢。

　　據南韓Newstomatoa報導，英特爾(Intel)決定將2015年設備投資規模，從87億美元縮減11.5%至77億美元;臺積電設備投資規模也從120億美元減少約8%至110億美元。因IT裝置等終端產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售疲軟，相關(guān)零組件需求減少，全球IT、系統芯片業(yè)者紛紛調降原定的設備投資規模。這也意味著(zhù)下半年全球IT需求將鈍化。

　　反觀(guān)DRAM業(yè)者致力于擴大投資規模。上半年三星的投資額已達7.6兆韓元(約64億美元)，以年度為基準，總投資額可能超過(guò)15兆韓元。2014年三星半導體設備投資規模為14.3兆韓元。

　　SK海力士上半年投資3.7兆韓元，較2014年增加35%。年度投資規模估計為6兆韓元。DRAM業(yè)界三哥美光(Micron)的投資規模將維持2015年初計劃，約40億美元，2016年設備投資規模估計將近50億美元。

　　DRAM業(yè)者擴大投資設備，將無(wú)法排除DRAM的供需失衡的可能性。目前以PC和伺服器DRAM為中心，DRAM價(jià)格正在下滑，若出現供貨過(guò)剩的情況，將加速跌價(jià)。

　　韓廠(chǎng)計劃透過(guò)確保微細制程加強競爭力。透過(guò)引進(jìn)尖端微細制程，提升產(chǎn)品性能并節約成本，一箭雙鵰。韓廠(chǎng)若能較其他競爭業(yè)者先一步引進(jìn)尖端制程，即使面臨供過(guò)于求的情況，也能維持較他廠(chǎng)穩定的營(yíng)收和獲利。

　　三星2014年在PC DRAM、移動(dòng)DRAM、伺服器DRAM等應用20納米制程，2015年成功量產(chǎn)20納米圖形DRAM，持續提升20納米DRAM在整體DRAM產(chǎn)品的比重。

　　生產(chǎn)20納米級DRAM的SK海力士，預計2016年初完成伺服器及移動(dòng)裝置用DDR4 DRAM研發(fā)，將擴大20納米制程產(chǎn)能。

　　南韓業(yè)者表示，受到終端產(chǎn)業(yè)不振和供貨過(guò)剩影響，DRAM市場(chǎng)成長(cháng)趨緩。以目前的情況來(lái)看，韓廠(chǎng)為領(lǐng)先其他競爭業(yè)者，朝著(zhù)透過(guò)尖端微細制程提升競爭力的方向努力。