SK海力士今年成長(cháng)三大核心　20納米、M14新廠(chǎng)、3D NAND

　　面對競爭激烈的半導體市場(chǎng)，SK海力士(SK Hynix)為了維持存儲器事業(yè)持續成長(cháng)，2015年將面臨三大課題：成功量產(chǎn)22納米DRAM、建構利川M14新廠(chǎng)的量產(chǎn)系統，以及強化三階儲存單元(Triple-Level Cell;TLC)與3D V-NAND競爭力。

　　根據韓媒E-Daily報導，SK海力士社長(cháng)樸星昱日前在京畿道利川總部舉行的定期股東大會(huì )上表示，2015年下半初期將開(kāi)始量產(chǎn)22納米DRAM，意即最快在7月SK海力士就會(huì )開(kāi)始量產(chǎn)22納米DRAM。

　　SK海力士近2年業(yè)績(jì)屢創(chuàng )新高，主力產(chǎn)品DRAM銷(xiāo)售長(cháng)紅居功厥偉。

　　然而基于半導體事業(yè)特性，DRAM市場(chǎng)春天難以長(cháng)久維持，且與競爭業(yè)者間的技術(shù)競爭也愈發(fā)激烈，讓公司內部危機感高漲。22納米DRAM能否研發(fā)成功并快速量產(chǎn)，將是SK海力士維持競爭力并持續成長(cháng)的關(guān)鍵。

　　樸星昱表示，存儲器市場(chǎng)因技術(shù)難度增高，制程轉換與確保生產(chǎn)效能的難度也跟著(zhù)提升，反觀(guān)客戶(hù)端對于產(chǎn)品質(zhì)量的供應穩定性卻更為要求。身為存儲器業(yè)者，基礎競爭力愈來(lái)愈重要。也因此，量產(chǎn)22納米DRAM，成為克服SK海力士目前難題的核心關(guān)鍵。22納米DRAM若成功量產(chǎn)，將可一口氣提升競爭力與收益性，也可縮短跟三星電子(Samsung Electronics)之間的微細制程差距。

　　另一方面，透過(guò)利川M14新廠(chǎng)打造業(yè)界最高水準的量產(chǎn)系統，并強化TLC與3D垂直構造等NAND元件競爭力，也是SK海力士2015年的兩大主要課題。

　　總投資金額達2.1兆韓元的M14廠(chǎng)，是用來(lái)取代老舊DRAM廠(chǎng)的核心基礎設施。SK海力士計劃借由M14廠(chǎng)建構業(yè)界最高水準的量產(chǎn)系統，將8吋(200mm)晶圓生產(chǎn)設備改造為12吋(300mm)晶圓用設備，可望克服產(chǎn)能低落的問(wèn)題。預定在2015年上半完工，自下半年開(kāi)始稼動(dòng)。

　　此外，SK海力士存儲器事業(yè)80%集中在DRAM領(lǐng)域，因此NAND事業(yè)若能依預期成長(cháng)，將有助于SK海力士事業(yè)的多元化發(fā)展。業(yè)界預測SK海力士將在第2季推出TLC NAND，第3季推出3D NAND產(chǎn)品。樸星昱表示2015年將透過(guò)強化TLC與3D等NAND元件競爭力，以及補強解決方案實(shí)力等策略，確實(shí)地在市場(chǎng)上站穩腳步。