三星、SK海力士領(lǐng)軍　NAND Flash主導下半年設備投資

　　DRAM與NAND Flash市場(chǎng)預期下半年將持續榮景，主要設備廠(chǎng)商業(yè)績(jì)也有望改善。其中的最大幕后推手就是三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)。

　　據ET News指出，最主要的原因就在于下半年的設備投資將以NAND Flash為主，而三星正在擴大3D NAND的產(chǎn)量;SK海力士也正在進(jìn)行年底量產(chǎn)3D NAND的準備。南韓設備廠(chǎng)光是消化三星、SK海力士的新訂單就足以擴大業(yè)績(jì)。而美光(Micron)、新帝(Sandisk)、東芝(Toshiba)等廠(chǎng)商也正在如火如荼的準備3D NAND的量產(chǎn)。

　　若將構造由原來(lái)以水平組成Cell的2D NAND，改為以垂直堆疊Cell的3D NAND，在生產(chǎn)芯片時(shí)，蒸鍍以及蝕刻制程的步驟也將增加。雖然曝光制程維持不變，但蒸鍍將會(huì )增加50~60%左右的步驟，而蝕刻也將增加30~40%。因此，供應蒸鍍以及蝕刻設備的IPS、TES以及PSK等南韓設備廠(chǎng)皆有望受惠。

　　3D NAND正以大容量資料儲存裝置市場(chǎng)為中心，需求快速成長(cháng)。此外，除了旗艦智能型手機外，中低價(jià)智能型手機儲存容量的提升，也加速了3D NAND市場(chǎng)的成長(cháng)腳步。

　　三星電子也開(kāi)始增設位于大陸西安的3D NAND Flash設備，一般認為，三星將會(huì )在大陸西安投資量產(chǎn)48階層3D NAND。到2016年初為止，預期將會(huì )增設3.5萬(wàn)片的規模。之后，也預期三星會(huì )將原來(lái)的32階層NAND轉換為48階層。

　　隨著(zhù)三星的擴產(chǎn)，預期將有望強化在3D NAND Flash市場(chǎng)的主導權。目前市場(chǎng)上雖然只有三星已量產(chǎn)3D NAND Flash，但日后隨著(zhù)競爭對手技術(shù)的提升，有可能將會(huì )侵蝕三星既有的市場(chǎng)版圖。

　　市調機構IHS指出，全球NAND Flash市場(chǎng)上，2015年3D產(chǎn)品比重約為4.5%。2016年則將快速提升到21.2%，到了2017年時(shí)則將達到近半的41.2%，成長(cháng)速度驚人。因此不只是三星，SK海力士、東芝等業(yè)者，都計劃在下半年開(kāi)始進(jìn)軍3D NAND Flash市場(chǎng)。

　　SK海力士第二代36層3D NAND研發(fā)作業(yè)將在第3季初完成，目前正在進(jìn)行下半年量產(chǎn)3D NAND的準備。2015年底將著(zhù)手對第三代48層3D NAND進(jìn)行驗證，開(kāi)啟第三代NAND時(shí)代。

　　此外，東芝和新帝、美光和英特爾(Intel)也開(kāi)始建立策略合作關(guān)系，共同研發(fā)3D NAND。據悉，東芝將于2016年上半將在日本四日市工廠(chǎng)量產(chǎn)128Gb 48層3D NAND。而美光和英特爾則是計劃在年底量產(chǎn)256Gb 32層堆疊MLC NAND和384Gb容量TLC NAND。

　　另一方面，DRAM由于微細制程的轉換，也預告了另外一波的投資潮。據悉，三星目前20納米DRAM比重，到第2季為止，約已擴大到20%左右的水準。而SK海力士25納米DRAM量尺比重，在第2季也已調整至60%左右。除了25納米以外，SK海力士也有可能會(huì )量產(chǎn)20納米DRAM，對此南韓設備廠(chǎng)的期待甚高。

　　最后，系統芯片量產(chǎn)投資也是備受矚目的領(lǐng)域。南韓業(yè)界指出，三星17產(chǎn)線(xiàn)已經(jīng)優(yōu)先選擇DRAM生產(chǎn)，不久應該也會(huì )決定是否要投資系統芯片。三星最終到底是會(huì )選擇DRAM設備?還是系統芯片設備?更是近期所注目的焦點(diǎn)。