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mosfet 文章 進(jìn)入 mosfet技術(shù)社區
Fairchild推出WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET
- 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET器件FDZ371PZ，該器件設計采用飛兆半導體的專(zhuān)有PowerTrench® 工藝 技術(shù)，為手機、醫療、便攜和消費應用設計人員帶來(lái)業(yè)界最低RDS(ON) 值(-4.5V下為75m?) ，能夠最大限度地減小傳導損耗。通過(guò)降低損耗，FDZ371PZ能夠提高便攜設計的效率，并延長(cháng)電池壽命。FDZ371PZ還可提供4.4kV的穩健ESD保護功能，以保護器件免受ESD事件
- 關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET PowerTrench FDZ371PZ
D類(lèi)放大器：低功耗高效率推動(dòng)大規模普及
- D類(lèi)放大器的應用范圍非常廣泛，隨著(zhù)技術(shù)的成熟，目前已進(jìn)入大規模普及階段。針對其在器件成本、EMI等方面的問(wèn)題，業(yè)內企業(yè)也提出了多種解決方案。 D類(lèi)放大器技術(shù)是三四年前被業(yè)內熱議的新技術(shù)，目前它已進(jìn)入大規模普及階段。業(yè)界正在積極解決應用普及過(guò)程中的問(wèn)題，如EMI(電磁干擾)、成本和效率等。與此同時(shí)，集成技術(shù)也是一個(gè)不容忽視的趨勢。 轉入大規模普及階段 三四年前，D類(lèi)放大器在業(yè)界掀起了一個(gè)新技術(shù)的小高潮。D類(lèi)放大器采用脈沖調制方式將輸入信號轉換為數字脈沖，由MOSFET進(jìn)行放大，再通過(guò)低
- 關(guān)鍵字： ADI D類(lèi)放大器 MOSFET EMI
集成式上網(wǎng)本電源解決方案成研發(fā)熱點(diǎn)
- 上網(wǎng)本是筆記本電腦的派生產(chǎn)品，目前上網(wǎng)本的功率需求與筆記本電腦相似。由于需要使用多單元鋰離子電池，因而需要具有寬輸入電壓范圍的降壓轉換器來(lái)驅動(dòng)內核、存儲器、外設或通用系統組件。另外也可選擇使用低壓降(LDO)調節器。 大多數MID和智能手機使用各種功率管理單元(PMU)來(lái)實(shí)現功率管理，而這源于它們的低功耗需求。過(guò)去一年來(lái)，上網(wǎng)本市場(chǎng)經(jīng)歷了前所未有的增長(cháng)，供應商正在積極開(kāi)發(fā)用于上網(wǎng)本的集成式電源解決方案，2008年大多數上網(wǎng)本電腦電源采用了分立式解決方案，然而今年我們預計將轉向包含有控制器+MOS
- 關(guān)鍵字： 上網(wǎng)本 PMU MOSFET
集成電源管理滿(mǎn)足上網(wǎng)本小型化需求
- 上網(wǎng)本的電源管理分為以下幾部分：電源適配器、電池充電和管理、CPU供電、系統供電、I/O和顯卡供電、顯示背光供電、DDR存儲器供電。MPS針對上網(wǎng)本對電源小型化和輕載高效的要求，發(fā)展了擁有自主知識產(chǎn)權的一系列電路控制策略、半導體集成工藝以及封裝技術(shù)。 MPS的DC/DC變換器，將電源控制器、驅動(dòng)和MOSFET完全集成在一個(gè)芯片中。和大多數競爭對手所采用的多芯片封裝不同，MPS是將這些部分完全集成在一個(gè)硅片上，這極大地降低了傳統分立元件所帶來(lái)的寄生參數影響，從而提高變換器的效率和開(kāi)關(guān)頻率，減小電容
- 關(guān)鍵字： MPS 電源管理 MOSFET 上網(wǎng)本
英飛凌再度稱(chēng)雄功率電子市場(chǎng)
- 英飛凌科技股份公司在功率電子半導體分立器件和模塊領(lǐng)域連續第六年穩居全球第一的寶座。據IMS Research公司2009年發(fā)布的《功率半導體分立器件和模塊全球市場(chǎng)》報告稱(chēng)，2008年，此類(lèi)器件的全球市場(chǎng)增長(cháng)了1.5%，增至139.6億美元(2007年為137.6億美元)，而英飛凌的增長(cháng)率高達7.8%?，F在，英飛凌在該市場(chǎng)上占據了10.2%的份額，其最接近的競爭對手份額為6.8%。在歐洲、中東和非洲地區以及美洲，英飛凌也繼續獨占鰲頭，分別占據了22.8%和11.2%的市場(chǎng)份額。 隨著(zhù)汽車(chē)、消費和工
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 IGBT MOSFET
IR推出150V和200V MOSFET
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，為開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 、不斷電系統 (UPS)、反相器和DC馬達驅動(dòng)器等工業(yè)應用提供極低的閘電荷 (Qg)。 與其它競爭器件相比，IR 150V MOSFET提供的總閘電荷降低了高達59%。至于新款200V MOSFET的閘電荷，則比競爭器件的降低了多達33%。 IR亞洲區銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示：“隨著(zhù)DC-DC功率轉換應用技術(shù)的日
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET SMPS UPS 反相器 DC馬達驅動(dòng)器
Diodes 推出適合LCD背光應用的新型MOSFET 器件
- Diodes 公司進(jìn)一步擴展其多元化的MOSFET 產(chǎn)品系列，推出15款針對 LCD 電視和顯示器背光應用的新型器件。新器件采用業(yè)界標準的TO252和SO8 封裝，具有高功率處理和快速開(kāi)關(guān)功能，可滿(mǎn)足高效CCFL驅動(dòng)器架構的要求。 Diodes 亞太區技術(shù)市場(chǎng)總監梁后權表示：“30V 額定雙N溝道DMN3024LSD 采用SO8 封裝，適用于推挽式逆變器，可比分立式元件節省更多的空間。對于需要一對互補器件的全橋和半橋拓撲，DMC3028LSD 可提供集成的高性能N 和 P 溝道 MO
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET LCD背光 CCFL驅動(dòng)器
IR 推出IRF6718 DirectFET MOSFET
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。這款新型25V器件提供業(yè)界最低的通態(tài)電阻 (RDS(on))，并且使動(dòng)態(tài)ORing、熱插拔及電子保險絲等DC開(kāi)關(guān)應用達到最佳效果。 IRF6718在新款大罐式DirectFET封裝中融入了IR新一代硅技術(shù)，提供極低的通態(tài)電阻(在10V Vgs時(shí)典型為0.5mΩ)，同時(shí)比D2PAK的占位面積縮小60%，高度縮小85%。新器件大幅減少了有關(guān)旁路元件的傳導
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET DirectFET
飛兆半導體推出一款單一P溝道MOSFET器件
- 飛兆半導體公司 (Farichild Semiconductor)為智能電話(huà)、手機、上網(wǎng)本、醫療和其它便攜式應用的設計人員帶來(lái)一款單一P溝道MOSFET器件FDZ197PZ，能夠實(shí)現更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V時(shí)提供64mOhm之RDS(ON) 值，較同類(lèi)解決方案低15%，且占位面積僅為1mm x 1.5 mm，在提高效率之余，同時(shí)減少了電路板空間需求。該器件采用WL-CSP封裝，比占位面積相似的傳統塑料封裝MOSFET具有更佳功耗和傳導損耗特性。FDZ197P
- 關(guān)鍵字： Farichild MOSFET FDZ197PZ ESD
ST公布今年第二季度及上半年財報
- 意法半導體(紐約證券交易所代碼：STM)公布截至2009年6月27日的第二季度及上半年的財務(wù)報告。 意法半導體2009年第2季度收入總計19.93億美元，包含被ST-Ericsson合并的前愛(ài)立信移動(dòng)平臺的全部業(yè)務(wù)，和1800萬(wàn)美元的技術(shù)授權費。凈收入環(huán)比增幅20%，反映了意法半導體所在的所有市場(chǎng)以及全部地區的需求回暖，特別是中國和亞太地區的需求增長(cháng)強勁。因為商業(yè)大環(huán)境的原因，在所有市場(chǎng)以及各地區第2季度的凈收入低于去年同期水平，但電信市場(chǎng)和亞太地區的表現則例外。 總裁兼首席執行官 Car
- 關(guān)鍵字： ST MOSFET MEMS GPS 無(wú)線(xiàn)寬帶
半導體C-V測量基礎
- 通用測試 電容-電壓(C-V)測試廣泛用于測量半導體參數，尤其是MOSCAP和MOSFET結構。此外，利用C-V測量還可以對其他類(lèi)型的半導體器件和工藝進(jìn)行特征分析，包括雙極結型晶體管(BJT)、JFET、III-V族化合物器件、光伏電池、MEMS器件、有機TFT顯示器、光電二極管、碳納米管(CNT)和多種其他半導體器件。 這類(lèi)測量的基本特征非常適用于各種應用和培訓。大學(xué)的研究實(shí)驗室和半導體廠(chǎng)商利用這類(lèi)測量評測新材料、新工藝、新器件和新電路。C-V測量對于產(chǎn)品和良率增強工程師也是極其重要的，
- 關(guān)鍵字： 吉時(shí)利 C-V測試 半導體 MOSFET MOSCAP
Linear 推出同步降壓型 DC/DC 控制器
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出低靜態(tài)電流、兩相雙路輸出同步降壓型 DC/DC 控制器 LTC3858/-1。該器件在一個(gè)輸出有效時(shí)僅消耗 170uA 電流，而兩個(gè)輸出都有效時(shí)消耗 300uA。兩個(gè)輸出都關(guān)斷時(shí)，LTC3858/-1 僅消耗 8uA，非常適用于汽車(chē)和筆記本電腦應用。LTC3858/-1 的 4V 至 38V 寬輸入電源范圍能夠針對負載突降和冷車(chē)發(fā)動(dòng)情況所常見(jiàn)的汽車(chē)寬輸入電壓瞬變提供保護作用，并涵蓋多種電池化學(xué)組成。輸出電流高達 20A
- 關(guān)鍵字： Linear MOSFET 控制器
NXP推出N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品
- 恩智浦半導體(NXP Semiconductors，由飛利浦創(chuàng )立的獨立半導體公司)今日宣布推出全球首款N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品，型號為PSMN1R2-25YL，它擁有最低的導通電阻RDSon以及一流的FOM 參數。該產(chǎn)品是迄今為止采用Power-SO8封裝(無(wú)損耗封裝：LFPAK)中擁有最低導通電阻RDSon的MOSFET，也是恩智浦現有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power-S08 LFPAK封裝與最新Trench 6硅技術(shù)于一體，可在各種嚴苛應用條件下
- 關(guān)鍵字： NXP MOSFET PSMN1R2-25YL Power-SO8
Fairchild推出雙MOSFET解決方案FDMC8200
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設計人員帶來(lái)業(yè)界領(lǐng)先的雙MOSFET解決方案FDMC8200，可為筆記本電腦、上網(wǎng)本、服務(wù)器、電信和其它 DC-DC 設計提供更高的效率和功率密度。該器件在3mm x 3mm MLP模塊中集成了經(jīng)優(yōu)化的控制 (高側) 和同步 (低側) 30V N溝道MOSFET，二者均使用的專(zhuān)用先進(jìn)高性能PowerTrench® 7 MOSFET技術(shù)，提供出色的低RDS(ON)、總體柵極電荷(QG)和米勒電荷 (QGD)，這些性能最大限度地
- 關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET PowerTrench FDMC8200
Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件
- Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件，它采用SO8封裝，包含一對互補100V增強式MOSFET，性能可媲美體積更大的獨立封裝器件。ZXMC10A816適用于H橋電路，應用范圍包括直流風(fēng)扇和逆變器電路、D類(lèi)放大器輸出級以及其他多種48V應用。 Diodes 亞太區技術(shù)市場(chǎng)總監梁后權指出：“這個(gè)N通道和P通道組合的MOSFET能夠代替采用SOT223及DPak (TO252) 封裝的同等器件，有助減省電路板空間及元件數目，同時(shí)簡(jiǎn)化柵極驅動(dòng)電路設計。比方說(shuō)，SO8充分發(fā)揮了
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET ZXMC10A816
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對 mosfet的理解，并與今后在此搜索 mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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